Rådets forordning om ændring og ajourføring af forordning (EF)
Rådets forordning om ændring og ajourføring af forordning (EF)
Rådets forordning om ændring og ajourføring af forordning (EF)
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
3A232 fortsat<br />
Note: 3A232 lægger ikke eksportkontrol på detonatorer, der kun bruger primære sprængstoffer s<strong>om</strong><br />
f.eks. blyazid.<br />
Teknisk note:<br />
I 3A232 bruger alle de pågældende detonatorer en lille elektrisk leder (bro, brotråd eller folie), s<strong>om</strong> fordamper<br />
eksplosivt, når der passerer en hurtig, høj elektrisk strøm igennem den. I non-"slapper"-typer begynder<br />
den eksplosive leder en kemisk detonation i et berørende, højeksplosivt materiale s<strong>om</strong> f.eks. PETN<br />
(pentaerythritoltetranitrat). I "slapper"-detonatorer driver den eksplosive fordampning <strong>af</strong> den elektriske<br />
leder en "flyer" eller "slapper" over en spalte, <strong>og</strong> "slapperen"'s anslag på et sprængstof indleder en kemisk<br />
detonation. I n<strong>og</strong>le udførelser drives "slapperen" <strong>af</strong> magnetisk kr<strong>af</strong>t. Udtrykket "eksplosiv folie"detonator<br />
kan betyde enten en EB eller en "detonator" <strong>af</strong> "slapper"-typen. Ordet "initiator" bruges <strong>og</strong>så i<br />
stedet for "detonator".<br />
3A233 Følgende massespektr<strong>om</strong>etre ud over dem, der er pålagt eksportkontrol iflg. 0B002.g, der er i stand til at<br />
måle ioner med mindst 230 at<strong>om</strong>masseenheder eller derover <strong>og</strong> med opløsning bedre end 2 dele i 230<br />
samt ionkilder hertil:<br />
a. Induktivt koblede plasmamassespektr<strong>om</strong>etre (ICP/MS).<br />
b. Glimudladningsmassespektr<strong>om</strong>etre (GDMS).<br />
c. Termisk ioniseringsmassespektr<strong>om</strong>etre (TIMS).<br />
d. Elektronb<strong>om</strong>bardementmassespektr<strong>om</strong>etre, s<strong>om</strong> har et kildekammer, der er konstrueret <strong>af</strong>, foret med<br />
eller belagt med UF6-bestandige materialer.<br />
e. Molekylestrålemassespektr<strong>om</strong>etre med en <strong>af</strong> følgende egenskaber:<br />
1. Kildekammer, der er konstrueret <strong>af</strong>, foret med eller belagt med rustfrit stål eller molybdæn, <strong>og</strong><br />
s<strong>om</strong> er udstyret med en kold fælde, der er i stand til at køle ned til 193 K (-80 ºC) eller derunder,<br />
eller<br />
2. Kildekammer, der er konstrueret <strong>af</strong>, foret med eller bilagt med UF6-bestandige materialer.<br />
f. Massespektr<strong>om</strong>etre, der er udstyret med en mikrofluoreringsionkilde, der er beregnet til actinider<br />
eller actinidfluorider.<br />
3B Prøve-, inspektions- <strong>og</strong> produktionsudstyr<br />
3B001 Følgende udstyr til fremstilling eller prøvning <strong>af</strong> halvlederk<strong>om</strong>ponenter eller halvledermaterialer samt<br />
specielt konstruerede k<strong>om</strong>ponenter <strong>og</strong> tilbehør hertil:<br />
a. Følgende udstyr til epitaksial vækst:<br />
1. Udstyr, s<strong>om</strong> er i stand til at danne n<strong>og</strong>et <strong>af</strong> følgende:<br />
a. Et siliciumlag med lagtykkelse, der er ensartet til mindre end +2,5% over en længde på<br />
mindst 200 mm, eller<br />
b. Et lag <strong>af</strong> andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end<br />
+2,5% over en længde på mindst 75 mm<br />
2. Metal-organisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)reaktorer, der er specielt konstrueret til<br />
vækst <strong>af</strong> sammensatte halvlederkrystaller ved den kemiske reaktion mellem de materialer, der<br />
er pålagt eksportkontrol iflg. 3C003 eller 3C004<br />
3. Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug <strong>af</strong> gas- eller faststofkilder.<br />
10996/04 IR/ia 120<br />
BILAG I DG E WMD DA
Change language