Rådets forordning om ændring og ajourføring af forordning (EF)

3B001 fortsat
b. Udstyr konstrueret til ionimplantering med en eller flere af følgende egenskaber:
1. En stråleenergi (accelerationsspænding) på mere end 1 MeV
2. Specielt konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi (accelerationsspænding) på mindre
end 2 keV
3. Direkte skrivekapacitet eller
4. En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til
højenergioxygenimplantering på et opvarmet halvledermateriale-"substrat".
c. Anisotropisk plasma-tørætsningsudstyr som følger:
1. Udstyr med kassette-til-kassette operation og indføringssluser og med en eller flere af følgende
egenskaber:
a. Konstrueret eller optimeret til at nå op på kritiske dimensioner på 0,3 µm eller derunder
med en præcision på ± 5% i forhold til 3 sigma eller
b. Konstrueret til at udvikle færre end 0,04 partikler/cm 2 med en målelig partikelstørrelse på
mere end 0,1 µm i diameter.
2. Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er pålagt eksportkontrol iflg. 3B001.e, og med en
eller flere af følgende egenskaber:
a. Konstrueret eller optimeret til at nå op på kritiske dimensioner på 0,3 µm eller derunder
med en præcision på ± 5% i forhold til 3 sigma eller
b. Konstrueret itl at udvikle færre end 0,04 partikler/cm 2 med en målelig partikelstørrelse på
mere end 0,1 µm i diameter.
d. Plasmaforstærket CVD-udstyr som følger:
1. Udstyr med kassette-til-kassette operation og indføringssluser og konstrueret efter producentens
specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter med
kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder
2. Udstyr specielt konstrueret til udstyr, der er pålagt eksportkontrol iflg. 3B001.e, og konstrueret
efter producentens specifikationer eller optimeret med henblik på fremstilling af halvlederkomponenter
med kritiske dimensioner på 180 nm eller derunder.
e. Centrale flerkammer-waferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende
egenskaber:
1. Interfaces til wafer input og output, til hvilke der skal forbindes mere end to enheder af halvlederbehandlingsudstyr
og
2. Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til sekventiel behandling af
flere wafers.
Note: 3B001.e. lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der
ikke er beregnet til drift i et vakuummiljø.
f. Følgende litografisk udstyr:
1. "step and repeat"-udstyr (direkte waferstepper) eller "step and scan"-udstyr (scanner) til positionering
og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder
med en eller flere af følgende egenskaber:
10996/04 IR/ia 121
BILAG I DG E WMD DA