Untitled - Semikron

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AUS hart weich L K in Reihe 1 Betriebsweise von Leistungshalbleitern resonant i L = 0 neutral V S = 0 hart HS MZCS ZVHS weich C K parallel resonant V K = 0 neutral i S = 0 EIN Tabelle 1.2.1 Grundtypen leistungselektronischer Schalter MZVS ZVS ZVRS ZCHS ZCS ZCRS NS 11
1 Betriebsweise von Leistungshalbleitern 12
Seite 2 und 3: Applikationshandbuch Leistungshalbl
Seite 4 und 5: Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
Seite 6 und 7: Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
Seite 8 und 9: 3.3.1 Grenzwerte ..................
Seite 10 und 11: 5.2.3.4 Bauelementauswahl .........
Seite 12 und 13: 1 Betriebsweise von Leistungshalble
Seite 16 und 17: 1.2 Leistungselektronische Schalter
Seite 24 und 25: 2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
Seite 26 und 27: 2 Grundlagen Wichtige Ziele der Wei
Seite 28 und 29: 2 Grundlagen vor allem in optoelekt
Seite 30 und 31: Glass passivation Anode (metallized
Seite 32 und 33: I F 0.1 I F v V FRM VF 0.1 FV F t f
Seite 34 und 35: 2 Grundlagen Rückwärtsstrom Der
Seite 36 und 37: 2 Grundlagen Die Stromverstärkunge
Seite 38 und 39: Hybrid auxiliary thyristor Integrat
Seite 40 und 41: a) b) w N A ,N D n- + n Schottky- B
Seite 42 und 43: 2 Grundlagen Die Höhe der Rekombin
Seite 44 und 45: D A n p 2 n p kT q k: Boltzmann
Seite 46 und 47: 2 Grundlagen Einschaltüberspannung
Seite 48 und 49: V [V] max 1000 950 900 850 800 750
Seite 50 und 51: a) b) 2 Grundlagen Bild 2.3.13 a) A
Seite 52 und 53: a) b) 0 0 0 1200V I RRM Diode 150A
Seite 54 und 55: 2.3.3.3 Dynamische Robustheit 2 Gru
Seite 56 und 57: p + p + n - Emitter + B´ - - - - -
Seite 58 und 59: Symbol Bezeichnung physikalische Be
Seite 60 und 61: 2 Grundlagen -aktiver Arbeitsbereic
Seite 62 und 63: V GG V GS(th) V GE(th) i , i D C I
Seite 64 und 65: Einschalten: Schaltzeitintervall t
Seite 66 und 67: 2 Grundlagen Bild 2.4.9 Entwicklung
Seite 68 und 69: Bild 2.4.11 Struktur eines SPT-IGBT
Seite 70 und 71: 2 Grundlagen Bild 2.4.13 Prinzipiel
Seite 72 und 73:
2 Grundlagen Das Schaltungsprinzip
Seite 74 und 75:
2.4.3.1 Statisches Verhalten 2 Grun
Seite 76 und 77:
p + n + n - p + n + n - p + n + n -
Seite 78 und 79:
Leistungs-MOSFET Eingangskapazität
Seite 80 und 81:
2 Grundlagen Ausschaltgeschwindigke
Seite 82 und 83:
Bild 2.4.22 Gegenüberstellung von
Seite 84 und 85:
2 Grundlagen Entwicklungsrichtungen
Seite 86 und 87:
2.5.1.3 Drahtbonden 2 Grundlagen Be
Seite 88 und 89:
2 Grundlagen schlüsse realisiert.
Seite 90 und 91:
2 Grundlagen Bodenplatte Solche Mod
Seite 92 und 93:
2 Grundlagen Bei den keramischen Is
Seite 94 und 95:
Material Wärmeleitfähigkeit l [W/
Seite 96 und 97:
dT(j-s) [K] 40.00 35.00 30.00 25.00
Seite 98 und 99:
Baseplate Baseplate Thermal Compoun
Seite 100 und 101:
2 Grundlagen Wärmekopplung Aufgrun
Seite 102 und 103:
2.5.2.3 Lastwechselfestigkeit 2 Gru
Seite 104 und 105:
2 Grundlagen solche Konstruktion is
Seite 106 und 107:
2 Grundlagen ausgesprochenen Massen
Seite 108 und 109:
2.5.3 Diskrete Bauelemente 2.5.3.1
Seite 110 und 111:
Ceramic case Pressure piece welded
Seite 112 und 113:
Gate terminals -Terminal +Terminal
Seite 114 und 115:
2 Grundlagen SEMIPONT® Ein- und Dr
Seite 116 und 117:
2 Grundlagen Mit 4 Gehäusegrößen
Seite 118 und 119:
2 Grundlagen SEMiX® Diese im gleic
Seite 120 und 121:
2 Grundlagen tung auf der DCB und d
Seite 122 und 123:
First compensating coil Sensor coil
Seite 124 und 125:
2 Grundlagen Bei Modulen sind die S
Seite 126 und 127:
2 Grundlagen MiniSKiiP IPM sind mit
Seite 128 und 129:
2 Grundlagen bestimmtes DT im Lastw
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Climatic chamber Tmax Tmin DUT Test
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Bild 2.7.5 Prinzipzeichnung und Fot
Seite 134 und 135:
2 Grundlagen Aus Bild 2.7.9 und Bil
Seite 136 und 137:
2 Grundlagen - Einsatz von AlN-Subs
Seite 138 und 139:
2 Grundlagen gen im Sekundenbereich
Seite 140 und 141:
2 Grundlagen der Auswertung einer V
Seite 142 und 143:
3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
Seite 144 und 145:
3.1.3 Grenzwerte, Kennwerte 3 Daten
Seite 146 und 147:
Seite 148 und 149:
0.40 K/W 0.38 0.36 0.34 0.32 0.30 0
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Seite 152 und 153:
10000 W 1000 100 10 1 P RRM P RRM P
Seite 154 und 155:
200 W 150 100 50 P FAV 0 0 rec. 60
Seite 156 und 157:
Durchbruchspannung V (BO) bei Avala
Seite 158 und 159:
Seite 160 und 161:
Seite 162 und 163:
Haltestrom I H 3 Datenblattangaben
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I G [A] 2 1 0 2 4 6 8 10 t [µs] 3
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Seite 168 und 169:
1000 μC 100 Q rr 10 100 A -Thyrist
Seite 170 und 171:
SEMiX302GB12E4s SEMiX ® 2s Trench
Seite 172 und 173:
Kollektor-Gleichstrom I C 3 Datenbl
Seite 174 und 175:
thw 2 iFS 0 dt I 2 FSM t hw 2 3
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I I ref 0.25I ref 25°C typical 25
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i (20 A / Div) C 0.2 µs / Div v (2
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[A] I F 600 500 400 300 200 100 T =
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600 [A] 450 300 150 I C T j = 175
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Seite 194 und 195:
3.3.4.3 Höchstzulässiger sicherer
Seite 196 und 197:
Gate-Source-Spannung V GSS 3 Datenb
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Drain-Reststrom I DSS 3 Datenblatta
Seite 200 und 201:
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Seite 204 und 205:
Seite 206 und 207:
[Fig. 10] Typische Gateladungsdiagr
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Seite 210 und 211:
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Seite 216 und 217:
3.6.1.4 Kennwerte des SKiiP-Treiber
Seite 218 und 219:
TOPIN BOTIN VGE TOP VGE BOT t TD t
Seite 220 und 221:
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High Side Betriebsspannung („floa
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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4.1.3.5 Zündeigenschaften 4 Applik
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4.1.5 Brückengleichrichter 4 Appli
Seite 238 und 239:
Seite 240 und 241:
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4.2.3 Kühlkörper 4 Applikationshi
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Seite 248 und 249:
di dt 0 L S1 VB L S2 mit V B als
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Seite 254 und 255:
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Seite 258 und 259:
Bild 4.4.7 Primärseitige Beschaltu
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Nennausschaltvermögen I PM 4 Appli
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Seite 276 und 277:
Seite 278 und 279:
4.5.3 Parallelschaltung von Gleichr
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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VCEmax [V] 1250 1200 1150 1100 1050
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Seite 290 und 291:
Forward Losses [W] Switching Losses
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1000 t [ns] 100 SKiiP 39 AC 12T4 V1
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- dem Laststrom (über Durchlassken
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Seite 298 und 299:
Seite 300 und 301:
Seite 302 und 303:
Seite 304 und 305:
Tj Tj(av) P tp Bild 5.2.12 Temperat
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cos(alpha) 1.5 1 0.5 -1 -1.5 rotor
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-1 acceleration deceleration 5 Appl
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Bild 5.2.21 Festlegung der Kühlbed
Seite 312 und 313:
Bild 5.2.23 Ergebnisausgabe zu Verl
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T Z t n th ( s a) (
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Seite 318 und 319:
a) b) 5 Applikationshinweise für I
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p [Pa] 500 450 400 350 300 250 200
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Seite 324 und 325:
5.3.5.1 Druckabfall und Wasservolum
Seite 326 und 327:
Wasser Glykolgemische 5 Applikation
Seite 328 und 329:
Seite 330 und 331:
Seite 332 und 333:
5.3.7 Thermische Reihenschaltung (T
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temperature increase (K) 40 35 30 2
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Power Conversion (Main Function) En
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Seite 342 und 343:
Seite 344 und 345:
Seite 346 und 347:
Bild 5.5.2 SEMIKUBE Bausteinsystem
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Schaltzeiten, Schaltverlustenergien
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V S P 7 input 2 (BOTTOM) input 1 (T
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Ausführung Netztrafo 50 Hz-Versorg
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Seite 372 und 373:
vK LK 2 RL LK 2 L L iK S1 iL S2 vS1
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dynamic desaturation time 0.5µs/di
Seite 378 und 379:
5.7.3.1 Fehlerstromerkennung und -a
Seite 380 und 381:
Seite 382 und 383:
LESR RESR CDC-link LDC+ LDC- LSnubb
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v Driver R G V + Passive Gate Clamp
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C iss [nF] 25,0 24,5 24,0 23,5 23,0
Seite 394 und 395:
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L . LE di2 /dt E di1 /dt I . 5 Ap
Seite 398 und 399:
Seite 400 und 401:
VCC SKiiP1 SKiiP2 Iout1 L min I out
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Seite 404 und 405:
Seite 406 und 407:
V CE Input Reference t dv / dt CE D
Seite 408 und 409:
5.8.2.3 Schlußfolgerungen 5 Applik
Seite 410 und 411:
Seite 412 und 413:
OFF reverse blocking forward on-sta
Seite 414 und 415:
Seite 416 und 417:
5.9.3.3 Schaltereigenschaften 5 App
Seite 418 und 419:
Eoff [mJ] 40 35 30 25 20 15 10 5 0
Seite 420 und 421:
switch current i [A] S switch volta
Seite 422 und 423:
6 Handhabung und Umweltbedingungen
Seite 424 und 425:
Seite 426 und 427:
6.2.3 Biologische Umweltbedingungen
Seite 428 und 429:
Bild 6.2.3 Schematische Darstellung
Seite 430 und 431:
Seite 432 und 433:
Seite 434 und 435:
Material Spezifische thermische Lei
Seite 436 und 437:
Bezeichnung; Hersteller KU ALC-5, K
Seite 438 und 439:
Seite 440 und 441:
Seite 442 und 443:
Seite 444 und 445:
7 Software als Dimensionierungshilf
Seite 446 und 447:
Seite 448 und 449:
Seite 450 und 451:
Literaturverzeichnis Literaturverze
Seite 452 und 453:
Literaturverzeichnis [38] Klotz, F.
Seite 454 und 455:
Literaturverzeichnis [79] Hoffmann,
Seite 456 und 457:
C res C rss Reverse transfer capaci
Seite 458 und 459:
Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRO
Seite 460 und 461:
L ss l tp (l) Parasitic stray induc
Seite 462 und 463:
R min(CL) R P R p R s R softcharge
Seite 464 und 465:
T r Reference point temperature (te
Seite 466 und 467:
V GSS Gate-source voltage, drainsou
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