Untitled - Semikron

Empfehlungen

Info

Literaturverzeichnis [79] Hoffmann, K.F.; Kärst, J.P.; Rexhausen, W.: „Reduced IGBT Conducting Power Losses by Miller Effect Triggered Gate Current Injection”, PCIM Europe 2006, Conferece Proceedings [80] „Failure Rates of HiPak Modules Due to Cosmic Rays“, Application Note 5SYA 2042-03. Nando Kaminski, Arnost Kopta ABB Switzerland Ltd, Semiconductors, July 2009 [81] PORTUNUS® www.adapted-solutions.com [82] SIMPLORER® www.ansoft.com [83] PLECS® www.plexim.com [84] Wintrich, A.: „Verhaltensmodellierung von Leistungshalbleitern für den rechnergestützten Entwurf leistungselektronischer Schaltungen“, Diss., TU Chemnitz, 1996; http://archiv.tuchemnitz.de/pub/1998/0023/data/inhalt.htm 443
Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRON-Datenblätter Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRON-Datenblätter Kurzzeichen Englisch Deutsch (di/dt) cr (dv/dt) cr 444 Critical rate of rise of on-state current Critical rate of rise of off-state voltage ∫ vdt Voltage-time integral at no load a Maximum acceleration under vibration Kritische Stromsteilheit Kritische Spannungssteilheit Spannungs-Zeit-Fläche bei Leerlauf Zulässige Beschleunigung beim Schalten b Width of the module base Breite des Modulbodens B2 Two-pulse bridge connection Zweipuls-Brückenschaltung B25/85 Exponent of temperature sensor equation Exponent für Temperatursensor Gleichung B6 Six-pulse bridge connection Sechspuls-Brückenschaltung BWIoutsens Bandwith of output current sensing Bandbreite der Strommessung BW TBsens BW TCSsens BW VDCsens C CHC C DC C eqvl C ies Bandwith of temperatur sensing on driver board Bandwith of temperatur sensing on ceramic-substrate Bandwith of DC-link-voltage sensing Capacitance chip-case (baseplate) Capacitance of DC-link capacitor bank Equivalent capacitance of a DC-link capacitor bank Input capacitance, output short-circuited (IGBT) Bandbreite der Temperatur- Messelektronik Bandbreite des Temperatursensors Bandbreite der Zwischenkreisspannungserfassung Kapazität Chip-Gehäuse (Grundplatte) Kapazität des Zwischenkreiskondensators Ersatzkapazität einer Zwischenkreiskondensatorbank Eingangskapazität, Ausgang kurzgeschlossen (IGBT) C IN Input capacitance Eingangskapazität C iss Input capacitance, output short-circuited (MOS) Eingangskapazität, Ausgang kurzgeschlossen (MOSFET) C j Junction capacitance Sperrschichtkapazität C L Load capacitor Lastkondensator C max C oes C oss C ps Maximum value of reservoir capacitor Output capacitance, input short-circuited (IGBT) Output capacitance, input short-circuited (MOSFET) Coupling capacitance, primary to secondary winding Größter Ladekondensator (bei größerem C Strom verringern) Ausgangskapazität, Eingang kurzgeschlossen (IGBT) Ausgangskapazität, Eingang kurzgeschlossen (MOSFET) Koppelkapazität zwischen Primär- und Sekundärwicklung
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Applikationshandbuch Leistungshalbl
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Vorwort Seit dem Erscheinen des ers
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Inhalt 1 Betriebsweise von Leistung
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3.3.1 Grenzwerte ..................
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5.2.3.4 Bauelementauswahl .........
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1 Betriebsweise von Leistungshalble
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1.2 Leistungselektronische Schalter
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AUS hart weich L K in Reihe 1 Betri
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2 Grundlagen 2 Grundlagen 2.1 Einsa
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2 Grundlagen Wichtige Ziele der Wei
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2 Grundlagen vor allem in optoelekt
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Glass passivation Anode (metallized
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I F 0.1 I F v V FRM VF 0.1 FV F t f
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2 Grundlagen Rückwärtsstrom Der
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2 Grundlagen Die Stromverstärkunge
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Hybrid auxiliary thyristor Integrat
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a) b) w N A ,N D n- + n Schottky- B
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2 Grundlagen Die Höhe der Rekombin
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D A n p 2 n p kT q k: Boltzmann
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2 Grundlagen Einschaltüberspannung
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V [V] max 1000 950 900 850 800 750
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a) b) 2 Grundlagen Bild 2.3.13 a) A
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a) b) 0 0 0 1200V I RRM Diode 150A
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2.3.3.3 Dynamische Robustheit 2 Gru
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p + p + n - Emitter + B´ - - - - -
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Symbol Bezeichnung physikalische Be
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2 Grundlagen -aktiver Arbeitsbereic
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V GG V GS(th) V GE(th) i , i D C I
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Einschalten: Schaltzeitintervall t
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2 Grundlagen Bild 2.4.9 Entwicklung
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Bild 2.4.11 Struktur eines SPT-IGBT
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2 Grundlagen Bild 2.4.13 Prinzipiel
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2 Grundlagen Das Schaltungsprinzip
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2.4.3.1 Statisches Verhalten 2 Grun
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p + n + n - p + n + n - p + n + n -
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Leistungs-MOSFET Eingangskapazität
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2 Grundlagen Ausschaltgeschwindigke
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Bild 2.4.22 Gegenüberstellung von
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2 Grundlagen Entwicklungsrichtungen
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2.5.1.3 Drahtbonden 2 Grundlagen Be
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2 Grundlagen schlüsse realisiert.
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2 Grundlagen Bodenplatte Solche Mod
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2 Grundlagen Bei den keramischen Is
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Material Wärmeleitfähigkeit l [W/
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dT(j-s) [K] 40.00 35.00 30.00 25.00
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Baseplate Baseplate Thermal Compoun
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2 Grundlagen Wärmekopplung Aufgrun
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2.5.2.3 Lastwechselfestigkeit 2 Gru
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2 Grundlagen solche Konstruktion is
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2 Grundlagen ausgesprochenen Massen
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2.5.3 Diskrete Bauelemente 2.5.3.1
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Ceramic case Pressure piece welded
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Gate terminals -Terminal +Terminal
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2 Grundlagen SEMIPONT® Ein- und Dr
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2 Grundlagen Mit 4 Gehäusegrößen
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2 Grundlagen SEMiX® Diese im gleic
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2 Grundlagen tung auf der DCB und d
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First compensating coil Sensor coil
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2 Grundlagen Bei Modulen sind die S
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2 Grundlagen MiniSKiiP IPM sind mit
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2 Grundlagen bestimmtes DT im Lastw
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Climatic chamber Tmax Tmin DUT Test
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Bild 2.7.5 Prinzipzeichnung und Fot
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2 Grundlagen Aus Bild 2.7.9 und Bil
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2 Grundlagen - Einsatz von AlN-Subs
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2 Grundlagen gen im Sekundenbereich
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2 Grundlagen der Auswertung einer V
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3 Datenblattangaben für MOSFET, IG
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3.1.3 Grenzwerte, Kennwerte 3 Daten
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0.40 K/W 0.38 0.36 0.34 0.32 0.30 0
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10000 W 1000 100 10 1 P RRM P RRM P
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200 W 150 100 50 P FAV 0 0 rec. 60
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Durchbruchspannung V (BO) bei Avala
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Haltestrom I H 3 Datenblattangaben
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I G [A] 2 1 0 2 4 6 8 10 t [µs] 3
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1000 μC 100 Q rr 10 100 A -Thyrist
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SEMiX302GB12E4s SEMiX ® 2s Trench
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Kollektor-Gleichstrom I C 3 Datenbl
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thw 2 iFS 0 dt I 2 FSM t hw 2 3
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I I ref 0.25I ref 25°C typical 25
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i (20 A / Div) C 0.2 µs / Div v (2
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[A] I F 600 500 400 300 200 100 T =
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600 [A] 450 300 150 I C T j = 175
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3.3.4.3 Höchstzulässiger sicherer
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Gate-Source-Spannung V GSS 3 Datenb
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Drain-Reststrom I DSS 3 Datenblatta
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[Fig. 10] Typische Gateladungsdiagr
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3.6.1.4 Kennwerte des SKiiP-Treiber
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TOPIN BOTIN VGE TOP VGE BOT t TD t
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High Side Betriebsspannung („floa
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4 Applikationshinweise für Thyrist
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4.1.3.5 Zündeigenschaften 4 Applik
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4.1.5 Brückengleichrichter 4 Appli
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4.2.3 Kühlkörper 4 Applikationshi
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di dt 0 L S1 VB L S2 mit V B als
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Bild 4.4.7 Primärseitige Beschaltu
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Nennausschaltvermögen I PM 4 Appli
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4.5.3 Parallelschaltung von Gleichr
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5 Applikationshinweise für IGBT- u
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VCEmax [V] 1250 1200 1150 1100 1050
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Forward Losses [W] Switching Losses
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1000 t [ns] 100 SKiiP 39 AC 12T4 V1
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- dem Laststrom (über Durchlassken
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Tj Tj(av) P tp Bild 5.2.12 Temperat
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cos(alpha) 1.5 1 0.5 -1 -1.5 rotor
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-1 acceleration deceleration 5 Appl
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Bild 5.2.21 Festlegung der Kühlbed
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Bild 5.2.23 Ergebnisausgabe zu Verl
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T Z t n th ( s a) (
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a) b) 5 Applikationshinweise für I
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p [Pa] 500 450 400 350 300 250 200
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5.3.5.1 Druckabfall und Wasservolum
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Wasser Glykolgemische 5 Applikation
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5.3.7 Thermische Reihenschaltung (T
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temperature increase (K) 40 35 30 2
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Power Conversion (Main Function) En
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Bild 5.5.2 SEMIKUBE Bausteinsystem
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Schaltzeiten, Schaltverlustenergien
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V S P 7 input 2 (BOTTOM) input 1 (T
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Ausführung Netztrafo 50 Hz-Versorg
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vK LK 2 RL LK 2 L L iK S1 iL S2 vS1
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dynamic desaturation time 0.5µs/di
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5.7.3.1 Fehlerstromerkennung und -a
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LESR RESR CDC-link LDC+ LDC- LSnubb
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v Driver R G V + Passive Gate Clamp
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C iss [nF] 25,0 24,5 24,0 23,5 23,0
Seite 394 und 395:
Seite 396 und 397:
L . LE di2 /dt E di1 /dt I . 5 Ap
Seite 398 und 399:
Seite 400 und 401:
VCC SKiiP1 SKiiP2 Iout1 L min I out
Seite 402 und 403:
Seite 404 und 405: 5 Applikationshinweise für IGBT- u
Seite 406 und 407: V CE Input Reference t dv / dt CE D
Seite 408 und 409: 5.8.2.3 Schlußfolgerungen 5 Applik
Seite 412 und 413: OFF reverse blocking forward on-sta
Seite 416 und 417: 5.9.3.3 Schaltereigenschaften 5 App
Seite 418 und 419: Eoff [mJ] 40 35 30 25 20 15 10 5 0
Seite 420 und 421: switch current i [A] S switch volta
Seite 422 und 423: 6 Handhabung und Umweltbedingungen
Seite 426 und 427: 6.2.3 Biologische Umweltbedingungen
Seite 428 und 429: Bild 6.2.3 Schematische Darstellung
Seite 434 und 435: Material Spezifische thermische Lei
Seite 436 und 437: Bezeichnung; Hersteller KU ALC-5, K
Seite 444 und 445: 7 Software als Dimensionierungshilf
Seite 450 und 451: Literaturverzeichnis Literaturverze
Seite 452 und 453: Literaturverzeichnis [38] Klotz, F.
Seite 456 und 457: C res C rss Reverse transfer capaci
Seite 458 und 459: Abkürzungsverzeichnis für SEMIKRO
Seite 460 und 461: L ss l tp (l) Parasitic stray induc
Seite 462 und 463: R min(CL) R P R p R s R softcharge
Seite 464 und 465: T r Reference point temperature (te
Seite 466 und 467: V GSS Gate-source voltage, drainsou
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