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Bild: Cree
Bild: Rohm Semiconductor Bild: SemiSouth
SiC-basierte Leistungs-MOSFETs für niedrige
Amperezahlen: die Z-FET-1200-V-Serie.
Für PFC-Schaltungen in Schaltnetzteilen und netzbetriebenen
Schaltungen vorgesehen: die Presto-MOS-Baureihe.
Schneller JFET mit niedrigem On-Widerstand
von 45 mOhm: der SJDP120R045.
die Bausteine für allgemeine THT-Anwendungen im Schwerlast-/
Hochleistungsbereich entwickelt, die einen niedrigen Einschaltwiderstand
(R DS(on)
) benötigen. Einsatzbereiche: elektrische Servolenkungen
oder Batterieschalter zum Einsatz in Kraftfahrzeugen mit
Verbrennungsmotor sowie in Mikro- und Vollhybrid-Autos.
Fairchild stellte einen 60-V-Power-Trench-MOSFET vor, mit
dem sich nach Herstelleraussagen kleine Stromversorgungen, eine
hohe Leistungsdichte und große Design-Effizienz realisieren lassen.
Der N-Kanal-Power-Trench-MOSFET FDMS86500L wurde
für DC-DC-Stromversorgungen, Motorsteuerungen, Hot-Swapund
Lastschaltanwendungen, aber auch für sekundärseitige synchrone
Gleichrichter von Servern konzipiert. Die in einem 5 mal 6
mm großen Power-56-Gehäuse untergebrachte Komponente erzielt
einen On-Widerstand von 2,5 mΩ bei V GS
= 10 V und I D
=25
Wir sind sehr zufrieden mit der
Anzahl und Qualität der Kontakte.
Bereits am Dienstag war der
Andrang sehr stark und fl aute auch bis
Messeende nicht ab:
Adalbert Ströhle , Director Sales Europa, Marketing
and Communication bei der Vacuumschmelze in
Hanau.
A, was in niedrigen Leitungsverlusten resultiert. Darüber hinaus
zeichnet sich der auf der Shielded-Gate-MOSFET-Technologie basierende
FDMS86500L durch sehr niedrige Schaltverluste (Q GD
14,6 nC typisch) aus. Weiterer Vorteil: hoher Gütefaktor, moderne
Body-Dioden-Technologie für eine sanfte Abschaltcharakteristik
sowie ein robustes MSL1-Gehäuse-Design.
DTMOS-III heißt die 600-V-Superjunction-MOSFET-Serie von
Toshiba, die die Japaner nach Nürnberg mitbrachten. Der Hersteller
schreibt es sich auf die Fahne, ein verbessertes Zusammenspiel
von Wirkungsgrad und EMV-Verhalten bei seinen Komponenten
erzielt zu haben durch eine ideale Kombination aus p/n-Säulen
und ebener MOS-Struktur. Dadurch ließ sich das C GD
/C DS
-Verhältnis
verbessern, was wiederum in einem besseren Schaltverhalten
resultiert. Zudem punkten die Bauelemente mit niedrigem On-
Widerstand und daraus folgend weniger Schaltverluste. Im Vergleich
zu der ersten Generation dieser MOSFETs ist der R DS(on)
nunmehr 22 Prozent niedriger. Endergebnis: Effiziente Stromversorgungen
mit niedrigem Rauschen.
Rohm Semiconductor hat seine für PFC-Schaltungen in Schaltnetzteilen
und netzbetriebenen Schaltungen vorgesehene MOS-
FET-Familie Presto-MOS ausgebaut. Die Bauelemente sind in diversen
Gehäusekonfigurationen für SMD- (CPT/D-PAK, LPT/
D2-PAK) und THT-Montage (z. B. TO3-PF) verfügbar. Vorteile:
kurze Sperrverzögerungszeiten (t rr
), hohe Schaltgeschwindigkeit,
hoher Wirkungsgrad und niedrige Verluste. Einsatzbereiche: integrierte
Wechselrichter, Beleuchtungen, Motortreiber, Solar-Batterien,
Power-Conditioner oder HF-Brückenschaltungen. Gestützt
auf eine ionenbasierte Produktionstechnologie und moderne
Hochspannungs-Prozesse, erzielt die Serie einen kleinen R DS(on)
,
einen niedrigen Q G
-Wert und eine hohe Schaltgeschwindigkeit,
was die Wechselrichter-Effizienz verbessert und den externen Bauteileaufwand
reduziert. Durch die integrierte Body-Diode mit
niedrigem t rr
-Wert ist eine externe Fast-Recovery-Diode überflüssig,
so dass nur wenig Leiterplattenfläche benötigt wird.
Siliziumkarbid einsetzen
Die Zeichen stehen pro SiC – aber JFET oder Mosfet Semisouth
setzt auf Ersteres und hatte mit dem SJDP120R045 einen
schnellen JFET (Normally-On) im Gepäck, der mit einem niedrigen
On-Widerstand von 45 mΩ bei 1200 V punktet. Der Baustein
ist für Applikationen, wie PV-Wechselrichter, Schaltnetzteile, Induktionserwärmung,
USVs, Windkraftanwendungen oder Motorsteuerungen
gedacht. Der R DS(on)
wird durch eine relativ kleine
Chipfläche möglich, die durch minimale Gatespannung und Eigenkapazität
effizienten HF-Betrieb ermöglicht. Neben dem positiven
Temperaturbeiwert, durch den sich parallel schalten lässt,
kann der JFET bis zu seiner Höchstbetriebstemperatur von 175 °C
reststromfrei und schnell schalten. Der Hersteller stellt die Komponente
auch ohne Gehäuse für die modulare Integration zur Verfügung.
Produktfamilie und Semisouth‘ SiC-Dioden überzeugten
auch Modulhersteller Vincotech – Partnerschaft inklusive.
Auf einen Blick
Energieeffizienz, Umweltbewusstsein
und Qualität
Fukushima hat Deutschland aufgerüttelt. Für die Energiewende spielt
die Leistungselektronik keine untergeordnete Rolle. Die PCIM zeigte
es deutlich, dass erneuerbare Energien, allen voran Windkraft und
Photovoltaik, sich zu den wichtigsten Einsatzbereichen für Leistungsbausteine
gemausert haben. Entscheidend dabei: Leistungshalbleiter,
Passive und Co. sollen in der Endapplikation für die höchstmögliche
Energieeffi zienz sorgen. Dabei spielt die Materialfrage der Bausteine
eine wichtige Rolle. Mit Siliziumkarbid und Galliumnitrid stehen zwei
Halbleitermaterialien in den Startlöchern, die hierbei ein Wörtchen
mitzureden haben.
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8 elektronik industrie 07 / 2011
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