PDF-Ausgabe herunterladen (21.4 MB) - elektronik industrie
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Märkte + Technologien<br />
Bild: Toshiba<br />
www.<strong>elektronik</strong>-<strong>industrie</strong>.de<br />
22 Prozent niedriger ist der On-Widerstand der DTMOS-III-<br />
MOSFETs, verglichen mit Toshibas ersten Generation.<br />
Cree macht sich für die MOSFET-Variante stark. Nachdem der<br />
Hersteller mit dem CMF20120D Anfang des Jahres bereits einen<br />
SiC-basierten Leistungs-MOSFET in den Markt eingeführt hat,<br />
stellte der Hersteller nun die Z-FET-1200-V-SiC-Familie für niedrige<br />
Amperezahlen vor. Sie soll für erhebliche Energieersparnis bei<br />
Solar, Stromversorgungs- und Antriebs-Applikationen im Bereich<br />
von 3 bis 10 kW sorgen. Der Baustein ist bei seiner Betriebstemperatur<br />
von 100 °C für 12 A und Sperrspannungen von 1200 V spezifiziert.<br />
Bei 25 °C weist er einen R DS(on)<br />
von 160 mΩ auf.<br />
Im Vergleich zu Silizium-Schaltbausteinen mit ähnlichen Daten<br />
bleibt der R DS(on)<br />
der Komponente über den gesamten Betriebstemperaturbereich<br />
hinweg unter 200 mΩ, was zu um bis zu 50 % niedrigeren<br />
Schaltverlusten führt. Auch der Systemwirkungsgrad fällt<br />
erheblich höher aus und sorgt für weniger Wärme. Zusammen mit<br />
dem geringen Leckstrom von
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