2 Versetzungen in kristallinen Halbleitern
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<strong>Versetzungen</strong> <strong>in</strong> kristall<strong>in</strong>en <strong>Halbleitern</strong> 17<br />
aus zwei gleichartigen Zweigen gebildet. Für die Volumengleitung ergibt sich ebenfalls e<strong>in</strong>e<br />
zweizählige Symmetrie.<br />
[ 110><br />
(001)<br />
[110><br />
B(g)<br />
A(g)<br />
a) b)<br />
Abb. 2.15 Erwartete Versetzungsanordnung nach Indentierung e<strong>in</strong>er (001)-Oberfläche direkt an der Oberfläche<br />
(a) durch zwei Tangentialgleitprismen und <strong>in</strong> e<strong>in</strong>iger Tiefe (b) durch 4 Volumengleitprismen. Zu<br />
erkennen ist die charakteristische Verteilung der polaren Versetzungsanteile<br />
Obige Betrachtungen ergeben sich direkt aus dem <strong>in</strong> Kapitel 2.3.1 entwickelten<br />
Gleitprismenmodell. Experimentelle Betrachtungen <strong>in</strong> Kapitel 5.1 bestätigen die Gültigkeit<br />
dieses Modells. Auf Spezialfälle, die zu weitergehenden Betrachtungen und Verfe<strong>in</strong>erungen<br />
des Modells führen, wird dort e<strong>in</strong>gegangen.<br />
B(g)<br />
A(g)
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