2 Versetzungen in kristallinen Halbleitern
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<strong>Versetzungen</strong> <strong>in</strong> kristall<strong>in</strong>en <strong>Halbleitern</strong> 10<br />
Anordnung der aktivierten speziellen Gleitsysteme auf die Verteilung <strong>in</strong>sbesondere der<br />
polaren L<strong>in</strong>iensegmente <strong>in</strong> der Versetzungskonfiguration zu schließen.<br />
Abb. 2.6 Hexagonaler Versetzungsr<strong>in</strong>g im {111}-Gleitsystem, bestehend aus 60°-A(g)- und -B(g)- und<br />
(s,s‘)-Schraubenversetzungsanteilen. Der R<strong>in</strong>g ist <strong>in</strong> se<strong>in</strong>er dissoziierten Form dargestellt (aus [coo89]).<br />
Zusätzlich ist das Auftreten von Superk<strong>in</strong>ken skizziert.<br />
Bei der genauen theoretischen Berechnung der totalen Versetzungsenergien ist die Rekonstruktion<br />
der Versetzungskernstrukturen zu berücksichtigen [jon81].<br />
2.2.3 {111}-Gleitsysteme<br />
E<strong>in</strong>e vollständige Übersicht über die möglichen {111} Gleitsysteme bieten die zwei<br />
für die Z<strong>in</strong>kblendestruktur existierenden A- und B-Typ Thompsontetraeder [tho53, hoe97],<br />
die sich als Folge der Polarität der {111}-Ebenen ergeben. Sie s<strong>in</strong>d <strong>in</strong> Abb. 2.7 dargestellt.<br />
D<br />
[101><br />
[211><br />
D<br />
( 111)<br />
( 111)<br />
A<br />
[ 110><br />
B<br />
F<br />
<br />
[01 1><br />
< 121]<br />
[ 10 1><br />
[ 2 1 1><br />
[ 12 1><br />
<br />
C<br />
<br />
<br />
[ 211><br />
H<br />
<br />
<br />
<br />
D<br />