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3. Anforderungen an Materialien für die Verkapselung von mikroelektromechanischen<br />

Implantaten<br />

Sterilisationsverfahren Parameter Dauer Bemerkung<br />

Dampfautoklav Temp. 121-132 °C 5-45 min sehr effektiv<br />

Heißluft Temp. 140-170 °C 60-180 min einfach<br />

Bestrahlung Dosis 1,5–3,5 Mrad einige Sek. sehr effizient<br />

Ethylenoxid Temp. 25–75 °C 1–12 h niedrige Temperatur<br />

Tabelle 6 Übersicht zu den häufig verwendeten Sterilisationsverfahren und ihren<br />

Eigenschaften [12].<br />

Abwesenheit aller lebensfähigen Mikroorganismen, inklusive ihrer Dauerformen und<br />

Sporen [11]. Einen Überblick über die häufig verwendeten Sterilisationsverfahren gibt<br />

Tabelle 6. Die Verwendung eines Dampfautoklaven ist sehr effektiv, da der Dampf auch<br />

gut in kleine Poren eindringt. Die hohe Prozesstemperatur kann für Polymere nachteilig<br />

sein. Genaue Vorschriften zur Dampfsterilsation sind in DIN 58946 zu finden. Die<br />

Heißluftsterilisation ist weniger effektiv gegen Mikroorganismen und stellt auch an das<br />

Material erhöhte Temperaturanforderungen. Sie ist daher vor allem für die Sterilisation<br />

von hygroskopischen Materialien interessant. Bei der Bestrahlung sind insbesondere<br />

Gammastrahlen sehr effektiv, da sie eine sehr hohe Eindringtiefe besitzen. Sie<br />

schädigen die DNA und töten damit die Organismen. Zu beachten ist, dass die<br />

Gammastrahlung auch die Materialeigenschaften des Implantats beeinflussen kann und<br />

vor allem Polymere diesbezüglich kritisch sind. Ethylenoxid ist besonders für die<br />

Sterilisation von temperaturempfindlichen Implantaten geeignet und besitzt durch<br />

seine Gasform eine gute Eindringtiefe. Da Ethylenoxid toxisch, karzinogen und<br />

hochentzündlich ist, müssen <strong>bei</strong> der Anwendung entsprechende<br />

Sicherheitsvorkehrungen getroffen werden. Die in Tabelle 6 genannte<br />

Anwendungsdauer von bis zu 12 Stunden ergibt sich durch die lange Desorbtionszeit,<br />

die nötig ist, um sicherzustellen, dass das Implantat frei von Ethylenoxid-Rückständen<br />

ist.<br />

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