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3. Anforderungen an Materialien für die Verkapselung von mikroelektromechanischen<br />
Implantaten<br />
Sterilisationsverfahren Parameter Dauer Bemerkung<br />
Dampfautoklav Temp. 121-132 °C 5-45 min sehr effektiv<br />
Heißluft Temp. 140-170 °C 60-180 min einfach<br />
Bestrahlung Dosis 1,5–3,5 Mrad einige Sek. sehr effizient<br />
Ethylenoxid Temp. 25–75 °C 1–12 h niedrige Temperatur<br />
Tabelle 6 Übersicht zu den häufig verwendeten Sterilisationsverfahren und ihren<br />
Eigenschaften [12].<br />
Abwesenheit aller lebensfähigen Mikroorganismen, inklusive ihrer Dauerformen und<br />
Sporen [11]. Einen Überblick über die häufig verwendeten Sterilisationsverfahren gibt<br />
Tabelle 6. Die Verwendung eines Dampfautoklaven ist sehr effektiv, da der Dampf auch<br />
gut in kleine Poren eindringt. Die hohe Prozesstemperatur kann für Polymere nachteilig<br />
sein. Genaue Vorschriften zur Dampfsterilsation sind in DIN 58946 zu finden. Die<br />
Heißluftsterilisation ist weniger effektiv gegen Mikroorganismen und stellt auch an das<br />
Material erhöhte Temperaturanforderungen. Sie ist daher vor allem für die Sterilisation<br />
von hygroskopischen Materialien interessant. Bei der Bestrahlung sind insbesondere<br />
Gammastrahlen sehr effektiv, da sie eine sehr hohe Eindringtiefe besitzen. Sie<br />
schädigen die DNA und töten damit die Organismen. Zu beachten ist, dass die<br />
Gammastrahlung auch die Materialeigenschaften des Implantats beeinflussen kann und<br />
vor allem Polymere diesbezüglich kritisch sind. Ethylenoxid ist besonders für die<br />
Sterilisation von temperaturempfindlichen Implantaten geeignet und besitzt durch<br />
seine Gasform eine gute Eindringtiefe. Da Ethylenoxid toxisch, karzinogen und<br />
hochentzündlich ist, müssen <strong>bei</strong> der Anwendung entsprechende<br />
Sicherheitsvorkehrungen getroffen werden. Die in Tabelle 6 genannte<br />
Anwendungsdauer von bis zu 12 Stunden ergibt sich durch die lange Desorbtionszeit,<br />
die nötig ist, um sicherzustellen, dass das Implantat frei von Ethylenoxid-Rückständen<br />
ist.<br />
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