Strahlenschäden und Strahlenhärte von Halbleiterdetektoren

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Abbildung 14: Entstehung von Fixed Oxide Charges.
Elektronen-Akkumulationsschicht bilden. Auf Streifendetektoren verbindet diese Schicht die
Auslesestreifen des Detektors und verursacht eine erhöhte Zwischenstreifenkapazität.
13 MOSFET
Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistoren sind Hauptbestandteil der Ausleseelektronik
und arbeiten wie spannungsgesteuerte Widerstände mit drei Anschlüssen: Gate (G),
Source (S) und Drain (D).
Abbildung 15: Aufbau eines MOSFETs.
Ab einer bestimmten Gate-Spannung, kann zwischen S und D ein Strom fließen. Enstehen
nun aber im Oxid aufgrund der Strahlung positive Aufladungen, muss man den
Arbeitspunkt der Gate-Spannung nachregulieren. Die Spannung am Gate, die die Oxidla-