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Effet tunnel dépendant du spin : Des simples aux doubles ... - LPM

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Intro<strong>du</strong>ction, généralités<br />

direction de détection unique (perpendiculaire à l'axe de facile aimantation) 1 . La réponse en<br />

champ s'effectue alors par rotation de l'aimantation autour de la direction facile et est donc<br />

dépourvue d'hystérésis. Pour assurer une sensibilité maximale et linéaire, il est nécessaire<br />

d'avoir un angle de 90° entre la direction facile et la direction dans laquelle est bloquée la<br />

couche <strong>du</strong>re.<br />

Le blocage de la couche <strong>du</strong>re est souvent assuré par couplage d'échange avec un<br />

antiferromagnétique (cf. II.2.2). Il est également possible d'amplifier artificiellement la<br />

coercitivité de la couche avec un système antiferromagnétique artificiel [NOG 99] ou par une<br />

anisotropie de forme importante [ENC 99] . L'anisotropie de la couche sensible est la plupart <strong>du</strong><br />

temps fixée par un champ pendant le dépôt. Mais il est également possible de la fixer par une<br />

anisotropie de forme ou magnétocristalline dans les structures épitaxiées [SCH 95] . Nous<br />

mettrons également en oeuvre une méthode plus originale utilisant des substrats à topologie<br />

mo<strong>du</strong>lée au chapitre III.<br />

Pour la détection basse fréquence (détection magnétique et capteurs mécaniques), le<br />

facteur limitant la résolution n'est pas le bruit électrique ou magnétique mais la dérive<br />

thermique. En effet, dans les dispositifs métalliques, la variation thermique de la résistance est<br />

typiquement de 0,3 %/K alors que la sensibilité est de l'ordre <strong>du</strong> %/G (10 -5 %/nT). Avec les<br />

jonctions <strong>tunnel</strong>, la dépendance en température est atténuée mais toujours trop importante<br />

pour des résolutions de l'ordre <strong>du</strong> nT. <strong>Des</strong> ponts de résistances permettent de limiter cette<br />

dérive thermique. Le pont doit contenir deux éléments sensibles et deux éléments à réponse<br />

opposée [SPO 96] ou nulle [DAU 94] . Pour les têtes de lecture, la fréquence <strong>du</strong> signal est bien plus<br />

importante que les variations thermiques, si bien qu'un simple filtrage passe-haut permet de<br />

s'en affranchir. Par contre, le capteur est un système bien plus complexe puisqu'il intègre des<br />

dispositifs de couplage magnétique entre le médium et la couche sensible [COE 96, TSA 94, GRO 96] .<br />

I.3.2 Mémoires<br />

Depuis les années 70, les matéri<strong>aux</strong> magnétiques sont un support privilégié de<br />

l'information. <strong>Des</strong> mémoires de ferrite des premiers ordinateurs <strong>aux</strong> disquettes, disques <strong>du</strong>rs et<br />

bandes magnétiques, les capacités de stockage n'ont cessé d'augmenter 2 . L'utilisation de têtes<br />

de lecture magnétorésistives a contribué à cette augmentation. L'utilisation <strong>du</strong> même élément<br />

magnétique pour le stockage et la lecture de l'information au sein de dispositifs tout solide<br />

permettrait de diminuer considérablement les temps d'accès. On concilie ainsi la non-volatilité<br />

<strong>du</strong> stockage magnétique à la vitesse et à la souplesse des mémoires semi-con<strong>du</strong>ctrices dans<br />

des mémoires magnétiques ou MRAM. Par rapport <strong>aux</strong> autres mémoires non volatiles<br />

existantes (essentiellement Flash et ferroélectrique), les MRAM laissent espérer une plus<br />

grande robustesse. Rien ne semble limiter le nombre de cycles d'écriture. La résistance <strong>aux</strong><br />

radiations des éléments magnétiques en fait un élément de stockage de choix pour l'aérospatial.<br />

<strong>Des</strong> MRAM basées sur des éléments GMR sont d'ores et déjà commercialisées (par<br />

Honeywell notamment).<br />

L'utilisation de jonctions <strong>tunnel</strong> magnétorésistives devrait permettre d'améliorer encore<br />

les performances. Les plus grandes valeurs de magnétorésistance obtenues vont permettre de<br />

diminuer les temps d'accès. Mais c'est surtout au niveau de la densité d'intégration que les<br />

progrès sont atten<strong>du</strong>s. En effet, la géométrie de mesure perpendiculaire au plan des couches<br />

1 Pour certains capteurs de position angulaire, le champ créé par l'objet à détecter est suffisamment important<br />

pour saturer la couche sensible. Sans anisotropie magnétique, la résistance est alors directement reliée à la<br />

position de l'objet. Pour ce type de capteurs, la difficulté consiste à assurer une rigidité suffisante à la couche<br />

fixe.<br />

2 Sans oublier la révolution technique et culturelle de l'enregistrement magnétique analogique audio et vidéo.<br />

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