Effet tunnel dépendant du spin : Des simples aux doubles ... - LPM

Elaboration de jonctions tunnel
Fig. 13 : Procédé technologique utilisé dans le groupe d'IBM (d'après
[GAL 97b])
Les différences entre procédés viennent bien sûr essentiellement de la géométrie
(éventuellement définie à l'échelle nanométrique par lithographie électronique [RIS 97] ), de la
nature des matériaux, ainsi que de la méthode de gravure utilisée (gravure ionique principalement
mais aussi gravure chimique sélective [BOB 98] ). L'ouverture de l'isolant est souvent
réalisée par lift-off autoaligné (cf. II.3.1) comme sur la figure 13 mais peut également être
réalisée par gravure [BOE 98] . Un brevet IBM [GAL 97] envisage également d'ouvrir l'isolant par
polissage mécano-chimique, technique utilisée pour les dernières générations de circuits
intégrés. Il existe aussi des procédés différents comme celui développé au CEA [VIR 97] , basé
sur une géométrie croix (la surface de la jonction est définie par l'intersection des deux
électrodes). Ce procédé autoaligné se limite à deux étapes de lithographie.
Du fait des restrictions de notre système de gravure (cf. II.3.2), il nous est plus facile
de commencer par définir les jonctions et ensuite l'électrode inférieure. Bien sûr ce faisant, il
est compliqué d'utiliser un isolant autoaligné. Nous avons veillé à limiter les températures des
différentes opérations afin de ne pas modifier de façon incontrôlée la structure des jonctions.
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