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Les Nanotechnologies : - Page personnelle de Christian J. Bordé

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<strong>Les</strong> <strong>Nanotechnologies</strong> 24 novembre 2002Exemples <strong>de</strong> nano-objets :ci <strong>de</strong>ssus : schéma <strong>de</strong> principe pour la mesure <strong>de</strong>conductivité d'une couche bidimensionnelled'électrons (en rouge) au sein d'une structuresemi-conductrice en forme <strong>de</strong> nanofil.ci-contre : schéma <strong>de</strong> principe d'unenanostructure pour l'optique intégrée. <strong>Les</strong>photons sont confinés verticalement au seind'une couche <strong>de</strong> haut indice optique au milieu <strong>de</strong>la structure, et guidés horizontalement par uncristal photonique à <strong>de</strong>ux dimensions. En<strong>de</strong>ssous, vue <strong>de</strong> <strong>de</strong>ssus au microscopeélectronique d'une réalisation en arséniure <strong>de</strong>gallium.La figure ci-contre montre la succession <strong>de</strong>sétapes à réaliser. Détaillons la pour le nanofil. Onpart <strong>de</strong> la structure semi-conductricebidimensionnelle (étape 1) , et on dépose unerésine photosensible (étape 2) que l’on va insoleravec une précision <strong>de</strong> 10 nm (le plus souventgrâce au faisceau d’électrons d’un microscopeélectronique appelé masqueur). On grave la résineinsolée, et on dépose une couche métallique(étape 4). En attaquant sélectivement la résine noninsolée on enlève le métal qui a été déposé<strong>de</strong>ssus, et ne reste que le fil métallique qui a étédéposé dans la tranchée gravée <strong>de</strong> résine (étape5). C’est le procédé « lift-off » <strong>de</strong> dépôt localisé. Ongrave alors sélectivement la surface du semiconducteurnon protégée par le métal, et on graveensuite sélectivement le métal (étape 7). On vaenfin réaliser les contacts métalliques par unesuccession d'étapes similaires : dépôts (<strong>de</strong>matériaux métalliques, d'isolants, et <strong>de</strong> résine),insolation et gravure. Pour réaliser le cristalphotonique, on a une succession d’opérations<strong>Les</strong> étapes <strong>de</strong> nanofabrication du dispositif <strong>de</strong>mesure d'une structure semi-conductrice en forme<strong>de</strong> nanofil.similaires avec dépôts <strong>de</strong> résines, insolation, gravure sélective. La technologie est ici assez répétitive ; une foisque l’on sait réaliser les objets aux bonnes dimensions, la recherche porte sur l’étu<strong>de</strong> <strong>de</strong> matériaux différents,<strong>de</strong>s géométries variées, et peu ou pas sur l’amélioration du procédé.En ce qui concerne les micro fabrications <strong>de</strong> routine pour étudier <strong>de</strong>s nano objets, un exemple peut être celui<strong>de</strong>s polymères électroluminescents, très étudiés pour faire <strong>de</strong>s écrans plats <strong>de</strong> prochaine génération : un <strong>de</strong>sproblèmes majeurs est <strong>de</strong> contrôler les architectures <strong>de</strong> couches pour améliorer l’efficacité <strong>de</strong> l’injection <strong>de</strong>sporteurs <strong>de</strong> charge à partir d’électro<strong>de</strong>s. On dépose donc par <strong>de</strong>s techniques d’auto organisation à l’échellemoléculaire <strong>de</strong>s couches successives <strong>de</strong> polymères (figure ci-<strong>de</strong>ssous, à gauche), dont on observe lesstructures par <strong>de</strong>s techniques <strong>de</strong> microscopie, et on mesure les propriétés électriques et optoélectroniques par<strong>de</strong>s structures permettent <strong>de</strong> réaliser <strong>de</strong>s contacts électriques. La seule chimie ne permet pas <strong>de</strong> vali<strong>de</strong>rl’approche choisie pour fabriquer la structure. Il faut démontrer la fonctionnalité électro-optique, en l’occurrenceune électroluminescence à haut ren<strong>de</strong>ment. Mais cela suppose <strong>de</strong> nombreuses étu<strong>de</strong>s électriques et électrooptiquespréliminaires avec <strong>de</strong>s structures du type représenté ci-<strong>de</strong>ssous, à droite.Académie <strong>de</strong>s technologies, 28 rue Saint Dominique, Paris 7 ème 25Tel : 33 1 53 85 44 44/ Fax : 33 1 53 85 44 45Mail :http://www.aca<strong>de</strong>mie-technologies.fr

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