Sujet de Doctorats 2013 - IEMN

Titre : Hétérostructures III-V à base d’antimoine pour la réalisation de transistors à effet tunnelAntimony based III-V heterostructures for tunnel FET transistorsFinancement prévu : ANRCofinancement éventuel :(Co) Directeur de thèse : Xavier WALLARTE-mail : xavier.wallart@iemn.univ-lille1.frCo-directeur de thèse :E-mail :Laboratoire : IEMNGroupe de recherche : Epitaxie et Physique des hétérostructures (EPIPHY)Descriptif :Les limitations physiques auxquelles fait face la technologie CMOS, actuellement réduite à l’échellenanométrique, conduisent au développement de nouveaux composants quantiques appelés Transistors àeffet Tunnel (TFET). Différents matériaux ont été proposés et utilisés pour la réalisation de ce type decomposant, basés en particulier sur les technologies Silicium existantes ou sur des structures III-V àhomojonctions. Les hétérostructures antimoniées III-V offrent une large gamme de discontinuités debandes énergétiques, ainsi que l’accès à des matériaux à faible bande interdite comme l’InAs. Nousproposons donc d’étudier les potentialités de cette filière de matériaux pour la réalisation de structuresverticales TFET innovantes permettant un fonctionnement rapide à faible tension d’alimentation.Abstract :Recently a new quantum mechanical device called Tunnel Field Effect Transistor (TFET) has gainingmore and more interest as the classical CMOS FET technology faces some physical limits into thenanoscale. Different materials have been proposed to realize this kind of device, in particular Siliconbased technologies or III-V homojunctions. As antimony based III-V heterostructures offer a largechoice of band offsets and low bandgap materials, we propose to investigate the potentialities of thiskind of materials for the realization of a high speed and low power consumption vertical TFET device.50