Sussidi Amplificator.. - dieet

13Il gate è posto a massa tramite la resistenza R G , tuttavia poiché la corrente di gate è sempretrascurabile, si haV G = 0 .(S.5)Allora l’equazione alla maglia d’ingresso è la seguenteV GS = V G – V S = – R S I D .(S.6)Questa è l’equazione di una retta nel piano delle transcaratteristiche I D -V GS . Le intersezioni con ledue transcaratteristiche minime e massime sono i due punti Q 1 e Q 2 , che corrispondono ai valorilimite che il punto di riposo può assumere a causa della dispersione delle caratteristiche. La correntedi drain adesso dipende dalla pendenza della retta, cioè da R S ; è ovviamente auspicabile che lapendenza sia quanto minore possibile – ossia R S quanto più grande possibile – in modo che lacorrente di drain sia stabile. Il problema è che, in tal modo, per ottenere un punto di riposo stabile sideve limitare eccessivamente la corrente di drain.Uno dei metodi migliori per polarizzare un FET è sicuramente tramite une rete di polarizzazionea 4 resistenze (o a divisore di tensione), riportata in Fig. S.8a. Se alla sezione d’ingresso sisostituisce il circuito equivalente di Thevenin, si ottiene lo schema equivalente di Fig. S.8b. Latensione di Thevenin V TH e la resistenza equivalente di Thevenin R TH sono rispettivamente date daVR , (S.7)2THV DDR1 R2R R1 2R // TH R1 R2 . (S.8)R1 R2La tensione V TH coincide con la tensione con la tensione sul gate V G ; pertanto la tensione sul sourceV S si può scrivere comeV S = V TH – V GS ,(S.9)da cui si ricava la corrente di drain:IVVVS TH GSD IS . (S.10)RSRSDiagrammando questa retta nel piano I D -V GS si hanno due intersezioni con le transcaratteristicheminima e massima, come mostrato in Fig. S.8c. In questo caso, la corrente I D varia molto poco traQ 1 e Q 2 e se V TH » V GS la corrente di drain si può considerare praticamente costante. Si noti chetanto più la tensione V TH è grande, tanto più la retta è orizzontale (e il punto di riposo è stabile).