Sussidi Amplificator.. - dieet

37Pure la resistenza d’uscita R o si può ricavare con lo stesso procedimento descritto per ottenere la(S.51), cioè R o = R E //1 . (S.55)Il calcolo della resistenza d’ingresso è lievemente differente da quello effettuato perl’inseguitore di source, a causa della r che collega l’ingresso con l’uscita. Poiché il circuito(dinamico) d’ingresso dell’inseguitore di emettitore non differisce da quello dell’amplificatore adoppio carico a BJT (Fig. S.23), allora la resistenza d’ingresso è la stessa, vale a direavendo postoRL= R L //R E .g mR i = R B // [r + (1 + ) R ] ≈ R B ,In conclusione, le caratteristiche dell’amplificatore a collettore comune sono le seguenti:L(S.56)1. Resistenza d’uscita bassa, dell’ordine di poche decine di . Nei BJT può sensibilmentedipendere dalla resistenza interna del generatore di segnale, se questi ha un’uscita ad altaimpedenza. Nei casi pratici, essa è praticamente uguale all’inverso della transconduttanzadel transistor: nei JFET, dove valori tipici di g m sono dell’ordine di 1-2 mS, si ha R o = 0,5-1k; nei BJT con g m ≈ 100 mS, si ha R o ≈ 10 .2. Resistenza d’ingresso elevata sia nel caso di FET, che di BJT, coincidente con il paralleloR 1 //R 2 . La resistenza d’ingresso si può ulteriormente aumentare tramite alcune piccolemodifiche della configurazione a collettore comune (che in tal caso prende il nome dicircuito di “bootstrap”).3. Amplificazione di tensione ≈ 1 e senza sfasamento del segnale d’uscita per entrambi itransistor. Poiché l’amplificazione, per tutti e due i tipi di transistor, è praticamente unitariaanche per valori relativamente bassi di R L , la distorsione è praticamente nulla. Il segnaled’uscita v o , in fase con v i e di ampiezza all’incirca uguale, tende pertanto ad inseguirnel’andamento. In realtà, nel caso dei FET, per il calcolo di R o si era del tutto trascurata l’influenza della resistenza interna delgeneratore R s , infatti lo schema equivalente di Thevenin di Fig. S.26b non includeva in alcun modo la resistenza R s(altrimenti, il generatore avrebbe dovuto erogare una tensione pari a A T v s , invece di Av i ). A rigore, ciò ha senso nei FETperché la resistenza d’ingresso è molto elevata, sicuramente più della resistenza interna del generatore. Con i transistorciò non è detto, perché la resistenza d’ingresso è sempre più bassa (visto che il partitore d’ingresso non può essere resogrande quanto si vuole per motivi di stabilità). Considerando la resistenza R s si può calcolare facilmente (omettiamo icalcoli) che( Rs// RB) rR o = R E //. (S.55bis)1Chiaramente, se – come avviene spesso – si considera R s « R B , R s « r , 1 + ≈ , allora ricordando che g m = /r , siottiene di nuovo la (S.55).