Sussidi Amplificator.. - dieet

19Fig. S.12 – Funzionamento di un amplificatore per piccoli segnali a FETTale coefficiente angolare costituisce la transconduttanza g m , alla quale si era già accennato nelCap. 3. Essa può essere calcolata come la derivata della corrente totale di collettore i D rispetto allatensione totale applicata tra gate e source v GS , calcolata in corrispondenza della tensione v GS nelpunto di riposo (V GS ). In sintesi:gmivdgsivDGSvGS VGSGSt 2 K V V. (S.18)In un MOSFET il parametro K dipende dalle dimensioni del canale in base alla1K C2oxW ; sostituendo quest’ultima nella (S.18) si ottiene L gmW CoxVGSVt. (S.19)LPertanto per ottenere una transconduttanza relativamente grande il dispositivo deve essere corto(L piccolo) e largo (W grande). Essa dipende anche da (V GS – V t ), cioè da quanto la tensione dipolarizzazione V GS supera quella di soglia; tuttavia per aumentare g m , non conviene aumentaretroppo V GS poiché si riduce la dinamica del segnale d’uscita (il punto di riposo sale sulla retta dicarico verso la regione di triodo).Valori tipici di g m per MOSFET ordinari (esclusi, cioè, quelli di potenza) sono dell’ordine diuna decina di mS (e ancora minori, nel caso di JFET). Nei BJT la transconduttanza è sensibilmentepiù grande, quasi due ordini di grandezza maggiore.