Sussidi Amplificator.. - dieet

21La resistenza r è la resistenza d’ingresso del transistor ed è ovviamente uguale a v be /i b . Ilgeneratore di corrente è pilotato in corrente (i b ): esso rappresenta la corrente i c che (in zona lineare)è uguale a i b . Tuttavia, vista la reciproca dipendenza di v be da i b , si può anche immaginare che ilgeneratore di corrente sia pilotato dalla tensione v be , anziché dalla corrente i b . Poichéi b = v be /r ,(S.20)la corrente i c fornita dal generatore pilotato valeavendo postoicvbe ib gmvbe, (S.21)rg m . (S.22)rLa grandezza g m prende il nome di transconduttanza ed è analoga a quella del FET (eccetto che perl’ordine di grandezza, che nei BJT può essere tipicamente un centinaio di mS). Lo schema diFig. S.14 resta pertanto valido se, al posto del generatore di corrente i b pilotato in corrente, sisostituisce un generatore di corrente g m v be pilotato in tensione (Fig. S.15).Fig. S.15 – Modello per piccoli segnali del BJT (con generatore di corrente pilotato in tensione)Come amplificatore di piccoli segnali, il transistor opportunamente polarizzato viene inserito trauna sorgente di segnale v s con resistenza interna R s ed un utilizzatore (carico) caratterizzato dallasua resistenza R L . Questa situazione è illustrata dallo schema generale di Fig. S.16 nel qualecompaiono due capacità C a1 e C a2 , dette di accoppiamento, con il compito di evitare che la sorgentedi segnale ed il carico siano percorsi dalla corrente continua presente nella rete di polarizzazione,cosa che in molti casi può essere dannosa. Allo stesso tempo il punto di riposo risulta cosìindipendente da R s e da R L , il che rende più semplice il dimensionamento della rete dipolarizzazione. In questa sezione, supporremo che le capacità siano di valore infinito, cioè X C ≈ ,