Sussidi Amplificator.. - dieet

25maggiore di quella di un FET (a meno che non si tratti di un MOSFET di potenza), per cuil’amplificazione risulta più grande per un BJT.I due tipi di amplificatori differiscono invece parecchio per quanto riguarda la resistenzad’ingresso. Per un FET, dallo schema di Fig. S.17b discende immediatamente che la resistenzad’ingresso R i valeR i = R G = R 1 //R 2 ;(S.29)per i BJT, dallo schema di Fig. S.18b deriva inveceR i = R B //r = R 1 //R 2 //r .(S.30)Risulta evidente come, nel caso dei BJT, non sia possibile ottenere una resistenza d’ingressogrande a piacimento, semplicemente agendo su parametri esterni (vale a dire R 1 e R 2 ); in altritermini, la resistenza d’ingresso dell’amplificatore R i è “limitata” dalla resistenza d’ingresso deltransistor r , il cui valore tipico è poco più di 1 k. Ovviamente, per ottenere la massima resistenzad’ingresso, R 1 e R 2 vanno dimensionati in modo che siano almeno di un ordine di grandezzamaggiori di r e risulti pertantoR i ≈ r .(S.31)Ma per quale motivo in un amplificatore di tensione siamo così tanto interessati ad avere unaresistenza d’ingresso elevata? E – aggiungiamo – una resistenza d’uscita piccola? Per capire questoimportante concetto, consideriamo nuovamente l’amplificatore ad emettitore comune, questa voltacon l’inserzione di una resistenza di carico R L in uscita e con un generatore di segnale reale, vale adire con una sua resistenza interna R s in ingresso. L’amplificatore completo è rappresentato in Fig.S.19a, insieme al suo schema equivalente (Fig. S.19b).r i ba) b)Fig. S.19 – a) Amplificatore a emettitore comune completo (con resistenza di caricoe generatore disegnale con resistenza interna). b) Schema equivalentedinamico