Emil SOFRON PARTEA a I

Recommendations

Info

j j şi p pd j p ( l ) qD Fig. 2.4 – a) Model de JS cu polarizare directă. b) Aproximaţia pentru nivele mici de injecţie ( n n 0 n p ( l p ) p p0 ) – conform principiului cvasineutralităţii electrice, excesul de purtători minoritari atrage un exces echivalent de purtători mojoritari (pn-pn0 nn –nn0 şi np-np0 pp –pp0 ) c) Diagrama cu toate componentele de curent ilustrate prin prin densităţi de curent. d) Diagramele de energie cu cvasinivele Fermi (WFp şi WFn). n 15 p dp n dx xl n p ( l ) nn şi La estimarea concentraţiei de purtători pn(x) se integrează ecuaţia de continuitate aferentă, valabilă în regim de lucru staţionar/cvasistaţionar ( pn / t 0 ) şi fără surse externe de generare (Gp = 0), 2 p 0 1 dj n pn pn p pn pn0 1 d dpn d ( pn pn0 ) pn pn0 qDp 0 şi 0 2 2 t q dx q dx dx dx L p p unde Lp Dp p este lungimea de difuzie a golurilor în zona neutră n a unei JS (pentru zona p a aceleiaşi JS se utilizează lungimea de difuzie a electronilor Ln Ecuaţia obţinută acceptă o soluţie de forma: Dn n - fig. 2.4 b). x ln pn ( x) pn0 pn0 pn ( ln ) pn0 exp Lp care permite estimarea densităţii de curent j p ( ln ) cu relaţia: p
j dp n p ( ln ) qD p = dx xl n 16 qD p p ( l ) p Estimarea concentraţiei de purtători p n ( ln ) necesită utilizarea diagramei pentru benzi de energie cu cvasinivele Fermi (fig. 2.4 d): W W qV Fn W W qV n qV qV p l n l p l n n n şi p l p 2 2 Fn Fp 2 J i J J n ( n ) n ( n ) n ( n ) n0iexpiexp n ( n ) exp n0exp kBT kBT nn0 kBT kBT Fp Cu rezultatul obţinut pentru concentraţia de purtători p n ( ln ) , componenta densităţii de curent j p ( ln ) are expresia: j p ( ln ) pn0 qVJ qDp exp 1 Lp kBT unde Lp este lungimea de difuzie a golurilor în zona n a unei JS (fig. 2.4 b). Componenta densităţii de curent jn ( l p ) se calculează cu un algoritm similar cu cel utilizat pentru componeta j p ( ln ) , obţinându-se expresia: np0 qVJ jn ( l p ) qDn exp 1 Ln kBT unde Ln este lungimea de difuzie a electronilor în zona p a unei JS (fig. 2.4 b). Componenta densităţii de curent j gr (corespunzătoare curentului de generare-recombinare din RSES) se evaluează pe baza modelului Shockley-Read-Hall de generare-recombinare a l x , ), utilizând ecuaţia de continuitate a purtătorilor de sarcină (cu RSRH constant pentru acestora în acelaşi regim de lucru [regim staţionar/cvasistaţionar ( p / t 0) şi fără surse externe de generare (Gp = 0)], astfel: j j p ( l p ) j p ( ln ) unde R SRH t dj dj gr J n p n l p 1 p p ln ln RSRH 0, qRSRH şi dj p l l q dx dx p n L p n0 p qR SRH dx j 2 qVJ n exp 1 2 i pn ni kBT n0 t p0 t , 0 i n0 n0 0 p t n t n i p p ( n n ) p( x) n( x) 2n gr
Page 1 and 2: DISPOZITIVE ELECTRONICE CU SEMICOND
Page 3 and 4: CAPITOLUL 3 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 5 and 6: 1.2. Siliciu ca material semiconduc
Page 7 and 8: 1.4. Electroni şi goluri în semic
Page 9 and 10: (purtători/cm 3 ) la NETD şi 6
Page 11 and 12: Fig. 1.9 - Modele de semiconductoar
Page 13 and 14: difuziei); mărimile n F = - Dnn ş
Page 15 and 16: Fig. 2.2 - a) Un model unidimension
Page 17: câmpul electric extern ( J E ) are
Page 21 and 22: curent-tensiune pentru o JS polariz
Page 23 and 24: Wg qVJ unde T 0 reprezintă o tem
Page 25 and 26: 2.2.2. Comportarea fizică pentru C
Page 27 and 28: metal, care escaladează bariera de
Page 29 and 30: qN qN qN 2 s s A A A s Vox Eoxxo
Page 31 and 32: CAPITOLUL 3 DISPOTIVE ELECTRONICE C
Page 33 and 34: De exemplu, estimarea rezistenţei
Page 35 and 36: I D qVD I exp 1 0 - ecuaţia
Page 37 and 38: Principalele tipuri structurale de
Page 39 and 40: La condiţiile prestabilite anterio
Page 41 and 42: Neglijând componentelor de recombi
Page 43 and 44: espectiv Fig. 3.17 - Scheme electri
Page 45 and 46: Fig. 3.22 - Caracteristicile static
Page 47 and 48: 3.2.3. Circuite de polarizare în c
Page 49 and 50: În figura 3.27 (a şi b) se prezin
Page 51 and 52: Fig. 3.29 - Modele structurale şi
Page 53 and 54: III - zonă cu regim de lucru în s
Page 55 and 56: 2 2 VGS 1 ID IDSS 1 91 4mA V
Page 57 and 58: Fig. 3.34 - a) Circuit de polarizar
Page 59 and 60: Tensiunea de prag, menţionată ant
Page 61 and 62: Fig. 3.37 - Circuit de polarizare
Page 63 and 64: CAPITOLUL 4 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 65 and 66: Exemplu numeric. Pentru un PSF dat
Page 67 and 68: unde C A A C C , iar C C pentr
Page 69 and 70:
prin diferenţială iT iT i ( v , v
Page 71 and 72:
unde Fig. 4.7 - Un model de cuadrip
Page 73 and 74:
În figura 4.10 se prezintă răspu
Page 75 and 76:
4.3. Tranzistoare unipolare (TU) î
Page 77 and 78:
şi r 1 d 2 VGS IDSS1IDpentru T
Page 79 and 80:
Exemplu numeric. Cu parametrii natu
Page 81 and 82:
id gm Ym vgs 2 vds o f 1 f
Page 83 and 84:
La dispozitive electronice de puter
Page 85 and 86:
putere medie şi mare poate să ope
Page 87 and 88:
şi Evaluările numerice la punctul
Page 89 and 90:
5.3.2. Caracterizarea regimului ter
Page 91:
19. E . Sofron (autor si coordonato
show all

Emil SOFRON PARTEA a I

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?