Emil SOFRON PARTEA a I

unde
I
EB 0
1
F
R
I
ES
I CB0
şi I CS
1
sunt curenţii de saturaţie la joncţiunile de emitor şi de colector, R reprezintă factorul de
amplificare în curent invers pentru un TB în RAI – conexiunea BC (la care IC este mărime de
intrare şi IE - mărime de ieşire), iar I EB 0 şi I CB0
sunt curenţi reziduali (la joncţiunea JE, respectiv
la joncţiunea JC) cu semnificaţiile precizate în figura 3.9.
Cu ajutorul relaţiilor din acest model se poate defini următorul set de parametri:
I I
,
EB 0 E IC
0,
VEB
0
( BE
1)
0
( B 0)
1
39
I
F
I
R
CB0
C I E 0,
VCB
0
( BC
1)
I E
1 I C
1
1
R
, 1
I C
F
,
R I E
F
V
EB
E
I E
I
R
, F
I
I
B VEB
0
( VCB
0)
C
V
CB
0
( B 0)
C
B VCB
0
( VEB
0)
unde R este factorul de amplificare în curent invers pentru un TB în RAI - conexiunea EC
şi
I ES I E
, I
V 0,
V 0
( B 1)
CS IC
V 0,
V 0
( B 1)
CB
EB
E
care sugerează şi realizarea unor scheme electrice de măsurare în laborator (fig. 3.15, 3.16, 3.17
şi 3.18):
Fig. 3.15 – Scheme electrice de măsurare pentru curenţii reziduali la jocţiunile JE (a) şi JC (b) cu PI.
Fig. 3.16 – Scheme electrice de măsurare pentru parametrii R (a) şi F (b) la TB.
EB
CB
C
1