Emil SOFRON PARTEA a I
Emil SOFRON PARTEA a I
Emil SOFRON PARTEA a I
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
3.3. Tranzistoare unipolare (TU) în regim static<br />
Tranzistoarele unipolare (TU sau TEC – Tranzistoare cu Efect de Câmp) sunt dispozitive<br />
electronice cu canale de conducţie (de tip n – cu conducţie prin electroni sau de tip p – cu<br />
conducţie prin goluri) şi cu trei terminale (S – sursă, D – drenă şi G - poartă) – când terminalul<br />
G este plasat pe două JS laterale – numite dispozitive de tip TEC-J (fig. 3.28) sau cu patru<br />
terminale (S – sursă, D – drenă, G – poartă şi B – substrat sau Background) – când terminalul<br />
G este plasat peste un strat de Oxid – numite dispozitive de tip TEC-MOS (fig. 3. 29), care<br />
prezintă o comportare electrică diferită (liniară, cvasiliniară şi neliniară) în funcţie de modul de<br />
polarizare în c.c. Mărimea curentului prin canalele de conducţie (delimitate între terminalele S şi<br />
D) este controlată de un câmp electric transversal (generat prin potenţialul electric aplicat pe<br />
terminalul de poartă) pe direcţia de curgere a purtătorilor mobili de sarcină (care sunt generaţi la<br />
terminalul de sursă şi drenaţi la terminalul de drenă). Conductivitatea canalelor de conducţie este<br />
definită prin geometria aferentă acestora şi prin rezistivitatea semiconductorului utilizat.<br />
3.3.1. Tipuri de tranzistoare unipolare (TU)<br />
În practică sunt cunoscute două tipuri fundamentale de structuri fizice pentru TU: de tip<br />
TEC-J (cu canale complementare de tip p sau n – situate în volumul semiconductorului) şi de tip<br />
TEC-MOS (cu canale complementare de tip p sau n – iniţiale şi/sau induse - situate la suprafaţa<br />
semiconductorului).<br />
Principalele tipuri de TU (TEC-J şi TEC-MOS) – cu simbolurile aferente - prezintă<br />
anumite particularităţi fizice, care se pot explicita prin următoarele zone structurale:<br />
- zone laterale (de tip n + , respectiv de tip p + – la structurile de tip TEC-J din fig. 3.28),<br />
care delimitează geometria canalelor de conducţie (cu concentraţii mai mici de impurităţi) pe care<br />
se plasează terminalele de poartă;<br />
Fig. 3.28 – Modele structurale şi simboluri utilizate pentru TU de tip TEC-J canal p (a – structură fizică şi b –<br />
simbol utilizat) şi de tip TEC-J canal n (c – structură fizică şi d – simbol utilizat).<br />
47