04.06.2013 Views

Emil SOFRON PARTEA a I

Emil SOFRON PARTEA a I

Emil SOFRON PARTEA a I

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

3.3. Tranzistoare unipolare (TU) în regim static<br />

Tranzistoarele unipolare (TU sau TEC – Tranzistoare cu Efect de Câmp) sunt dispozitive<br />

electronice cu canale de conducţie (de tip n – cu conducţie prin electroni sau de tip p – cu<br />

conducţie prin goluri) şi cu trei terminale (S – sursă, D – drenă şi G - poartă) – când terminalul<br />

G este plasat pe două JS laterale – numite dispozitive de tip TEC-J (fig. 3.28) sau cu patru<br />

terminale (S – sursă, D – drenă, G – poartă şi B – substrat sau Background) – când terminalul<br />

G este plasat peste un strat de Oxid – numite dispozitive de tip TEC-MOS (fig. 3. 29), care<br />

prezintă o comportare electrică diferită (liniară, cvasiliniară şi neliniară) în funcţie de modul de<br />

polarizare în c.c. Mărimea curentului prin canalele de conducţie (delimitate între terminalele S şi<br />

D) este controlată de un câmp electric transversal (generat prin potenţialul electric aplicat pe<br />

terminalul de poartă) pe direcţia de curgere a purtătorilor mobili de sarcină (care sunt generaţi la<br />

terminalul de sursă şi drenaţi la terminalul de drenă). Conductivitatea canalelor de conducţie este<br />

definită prin geometria aferentă acestora şi prin rezistivitatea semiconductorului utilizat.<br />

3.3.1. Tipuri de tranzistoare unipolare (TU)<br />

În practică sunt cunoscute două tipuri fundamentale de structuri fizice pentru TU: de tip<br />

TEC-J (cu canale complementare de tip p sau n – situate în volumul semiconductorului) şi de tip<br />

TEC-MOS (cu canale complementare de tip p sau n – iniţiale şi/sau induse - situate la suprafaţa<br />

semiconductorului).<br />

Principalele tipuri de TU (TEC-J şi TEC-MOS) – cu simbolurile aferente - prezintă<br />

anumite particularităţi fizice, care se pot explicita prin următoarele zone structurale:<br />

- zone laterale (de tip n + , respectiv de tip p + – la structurile de tip TEC-J din fig. 3.28),<br />

care delimitează geometria canalelor de conducţie (cu concentraţii mai mici de impurităţi) pe care<br />

se plasează terminalele de poartă;<br />

Fig. 3.28 – Modele structurale şi simboluri utilizate pentru TU de tip TEC-J canal p (a – structură fizică şi b –<br />

simbol utilizat) şi de tip TEC-J canal n (c – structură fizică şi d – simbol utilizat).<br />

47

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!