Emil SOFRON PARTEA a I

Recommendations

Info

R SRH qV qV qV p( x) n( x) n exp şi p( x) n( x) n exp p exp 2 J J J i i n0 kBT 2kBT kBT 2 qVJ 2 qVJ ni exp 1ni exp 1 kBTkBTni qVJ exp 1 p( x) n( x) 2n qV 2 2kT 0 i J 0 B 2 0ni exp 1 2kBT ln ln n i qVJ jgr djp qRSRH dx qRSRH ( ln lp ) qRSRH lJ q lJ exp 1 l p lp 20 2kBT În baza rezultatelor obţinute anterior, caracteristica ) i J ( vJ în curent continuu (c.c. – adică pentru iJ analitică: I J şi vJ VJ ) la o JS (cu aria transversală AJ) polarizată direct are următoarea expresie IJ AJ jJ VJ Dppn0 Dnn p0 qVJni qVJ qAJ exp1qAJlJ exp 1 Lp L n kBT202kBT sau IJ AJ jJ VJ qVJ qVJ I0dexp1I0grexp1 kBT2kBT unde Dp pn0 Dnn p0 I 0d qA J Lp L n şi ni I 0gr qAJ lJ 2 0 I 0d reprezintă curenţii reziduali de difuzie şi de generare-recombinere. În figura 2.5 a şi b sunt ilustrate două modalităţi de reprezentare grafică a caracteristicii Fig. 2.5 – Două modalităţi de reprezentare grafică a caracteristicii curent-tensiune pentru o JS palarizată direct: a) la scară liniară pe axele de curent şi de tensiune; (a) la scară logaritmică numai pe axa de curent (b). 17
curent-tensiune pentru o JS polarizată direct: la scară liniară pe axele de curent şi de tensiune (fig. 2.5 a) şi la scară logaritmică numai pe axa de curent (fig. 2.5 b). Notă. Abordarea fizică efectuată în acest paragraf trebuie să fie considerată valabilă pentru o JS standard. În practică intervin şi structuri particulare de JS, cum ar fi: joncţiuni abrupte şi gradate (după profilul densităţii de sarcină spaţială în RSES), de tip JS groase (care poate fi asimilate cu o JS standard – având grosimile regiunilor neutre >> 3Lp, respectiv >> 3Ln) şi de tip JS subţiri (la care grosimile regiunilor neutre sunt comparabile cu mărimile Lp şi Ln). Tot din practică se constată că forma caracteristicii curent-tensiune este influenţată de mai mulţi factori, cum ar fi: starea reală a suprafeţei din aria JS (care intensifică procesele de generare-recombinare a purtătorilor mobili de sarcină); nivelele mari de injecţie pentru concentraţii ale purtătorilor minoritari de sarcină la marginile RSES - comparabile cu cele ale purtătorilor majoritari de sarcină (caz în care contează rezistenţele serie ale regiunilor neutre p şi n); variaţiile temperaturii de lucru (care induc modificări ale tensiunii continue pe o JS). Pentru modelarea caracteristicii curent-tensiune ) 18 i J ( vJ , la o JS (cu aria transversală AJ) polarizată invers (unde vJ VJ VR 0 şi kBT VR 3 , q adică qVR exp 1- fig. 2.6 a kBT şi b), se utilizează rezultatele obţinute anterior şi următoarea relaţie de calcul: Fig. 2.6 - a) Model de JS cu polarizare inversă. b) Reprezentarea grafică a caracteristicii curent-tensiune pentru o JS palarizată invers. I A j I I I qV I qV I I R R J J J 0 R 0J 0 exp 1 0 exp 1 V d gr 0d 0gr JVR kBT2kBT La tensiuni inverse de polarizare mai mari, decât o anumită valoare limită (numită tensiune inversă de străpungere – reverse BReakdown voltage – VJ,BR) definită tehnologic pentru fiecare structură fizică de JS în parte, apare fenomenul de străpungere (prin multiplicarea în avalanşă a purtătorilor mobili de sarcină în RSES, cauzată de ruperea legăturilor covalente la atomii din reţeaua cristalină ca urmare a ionizărilor de impact ce se produc de către purtătorii mobili de sarcină cu energie cinetică mare şi foarte mare sau ca urmare a ionizărilor prin câmp electric intens – 10 V / cm 6 - cunoscut şi ca efect Zener), care constă în creşterea bruscă a curentului invers (ca în
Page 1 and 2: DISPOZITIVE ELECTRONICE CU SEMICOND
Page 3 and 4: CAPITOLUL 3 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 5 and 6: 1.2. Siliciu ca material semiconduc
Page 7 and 8: 1.4. Electroni şi goluri în semic
Page 9 and 10: (purtători/cm 3 ) la NETD şi 6
Page 11 and 12: Fig. 1.9 - Modele de semiconductoar
Page 13 and 14: difuziei); mărimile n F = - Dnn ş
Page 15 and 16: Fig. 2.2 - a) Un model unidimension
Page 17 and 18: câmpul electric extern ( J E ) are
Page 19: j dp n p ( ln ) qD p = dx xl n 16
Page 23 and 24: Wg qVJ unde T 0 reprezintă o tem
Page 25 and 26: 2.2.2. Comportarea fizică pentru C
Page 27 and 28: metal, care escaladează bariera de
Page 29 and 30: qN qN qN 2 s s A A A s Vox Eoxxo
Page 31 and 32: CAPITOLUL 3 DISPOTIVE ELECTRONICE C
Page 33 and 34: De exemplu, estimarea rezistenţei
Page 35 and 36: I D qVD I exp 1 0 - ecuaţia
Page 37 and 38: Principalele tipuri structurale de
Page 39 and 40: La condiţiile prestabilite anterio
Page 41 and 42: Neglijând componentelor de recombi
Page 43 and 44: espectiv Fig. 3.17 - Scheme electri
Page 45 and 46: Fig. 3.22 - Caracteristicile static
Page 47 and 48: 3.2.3. Circuite de polarizare în c
Page 49 and 50: În figura 3.27 (a şi b) se prezin
Page 51 and 52: Fig. 3.29 - Modele structurale şi
Page 53 and 54: III - zonă cu regim de lucru în s
Page 55 and 56: 2 2 VGS 1 ID IDSS 1 91 4mA V
Page 57 and 58: Fig. 3.34 - a) Circuit de polarizar
Page 59 and 60: Tensiunea de prag, menţionată ant
Page 61 and 62: Fig. 3.37 - Circuit de polarizare
Page 63 and 64: CAPITOLUL 4 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 65 and 66: Exemplu numeric. Pentru un PSF dat
Page 67 and 68: unde C A A C C , iar C C pentr
Page 69 and 70: prin diferenţială iT iT i ( v , v
Page 71 and 72:
unde Fig. 4.7 - Un model de cuadrip
Page 73 and 74:
În figura 4.10 se prezintă răspu
Page 75 and 76:
4.3. Tranzistoare unipolare (TU) î
Page 77 and 78:
şi r 1 d 2 VGS IDSS1IDpentru T
Page 79 and 80:
Exemplu numeric. Cu parametrii natu
Page 81 and 82:
id gm Ym vgs 2 vds o f 1 f
Page 83 and 84:
La dispozitive electronice de puter
Page 85 and 86:
putere medie şi mare poate să ope
Page 87 and 88:
şi Evaluările numerice la punctul
Page 89 and 90:
5.3.2. Caracterizarea regimului ter
Page 91:
19. E . Sofron (autor si coordonato
show all

Emil SOFRON PARTEA a I

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?