Emil SOFRON PARTEA a I

Recommendations

Info

fig. 2.7). Efectul multiplicării în avalanşă a purtătorilor mobili de sarcină în RSES este evaluat cantitativ prin parametrul M (numit şi coeficient de multiplicare), care se defineşte cu relaţia: Fig. 2.7 – Ilustrarea pe caracteristica curent-tensiune a fenomenului de străpungere la o JS palarizată invers. 1 M pentru V n R VJ , BR V 1 V R J , BR unde n ( 2 6) reprezintă o constantă rezultată prin experiment. Astfel, I I I I MI pentru M 0 I J R 0J J R 0J Străpungerea unei JS este cauzată prin ionizări de impact ale atomilor din RSES la , 5V şi prin ionizări induse de câmpuri electrice intense la VJ , BR 5V . VJ BR Notă. Variaţia temperaturii de lucru conduce la modificări sensibile ale caracteristii curenttesiune la o JS polarizată direct şi invers (fig. 2.8). De exemplu, prin intermediul dependenţei de temperatură a concentraţiei intrinseci de purtători mobili de sarcină 3/ 2 ( ni ( T) Texp Wg/ 2kBT ), curentul de saturaţie la o JS cu Si se dublează la fiecare C 0 10 - conform relaţiei: ( T T0 ) / 10 I ( T) I ( T ) 2 0J 0J Fig. 2.8 – Influenţa modificării temperaturii de lucru (în sens crescător) asupra caracteristicii curent-tensiune la o JS. 19 0
Wg qVJ unde T 0 reprezintă o temperatură de referinţă şi IJ exp (pentru a se obţine o kBT valoare constantă de curent I J I F , la T trebuie ca V şi invers). Notă. Joncţiunea semiconductoare de tip pn (cu toate variantele tehnologice ale acesteia: p + n, pn + , p + n + , p ++ n, pn ++ , p ++ n + , p + n ++ , p ++ n ++ ), ca structură fizică fundamentală, este utilizată întro gamă variată de dispozitive electronice: diode semiconductoare, tranzistoare unipolare, tranzistoare bipolare şi dispozitive optoelectronice. 2.2. Modele structurale pentru contactul de tip metal-semiconductor (CMS) Contactul Metal-Semiconductor (CMS) reprezintă tot o structură fizică fundamentală, care poate fi implementată tehnologic ca un contact ohmic (cu conducţie bidirecţională) pentru dispozitivele electronice (menţionate anterior) în scopul ataşării terminalelor de acces la circuitele exterioare, inclusiv ca un contact redresor (cu conducţie unidirecţională) pentru dispozitivele electronice de tip Schottky (diode şi tranzistoare). 2.2.1. Comportarea fizică pentru CMS la ETD Caracterizarea funcţională pentru CMS la ETD se realizează cu ajutorul benzilor de energie pentru semiconductoarele aflate în contact cu diferite tipuri de metale (fig. 2.9 a şi b - pentru semiconductor de tip n, respectiv fig. 2.11 a şi b - pentru semiconductor de tip p). La contactul unui metal cu un semiconductor se formează o regiune de trecere (asemănătoare cu aceea de la o JS, care pătrunde exclusiv în semiconductorul de tip n – fig.2.10 sau de tip p – fig. 2.12) şi apare o diferenţă de potenţial de contact ( M S 0 sau M S 0 , în funcţie de tipul de contact) egală cu diferenţa lucrurilor de ieşire (raportată la sarcina q a unui electron) ale celor două materiale ( ( WM WS ) / q 0 ca în fig. 2.10 – un contact de tip redresor care se comportă similar unei JS de tip pn + ). Dacă structura CMS din figura 2.10 are M S 0, banda de valenţă la suprafaţa de contact se apropie de nivelul Fermi şi contactul obţinut se comportă similar unei JS de tip pn. Fig. 2.9 – Benzile de energie pentru un metal (a) şi un semiconductor de tip n (b) înainte de contact. 20 J
Page 1 and 2: DISPOZITIVE ELECTRONICE CU SEMICOND
Page 3 and 4: CAPITOLUL 3 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 5 and 6: 1.2. Siliciu ca material semiconduc
Page 7 and 8: 1.4. Electroni şi goluri în semic
Page 9 and 10: (purtători/cm 3 ) la NETD şi 6
Page 11 and 12: Fig. 1.9 - Modele de semiconductoar
Page 13 and 14: difuziei); mărimile n F = - Dnn ş
Page 15 and 16: Fig. 2.2 - a) Un model unidimension
Page 17 and 18: câmpul electric extern ( J E ) are
Page 19 and 20: j dp n p ( ln ) qD p = dx xl n 16
Page 21: curent-tensiune pentru o JS polariz
Page 25 and 26: 2.2.2. Comportarea fizică pentru C
Page 27 and 28: metal, care escaladează bariera de
Page 29 and 30: qN qN qN 2 s s A A A s Vox Eoxxo
Page 31 and 32: CAPITOLUL 3 DISPOTIVE ELECTRONICE C
Page 33 and 34: De exemplu, estimarea rezistenţei
Page 35 and 36: I D qVD I exp 1 0 - ecuaţia
Page 37 and 38: Principalele tipuri structurale de
Page 39 and 40: La condiţiile prestabilite anterio
Page 41 and 42: Neglijând componentelor de recombi
Page 43 and 44: espectiv Fig. 3.17 - Scheme electri
Page 45 and 46: Fig. 3.22 - Caracteristicile static
Page 47 and 48: 3.2.3. Circuite de polarizare în c
Page 49 and 50: În figura 3.27 (a şi b) se prezin
Page 51 and 52: Fig. 3.29 - Modele structurale şi
Page 53 and 54: III - zonă cu regim de lucru în s
Page 55 and 56: 2 2 VGS 1 ID IDSS 1 91 4mA V
Page 57 and 58: Fig. 3.34 - a) Circuit de polarizar
Page 59 and 60: Tensiunea de prag, menţionată ant
Page 61 and 62: Fig. 3.37 - Circuit de polarizare
Page 63 and 64: CAPITOLUL 4 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 65 and 66: Exemplu numeric. Pentru un PSF dat
Page 67 and 68: unde C A A C C , iar C C pentr
Page 69 and 70: prin diferenţială iT iT i ( v , v
Page 71 and 72: unde Fig. 4.7 - Un model de cuadrip
Page 73 and 74:
În figura 4.10 se prezintă răspu
Page 75 and 76:
4.3. Tranzistoare unipolare (TU) î
Page 77 and 78:
şi r 1 d 2 VGS IDSS1IDpentru T
Page 79 and 80:
Exemplu numeric. Cu parametrii natu
Page 81 and 82:
id gm Ym vgs 2 vds o f 1 f
Page 83 and 84:
La dispozitive electronice de puter
Page 85 and 86:
putere medie şi mare poate să ope
Page 87 and 88:
şi Evaluările numerice la punctul
Page 89 and 90:
5.3.2. Caracterizarea regimului ter
Page 91:
19. E . Sofron (autor si coordonato
show all

Emil SOFRON PARTEA a I

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?