Emil SOFRON PARTEA a I

Recommendations

Info

Componenta de curent I SM se calculează prin similitudine cu I MS , conform relaţiei: 2 q( SVCMS) ISM ACMS ART exp kBT unde A R este o constantă Richardson modificată. În absenţa polarizării electrice ( v 0 ), structura de CMS se află la ETD şi i I I 0 , adică cele două componente de curent sunt egale: CMS SM MS CMS 2 qM 2 qS qVCMS ACMS ART exp ACMS ART exp şi ISMIMSexp kBTkBT kBT Astfel, caracteristica curent-tensiune pentru o structură de CMS – redresor are expresia: qVCMS iCMS ( VCMS ) ICMS ISM IMS IMS exp 1 kBT care este similară cu aceea pentru o JS de tip pn (fig. 2.14). Fig. 2.14 – a) Caracteristica curent-tensiune pentru o structură de CMS – redresor. b) Caracteristica curent-tensiune pentru o structură de CMS – neredresor. Notă. Structurile fizice de CMS – ohmice sau neredresoare se obţin tehnologic prin doparea mai puternică a semiconductorului de contact (n n + sau n ++ , respectiv p p + sau p ++ ). Ca metale de contact se recomandă Al şi Au. Ambele tipuri de structuri fizice pentru CMS – ohmice şi redresoare se utilizează la o gamă variată de dispozitive electronice (diode semiconductoare cu JS, diode Schottky bazate pe structuri de tip CMS, tranzistoare unipolare, tranzistoare bipolare, dispozitive optoelectronice şi de microunde). Comparativ cu JS (unde se întâlnesc procese fizice de difuzie şi de generare-recombinare a purtătorilor mobili de sarcină), la structurile de tip CMS nu există procese de difuzie şi de recombinare a purtătorilor mobili de sarcină (deoarece electronii din 23
metal, care escaladează bariera de potenţial la interfaţa cu un semiconductor, se relaxează practic instantaneu). 2.3. Modele structurale pentru Capacitorul de tip Metal-Oxid-Semiconductor (CMOS) Capacitorul Metal-Oxid-Semiconductor (CMOS) reprezintă o altă structură fizică de componentă electronică fundamentală (fig. 2.15), care poate fi implementată tehnologic pentru realizarea de dispozitivele electronice cu canale de conducţie unipolare sau cu efect de câmp. Fig. 2.15 – Modele unidimensionale de structuri pentru două tipuri de CMOS: (a) cu semiconductor de tip p şi (b) cu semiconductor de tip n, având armătura metalică M cu rol de poartă (G - gate). . 2.3.1. Comportarea fizică pentru un model de CMOS – ideal la ETD Analiza comportării funcţionale pentru CMOS (în caz ideal – fără sarcini electrice în oxid şi la suprafaţa semiconductorului, inclusiv fără diferenţă de potenţial pentru CMS - fig. 2.16 a şi b pentru cazul utilizării unui semiconductor de tip p, respectiv fig. 2.16 c şi d pentru cazul utilizării unui semiconductor de tip n) la ETD se realizează fără tensiune aplicată pe poartă (terminalul G). Notă. În cazul real, o structură de CMOS la ETD conţine sarcini electrice în oxid (de regulă sarcini electrice pozitive) şi la suprafaţa semiconductorului (sarcini electrice negative), inclusiv cu diferenţă de potenţial S pentru CMS. Fig. 2.16 - a) Un model unidimensional de CMOS cu semiconductor de tip p - ideal şi b) diagrama pentru benzile de energie la ETD. c) Un model unidimensional de CMOS cu semiconductor de tip n - ideal şi d) diagrama pentru benzile de energie la ETD. 24
Page 1 and 2: DISPOZITIVE ELECTRONICE CU SEMICOND
Page 3 and 4: CAPITOLUL 3 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 5 and 6: 1.2. Siliciu ca material semiconduc
Page 7 and 8: 1.4. Electroni şi goluri în semic
Page 9 and 10: (purtători/cm 3 ) la NETD şi 6
Page 11 and 12: Fig. 1.9 - Modele de semiconductoar
Page 13 and 14: difuziei); mărimile n F = - Dnn ş
Page 15 and 16: Fig. 2.2 - a) Un model unidimension
Page 17 and 18: câmpul electric extern ( J E ) are
Page 19 and 20: j dp n p ( ln ) qD p = dx xl n 16
Page 21 and 22: curent-tensiune pentru o JS polariz
Page 23 and 24: Wg qVJ unde T 0 reprezintă o tem
Page 25: 2.2.2. Comportarea fizică pentru C
Page 29 and 30: qN qN qN 2 s s A A A s Vox Eoxxo
Page 31 and 32: CAPITOLUL 3 DISPOTIVE ELECTRONICE C
Page 33 and 34: De exemplu, estimarea rezistenţei
Page 35 and 36: I D qVD I exp 1 0 - ecuaţia
Page 37 and 38: Principalele tipuri structurale de
Page 39 and 40: La condiţiile prestabilite anterio
Page 41 and 42: Neglijând componentelor de recombi
Page 43 and 44: espectiv Fig. 3.17 - Scheme electri
Page 45 and 46: Fig. 3.22 - Caracteristicile static
Page 47 and 48: 3.2.3. Circuite de polarizare în c
Page 49 and 50: În figura 3.27 (a şi b) se prezin
Page 51 and 52: Fig. 3.29 - Modele structurale şi
Page 53 and 54: III - zonă cu regim de lucru în s
Page 55 and 56: 2 2 VGS 1 ID IDSS 1 91 4mA V
Page 57 and 58: Fig. 3.34 - a) Circuit de polarizar
Page 59 and 60: Tensiunea de prag, menţionată ant
Page 61 and 62: Fig. 3.37 - Circuit de polarizare
Page 63 and 64: CAPITOLUL 4 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 65 and 66: Exemplu numeric. Pentru un PSF dat
Page 67 and 68: unde C A A C C , iar C C pentr
Page 69 and 70: prin diferenţială iT iT i ( v , v
Page 71 and 72: unde Fig. 4.7 - Un model de cuadrip
Page 73 and 74: În figura 4.10 se prezintă răspu
Page 75 and 76: 4.3. Tranzistoare unipolare (TU) î
Page 77 and 78:
şi r 1 d 2 VGS IDSS1IDpentru T
Page 79 and 80:
Exemplu numeric. Cu parametrii natu
Page 81 and 82:
id gm Ym vgs 2 vds o f 1 f
Page 83 and 84:
La dispozitive electronice de puter
Page 85 and 86:
putere medie şi mare poate să ope
Page 87 and 88:
şi Evaluările numerice la punctul
Page 89 and 90:
5.3.2. Caracterizarea regimului ter
Page 91:
19. E . Sofron (autor si coordonato
show all

Emil SOFRON PARTEA a I

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?