Emil SOFRON PARTEA a I

Recommendations

Info

diodele stabilizatoare de tensiune (sau diodele Zener – fig. 3.1 c) şi diodele varicap (fig.3.1 e) se utilizează numai în PI. Fig. 3.1 – Simbolurile şi caracteristicile curent-tensiune pentru principalele tipuri de DS: a) simbolul şi caracteristica curent-tensiune pentru diode de semnal mic, pentru diode de putere, pentru diode de detecţie şi pentru diode de comutaţie; b) simbolul şi caracteristica curent-tensiune pentru diode tunel; c) simbolul şi caracteristica curent-tensiune pentru diode stabilizatoare de tensiune (sau diode Zener); d) simbolul pentru diode Schottky (având o caracteristică curent-tensiune similară cu aceea din cazul a); e) simbolul pentru diode varicap (având o caracteristică curent-tensiune similară cu aceea din cazul c). 3.1.2. Caracterizare fizică şi aplicativă a DS în regim static În cazul unei DS, conceptul de PSF se poate ilustra pe o caracteristică de curent-tensiune (fig. 3.2), care permite şi evaluări cantitative de parametri statici şi dinamici. Fig. 3.2 - Caracteristica curent-tensiune pentru o DS cu Si (în polarizare diectă – PD şi inversă - PI), pe care au fost evidenţiate curenţii şi tensiunile în patru puncte statice de funcionare (PSF, PSF1, PSF2 şi PSF3). 29
De exemplu, estimarea rezistenţei în regim static sau în c.c. se efectuează direct cu ajutorul legii lui Ohm, în diferite PSF, astfel: vD 0, 6 V vD 0, 61V RD 150 , R 101, 66 3 D 1 3 i 4 10 A i 6 10 A D PSF 30 D PSF1 vD 0, 56 V vD 0, 62 V RD 2 280 şi R 77, 5 3 D 3 3 i 2 10 A i 810 A D PSF 2 Notă. Pentru o DS în PI rezistenţa în c.c. are o valoare mult mai mare decât în PD. De exemplu, la iD = I0 = - 20 nA şi vD = - 1 V, se obţine: D D( PSF / PI ) 9 iD 20 10 PI D PSF 3 v 1V R 50 M R A D( PSF / PD ) Diodele semiconductoare, ca elemente de circuit în c.c., se pot asimila cu elemente echivalente din punct de vedere funcţional (fig.3.3 a, b, c şi d). Astfel de elemente echivalente sunt sugerate chiar de forma caracteristicilor curent-tensiune (fig. 3.2) ale JS utilizate – prezentate în diferite formate de aproximare pentru PI (starea OFF) şi PD (starea ON). În starea OFF, o DS este considerată ca un circuit/comutator deschis (cu rezistenţă infinită şi curent nul – stare care se poate extinde chiar până la tensiuni pozitive mai mici de 0,065 V). În starea ON, o DS este considerată ca un circuit/comutator închis (cu rezistenţă nulă în fig. 3.3 a şi b, respectiv cu rezistenţă finită în fig. 3.3 c şi d). Astfel de aproximări sunt valabile în foarte multe situaţii aplicative reale. Pentru protecţia unei DS cu PD de la o sursă de tensiune continuă se recomandă utilizarea unor rezistoare serie (de exemplu R =1 k - fig. 3.4 a, b, c şi d) în scopul realizării unei limitări de curent prin JS utilizată la dioda D. Fig. 3.3 – Exemple de aproximare a caracteristicii reale curent-tensiune pentru o JS, prin care o DS se echivalează cu un comutator OFF (în PI)-ON (în PD): a) DS ca un comutator ideal; b) DS ca un comutator ideal în PI şi cu tensiune de prag în PD; c) DS ca un comutator ideal în PI şi cu rezistenţă în PD (de exemplu RD 0,1 k ); d) DS ca un comutator ideal în PI şi cu tensiune de prag înseriată cu o rezistenţă în PD. Notă. Valoarea de 0,65 V este considerată ca tensiune de prag pentru diode cu JS din Si şi DI este o diodă ideală.
Page 1 and 2: DISPOZITIVE ELECTRONICE CU SEMICOND
Page 3 and 4: CAPITOLUL 3 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 5 and 6: 1.2. Siliciu ca material semiconduc
Page 7 and 8: 1.4. Electroni şi goluri în semic
Page 9 and 10: (purtători/cm 3 ) la NETD şi 6
Page 11 and 12: Fig. 1.9 - Modele de semiconductoar
Page 13 and 14: difuziei); mărimile n F = - Dnn ş
Page 15 and 16: Fig. 2.2 - a) Un model unidimension
Page 17 and 18: câmpul electric extern ( J E ) are
Page 19 and 20: j dp n p ( ln ) qD p = dx xl n 16
Page 21 and 22: curent-tensiune pentru o JS polariz
Page 23 and 24: Wg qVJ unde T 0 reprezintă o tem
Page 25 and 26: 2.2.2. Comportarea fizică pentru C
Page 27 and 28: metal, care escaladează bariera de
Page 29 and 30: qN qN qN 2 s s A A A s Vox Eoxxo
Page 31: CAPITOLUL 3 DISPOTIVE ELECTRONICE C
Page 35 and 36: I D qVD I exp 1 0 - ecuaţia
Page 37 and 38: Principalele tipuri structurale de
Page 39 and 40: La condiţiile prestabilite anterio
Page 41 and 42: Neglijând componentelor de recombi
Page 43 and 44: espectiv Fig. 3.17 - Scheme electri
Page 45 and 46: Fig. 3.22 - Caracteristicile static
Page 47 and 48: 3.2.3. Circuite de polarizare în c
Page 49 and 50: În figura 3.27 (a şi b) se prezin
Page 51 and 52: Fig. 3.29 - Modele structurale şi
Page 53 and 54: III - zonă cu regim de lucru în s
Page 55 and 56: 2 2 VGS 1 ID IDSS 1 91 4mA V
Page 57 and 58: Fig. 3.34 - a) Circuit de polarizar
Page 59 and 60: Tensiunea de prag, menţionată ant
Page 61 and 62: Fig. 3.37 - Circuit de polarizare
Page 63 and 64: CAPITOLUL 4 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 65 and 66: Exemplu numeric. Pentru un PSF dat
Page 67 and 68: unde C A A C C , iar C C pentr
Page 69 and 70: prin diferenţială iT iT i ( v , v
Page 71 and 72: unde Fig. 4.7 - Un model de cuadrip
Page 73 and 74: În figura 4.10 se prezintă răspu
Page 75 and 76: 4.3. Tranzistoare unipolare (TU) î
Page 77 and 78: şi r 1 d 2 VGS IDSS1IDpentru T
Page 79 and 80: Exemplu numeric. Cu parametrii natu
Page 81 and 82: id gm Ym vgs 2 vds o f 1 f
Page 83 and 84:
La dispozitive electronice de puter
Page 85 and 86:
putere medie şi mare poate să ope
Page 87 and 88:
şi Evaluările numerice la punctul
Page 89 and 90:
5.3.2. Caracterizarea regimului ter
Page 91:
19. E . Sofron (autor si coordonato
show all

Emil SOFRON PARTEA a I

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?