Emil SOFRON PARTEA a I

unde Rth, J A
< o C/W > este rezistenţa termică pe traseul fizic J-A (adică de la interiorul JS la
mediul ambiental), Cth - capacitatea termică a structurii fizice analizate, TJ – temperatura din
interiorul unei JS de putere şi TA – temperatura mediului ambiental.
Un model electric pentru regimul termic la DS de putere se realizează pe bază
următoarelor echivalenţe:
Mărimi pentru un model termic: Mărimi pentru un model electric echivalent:
Putere disipată Curent electric
Temperatură de lucru Tensiune electrică
Rezistenţă termică Rezistenţă electrică
Capacitate termică Capacitate electrică
Cu echivalenţele menţionate anterior, în figura 3.7 (a) se prezintă şi un circuit electric
Fig. 3.7 – a) Modelul termic pentru o DS de putere. b) Dependenţa P ) .
33
D ( TA
corespunzător modelului termic pentru o DS de putere, inclusiv dependenţa puterii disipate în
funcţie de temperatura ambientală de lucru - P ) - ca în figura 3.7 (b).
D ( TA
Notă. La modelul termic pentru o DS de putere, rezistenţa termică Rth, J A
se calculează
cu contribuţia tuturor elementelor fizice care intervin pe calea J-A de evacuare a căldurii:
capsula (cu contribuţia Rth, J C
şi Rth, C
A la Rth, J A
= Rth, J C
+ Rth, C
A ) şi radiatorul (cuplat direct
pe capsulă, cu contribuţia Rth R Rth
CR
Rth
RA
, ,
, , adică Rth, J A
= Rth, J C
+
R th,
CA
=
Rth, C
.
R th, R ) /( Rth, C
A + R th, R )).
R
th,
J C +( A
3.2. Tranzistoare bipolare (TB) în regim static
Tranzistoarele bipolare (inventate în 1948 de către americanii J. Bardeen, W. Brattain şi
W. Shockley ca dispotive electronice cu amplificare sau cu câştig) conţin două JS cuplate
adiacent, care operează cu o conducţie bipolară – prin electroni şi goluri - şi prezintă o
comportare electrică neliniară atât ca elemente discrete cât şi ca elemente integrate în diferite
tipuri de circuite electronice analogice şi digitale.
3.2.1. Tipuri de tranzistoare bipolare (TB)
Prin cuplarea diferită a două JS se realizează fie structuri fizice de tipul pnp, fie structuri
fizice complementare de tipul npn, cu trei straturi semiconductoare şi cu trei terminale (E –
emitor, C – colector şi B - bază).