Emil SOFRON PARTEA a I

Recommendations

Info

Fig. 3.24 – Caracteristicile statice de ieşire pentru TB (tip pnp/tip npn) în conexiunea BC (a) şi EC (b), pe care se ilustrează şi zonele de străpungere (în care curentul de colector creşte nelimitat). Notă. VCB,BR şi VCE,BR reprezintă tensiunile de străpungere la TB – în conexiunea BC, respectiv în conexiunea EC. Mecanismul de străpungere a unui TB în conexiunea BC are loc la JC (cu PI) şi este similar cu cel întâlnit la o JS cu PI. Pentru exemplificare se consideră IE = 0 şi IC = M . ICB0 , unde 1 M n V CB 1 V CB, RR 43 , n 4...7 reprezintă factorul de multiplicare a purtătorilor mobili de sarcină în JC. Pentru VCB VCB, BR , M şi IC IC M( F IE ICB0 ) La TB în conexiunea EC, mecanismul de străpungere are loc pentru VCE VCE, BR : M M 1 I I M ( I I ) I I I pentru M F C C F E CB0 IE ICIB C 1MF B 1MF CB0 Presupunând că V V M 1 1 V rezultă VCE, BR VCB, BR CE M1/ F CB M1/ F F n V CE, BR CE, BR CB, BR n F , deoarece 1. F 1 V CB, BR V 1 F
3.2.3. Circuite de polarizare în c.c. pentru TB (de tip pnp şi/sau de tip npn) Circuitele de polarizare în c.c. (cu două sau cu o singură sursă de alimentare) permit stabilirea convenabilă a unui PSF pentru TB. În figura 3.25 (a şi b) se prezintă un circuit de polarizare pentru TB de tip pnp (cu două surse de alimentare în c.c.) - în conexiunea BC (cu VCC = -12 V, VEE = 2 V, RC = 4 k, RE = 1,35 k şi VEB = 0,65 V), respectiv caracteristicile statice de ieşire în care este marcat PSF (Q). Fig. 3.25 – a) Circuit de polarizare în c.c. pentru TB în conexiunea BC – cu două surse de alimentare. b) Caracteristicile statice de ieşire pentru TB de tip pnp - în conexiunea BC . Notă. DS reprezintă dreapta de sarcină în c.c. PSF - ul (Q - definit cu mărimile IC şi VCB sau V CB ) pentru TB în conexiunea BC (din fig. 3.25 a) se poate estima grafic pe caracteristicile statice de ieşire – la intersecţia dreptei de sarcină în c.c. cu o caracteristică statică de ieşire (de exemplu: pentru IE =1 mA - din fig. 3.25 b) şi calcula analitic cu ecuaţiile: şi care reprezintă drepta de sarcină (DS) în c.c. I I I I C F E CB0 E VCC RCIC VCB Exemplu numeric. Pentru VCC = -12 V, VEE = 2 V, RC = 4 k, RE = 1,35 k şi VEB = 0,65 V, se obţin următoarele valori care definesc PSF- ul: VEEVEB(20,65) V IC IE 1 mA R 1,35 k E V V R I 12 V 4 k1 mA 8V şi VCB = -8 V CB CC C C 44
Page 1 and 2: DISPOZITIVE ELECTRONICE CU SEMICOND
Page 3 and 4: CAPITOLUL 3 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 5 and 6: 1.2. Siliciu ca material semiconduc
Page 7 and 8: 1.4. Electroni şi goluri în semic
Page 9 and 10: (purtători/cm 3 ) la NETD şi 6
Page 11 and 12: Fig. 1.9 - Modele de semiconductoar
Page 13 and 14: difuziei); mărimile n F = - Dnn ş
Page 15 and 16: Fig. 2.2 - a) Un model unidimension
Page 17 and 18: câmpul electric extern ( J E ) are
Page 19 and 20: j dp n p ( ln ) qD p = dx xl n 16
Page 21 and 22: curent-tensiune pentru o JS polariz
Page 23 and 24: Wg qVJ unde T 0 reprezintă o tem
Page 25 and 26: 2.2.2. Comportarea fizică pentru C
Page 27 and 28: metal, care escaladează bariera de
Page 29 and 30: qN qN qN 2 s s A A A s Vox Eoxxo
Page 31 and 32: CAPITOLUL 3 DISPOTIVE ELECTRONICE C
Page 33 and 34: De exemplu, estimarea rezistenţei
Page 35 and 36: I D qVD I exp 1 0 - ecuaţia
Page 37 and 38: Principalele tipuri structurale de
Page 39 and 40: La condiţiile prestabilite anterio
Page 41 and 42: Neglijând componentelor de recombi
Page 43 and 44: espectiv Fig. 3.17 - Scheme electri
Page 45: Fig. 3.22 - Caracteristicile static
Page 49 and 50: În figura 3.27 (a şi b) se prezin
Page 51 and 52: Fig. 3.29 - Modele structurale şi
Page 53 and 54: III - zonă cu regim de lucru în s
Page 55 and 56: 2 2 VGS 1 ID IDSS 1 91 4mA V
Page 57 and 58: Fig. 3.34 - a) Circuit de polarizar
Page 59 and 60: Tensiunea de prag, menţionată ant
Page 61 and 62: Fig. 3.37 - Circuit de polarizare
Page 63 and 64: CAPITOLUL 4 DISPOZITIVE ELECTRONICE
Page 65 and 66: Exemplu numeric. Pentru un PSF dat
Page 67 and 68: unde C A A C C , iar C C pentr
Page 69 and 70: prin diferenţială iT iT i ( v , v
Page 71 and 72: unde Fig. 4.7 - Un model de cuadrip
Page 73 and 74: În figura 4.10 se prezintă răspu
Page 75 and 76: 4.3. Tranzistoare unipolare (TU) î
Page 77 and 78: şi r 1 d 2 VGS IDSS1IDpentru T
Page 79 and 80: Exemplu numeric. Cu parametrii natu
Page 81 and 82: id gm Ym vgs 2 vds o f 1 f
Page 83 and 84: La dispozitive electronice de puter
Page 85 and 86: putere medie şi mare poate să ope
Page 87 and 88: şi Evaluările numerice la punctul
Page 89 and 90: 5.3.2. Caracterizarea regimului ter
Page 91: 19. E . Sofron (autor si coordonato

Emil SOFRON PARTEA a I

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?