12.07.2015 Views

Глава 3. Строение вещества в конденсированном состоянии

Глава 3. Строение вещества в конденсированном состоянии

Глава 3. Строение вещества в конденсированном состоянии

SHOW MORE
SHOW LESS
  • No tags were found...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

<strong>в</strong>ещест<strong>в</strong> с атомной решеткой.Многие ионные кристаллы содержат многоатомные ионы, такие как SO 2- 4 , NO - 3 , [HgI 4 ] 2- ,[Cu(NH 3 ) 2 ) 2+ [AlF 6 ] 3- . С<strong>в</strong>язи между частицами, образующими такую решетку, я<strong>в</strong>ляютсяионными, но <strong>в</strong>нутри этих сложных ионо<strong>в</strong> атомы, как пра<strong>в</strong>ило, соединены ко<strong>в</strong>алентнойс<strong>в</strong>язью. Поскольку комплексные ионы имеют большиеРис. 1.7<strong>3.</strong> Кристаллическая решетка натрия. Штрихо<strong>в</strong>кой <strong>в</strong>ыделена элементарная ячейка(кубическая объемноцентриро<strong>в</strong>анная структура)размеры, то силы <strong>в</strong>заимодейст<strong>в</strong>ия частиц <strong>в</strong> решетке, содержащей многоатомные ионы,значительно слабее, чем <strong>в</strong> решетке, состоящей из одноатомных ионо<strong>в</strong> с теми же зарядами.В<strong>в</strong>иду этого температуры пла<strong>в</strong>ления и т<strong>в</strong>ердость соединений, содержащих многоатомныеионы, более низкие. Например, температура пла<strong>в</strong>ления NaCl ра<strong>в</strong>на 801°С, NaNO 3 - только308°С.Кристаллические решетки, образуемые металлами, назы<strong>в</strong>аются металлическими. В узлахтаких решеток находятся положительные ионы металло<strong>в</strong>, а <strong>в</strong>алентные электроныперед<strong>в</strong>игаются между ними <strong>в</strong> различных напра<strong>в</strong>лениях. Со<strong>в</strong>окупность с<strong>в</strong>ободных электроно<strong>в</strong>иногда назы<strong>в</strong>ают электронным газом. Такое строение решетки обусло<strong>в</strong>ли<strong>в</strong>ает большуюэлектропро<strong>в</strong>одность, теплопро<strong>в</strong>одность и <strong>в</strong>ысокую пластичность металло<strong>в</strong> - примеханическом деформиро<strong>в</strong>ании не происходит разры<strong>в</strong>а с<strong>в</strong>язей и разрушения кристалла,поскольку соста<strong>в</strong>ляющие его ионы как бы пла<strong>в</strong>ают <strong>в</strong> облаке электронного газа.Как указано <strong>в</strong>ыше, любую кристаллическую решетку можно рассматри<strong>в</strong>ать каксо<strong>в</strong>окупность элементарных ячеек. Элементарной ячейкой назы<strong>в</strong>ают ту наименьшую частькристалла, которая сохраняет особенности структуры, характерные для данной решетки. Нарис. 1.73 изображена кристаллическая решетка металлического натрия, <strong>в</strong> которойштрихо<strong>в</strong>кой показана одна из элементарных ячеек. Элементарная ячейка предста<strong>в</strong>ляет собойпараллелепипед, перемещая который <strong>в</strong> напра<strong>в</strong>лений каждой из трех координатных осей x, у иz, можно построить кристаллическую решетку. Эта операция напоминает получениекирпичной кладки. На рис. 1.74 показана элементарная ячейка меди.4. Некоторые кристаллические структуры. Начнем рассмотрение структуры кристалло<strong>в</strong>со структур металло<strong>в</strong>. Для кристаллической решетки большинст<strong>в</strong>а металло<strong>в</strong> характернамаксимально плотная упако<strong>в</strong>ка частиц. Возможны д<strong>в</strong>а <strong>в</strong>арианта плотнейшей упако<strong>в</strong>кисферических тел - кубическая гранецентриро<strong>в</strong>анная и гексагональная (рис. 1.75). Этиструктуры отличаются расположением слое<strong>в</strong> шаро<strong>в</strong> (показаны на рис. 1.75 <strong>в</strong> горизонтальнойплоскости). При гексагональной упако<strong>в</strong>ке шар каждого третьего слоя находится точно надшаром пер<strong>в</strong>ого слоя. В кубической гранецентриро<strong>в</strong>анной структуре шары третьего слоярасположены над лунками между шарами пер<strong>в</strong>ого слоя. В обоих случаях степень заполненияпространст<strong>в</strong>а шарами одинако<strong>в</strong>а и соста<strong>в</strong>ляет 74,05%.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!