1 Halbleiterdioden
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UBE > 0 Elektronen werden in das Basisgebiet hineingebracht<br />
(Ladungsträgerinjektion)<br />
UBC < 0 Elektronen werden über die Raumladungszone<br />
abtransportiert<br />
Flussspannung U BE beeinflusst Rate, mit der Elektronen in das<br />
Basisbahngebiet injiziert werden, und damit Strom der am<br />
kollektorseitigen Sperrschichtrand ankommt<br />
Durch Änderung der Steuerspannung UBE im Eingangskreis<br />
kann der Strom IC im Ausgangskreis gesteuert werden<br />
(spannungsgesteuerte Stromquelle)<br />
Durch unterschiedliche Dotierstoffkonzentrationen in Emitter und Basis<br />
wird erreicht, dass ein großer Kollektorstrom durch einen kleinen<br />
Steuerstrom (= Basisstrom) gesteuert wird:<br />
ND,E = 10 19 cm -3 , NA,B = 10 17 cm -3 , ND,C = 10 15 cm -3<br />
Ein kleiner Löcherstrom steuert einen großen Elektronenstrom<br />
Gleichstromverstärkung B : Verhältnis von Kollektorstrom zu<br />
Basisstrom<br />
IC<br />
B (2.1)<br />
I<br />
B<br />
Kleine Basisstromänderungen gehören zu großen<br />
Kollektorstromänderungen<br />
oder<br />
Kleine Basisspannungsänderungen führen zu großen<br />
Kollektorspannungsänderungen<br />
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