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Eingangswiderstand<br />
Eingangswiderstand Parallelschaltung aus R1, R2, rBE<br />
Abb. 2.33: Eingangswiderstand der Emitterschaltung<br />
dUBE UT UT B<br />
rBE B (2.21)<br />
dI I I S<br />
B B C<br />
re R1 R2 rBE<br />
(2.22)<br />
R R<br />
r r<br />
1 2<br />
e <br />
BE<br />
R1 R2<br />
Um Signalquelle möglichst wenig zu belasten, muss der<br />
Spannungsteiler R1, R2 sehr hochohmig sein.<br />
(2.23)<br />
rBE kann durch Wahl eines besonders kleinen Basisgleichstromes ebenfalls<br />
hochohmig werden, allerdings verkleinert man dabei auch die<br />
Spannungsverstärkung der Schaltung.<br />
Der Eingangswiderstand der Emitterschaltung ist mittelgroß. Er<br />
wird vom differentiellen Widerstand rBE bestimmt.<br />
rBE ist umso kleiner, je größer der Basisgleichstrom ist<br />
(z.B. I B A = 20 µA; rBE 1,5 k).<br />
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