- Seite 1: 1 Halbleiterdioden Bei inhomogener
- Seite 5 und 6: Aus Kennlinie: Widerstandsverhalten
- Seite 7 und 8: 1.1.2 Temperaturverhalten von Halbl
- Seite 9 und 10: esonders dotierte Si-Dioden 1.2. Sp
- Seite 11 und 12: 1.3 Anwendungen Gleichrichter, Scha
- Seite 13 und 14: Zwei Transistorfamilien: 2 Bipolart
- Seite 15 und 16: drei Spannungen und drei Ströme: U
- Seite 17 und 18: Betriebszustände a) Stromloser Zus
- Seite 19 und 20: npn-Transistor: UCE, UBE, IC, IB po
- Seite 21 und 22: 2.2 Grundlagen eines Transistorvers
- Seite 23 und 24: Ausgangskennlinienfeld Ausgangsgrö
- Seite 25 und 26: Gleichstromverstärkung (statische
- Seite 27 und 28: Vierquadrantenkennlinienfeld Abb. 2
- Seite 29 und 30: 2.2.2 Gleichstromdimensionierung (W
- Seite 31 und 32: Arbeitspunkt Wir wählen den Arbeit
- Seite 33 und 34: Stabilisierung durch Temperaturkomp
- Seite 35 und 36: hike Hybridparameter der Emittersch
- Seite 37 und 38: Spiegelung des Basisstroms an der S
- Seite 39 und 40: 2.2.6 Frequenzgang Wechselstromvers
- Seite 41 und 42: 2.2.7 Einstellung des Arbeitspunkte
- Seite 43 und 44: ICA B IBA ; I BA = konst. Tempera
- Seite 45 und 46: 2.2.8 Kleinsignalverhalten der Emit
- Seite 47 und 48: Richtungspfeile von ue und ua einan
- Seite 49 und 50: Ausgangswiderstand Neben rCE gehör
- Seite 51 und 52: Ankopplung des Verbraucherwiderstan
- Seite 53 und 54:
2.2.9 Stabilisierung durch Gegenkop
- Seite 55 und 56:
weiteres Absinken von UCE wird verh
- Seite 57 und 58:
zw. u I i i i S u u BE C E C B
- Seite 59 und 60:
Mit Verbraucherwiderstand RL ergibt
- Seite 61 und 62:
2.2.11 Zusammenfassung Die Emitters
- Seite 63 und 64:
Anwendungen der Emitterschaltung Un
- Seite 65 und 66:
Restströme und Durchbruchspannunge
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Grenzwerte Grenzwerte sind Werte, d
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2-57
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2-61
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2-63
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2.3.1 Kleinsignalverhalten der Koll
- Seite 79 und 80:
Eine genauere Rechnung ergibt Vi 1
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Die Kollektorschaltung hat den nied
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2.4.1. Kleinsignalverhalten der Bas
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Spannungsverstärkung Ausgangs- und
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2.5 Der Transistor als Schalter Tra
- Seite 89 und 90:
Der Kollektorstrom ist weitgehend u
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2.6.3 Darlington-Schaltung Die Koll
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2.6.4 Differenzverstärker Für die
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Gleichtaktspannung UGl : Differenzs
- Seite 97 und 98:
Gleichtaktaussteuerung: Eine Änder
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Zentrale Eigenschaft des Differenzv
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3. Feldeffekt (Unipolare) Transisto
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Der Drainstrom wird durch Sperrschi
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n-Kanal 3.1.1 Kennlinien, Kennwerte
- Seite 107 und 108:
Der Anstieg der ID-UGS-Kennlinie in
- Seite 109 und 110:
3-9
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3-11
- Seite 113 und 114:
3-13
- Seite 115 und 116:
Abb. 3.6: MOSFET bei positiver Gate
- Seite 117 und 118:
3.2.1 Kennlinien, Kennwerte, Grenzw
- Seite 119 und 120:
Der Gateanschluss bildet mit Substr
- Seite 121 und 122:
3-21
- Seite 123 und 124:
3-23
- Seite 125 und 126:
3-25
- Seite 127 und 128:
3.3 Unipolartransistor als Schalter
- Seite 129 und 130:
3.4.1 Verstärkerstufe in Source-Sc
- Seite 131 und 132:
Korrespondenzen: I I S S C D I I
- Seite 133 und 134:
3.4.2 Inverter in MOS-Technologie A
- Seite 135 und 136:
3.5 Zusammenfassung Abb. 3.19: Type