1 Halbleiterdioden

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Abb. 2.12: Arbeitsbereiche eines npn-Transistors 1 Verstärkerbereich 2 Übersteuerungsbereich 4 Durchbruchsbereich 5 Sperrbereich Stromsteuerungskennlinienfeld Stromsteuerungskennlinienfeld (IC-IB-Kennlinienfeld): Zusammenhang zwischen IC und IB für bestimmte Werte von UCE Abb. 2.13: Stromsteuerungskennlinienfeld 2-12
Gleichstromverstärkung (statische Stromverstärkung) B I B I C B (2.1) Der Anstieg der IC-IB-Kennlinie in einem bestimmten Arbeitspunkt A ergibt den differentiellen oder dynamischen Stromverstärkungsfaktor in diesem Arbeitspunkt I I I I C C B B U = const. Analoge Schaltungstechnik: B CE (2.4) 2-13
Seite 1 und 2: 1 Halbleiterdioden Bei inhomogener
Seite 3 und 4: 1.1.1 Kennlinie des pn-Überganges
Seite 5 und 6: Aus Kennlinie: Widerstandsverhalten
Seite 7 und 8: 1.1.2 Temperaturverhalten von Halbl
Seite 9 und 10: esonders dotierte Si-Dioden 1.2. Sp
Seite 11 und 12: 1.3 Anwendungen Gleichrichter, Scha
Seite 13 und 14: Zwei Transistorfamilien: 2 Bipolart
Seite 15 und 16: drei Spannungen und drei Ströme: U
Seite 17 und 18: Betriebszustände a) Stromloser Zus
Seite 19 und 20: npn-Transistor: UCE, UBE, IC, IB po
Seite 21 und 22: 2.2 Grundlagen eines Transistorvers
Seite 23: Ausgangskennlinienfeld Ausgangsgrö
Seite 27 und 28: Vierquadrantenkennlinienfeld Abb. 2
Seite 29 und 30: 2.2.2 Gleichstromdimensionierung (W
Seite 31 und 32: Arbeitspunkt Wir wählen den Arbeit
Seite 33 und 34: Stabilisierung durch Temperaturkomp
Seite 35 und 36: hike Hybridparameter der Emittersch
Seite 37 und 38: Spiegelung des Basisstroms an der S
Seite 39 und 40: 2.2.6 Frequenzgang Wechselstromvers
Seite 41 und 42: 2.2.7 Einstellung des Arbeitspunkte
Seite 43 und 44: ICA B IBA ; I BA = konst. Tempera
Seite 45 und 46: 2.2.8 Kleinsignalverhalten der Emit
Seite 47 und 48: Richtungspfeile von ue und ua einan
Seite 49 und 50: Ausgangswiderstand Neben rCE gehör
Seite 51 und 52: Ankopplung des Verbraucherwiderstan
Seite 53 und 54: 2.2.9 Stabilisierung durch Gegenkop
Seite 55 und 56: weiteres Absinken von UCE wird verh
Seite 57 und 58: zw. u I i i i S u u BE C E C B
Seite 59 und 60: Mit Verbraucherwiderstand RL ergibt
Seite 61 und 62: 2.2.11 Zusammenfassung Die Emitters
Seite 63 und 64: Anwendungen der Emitterschaltung Un
Seite 65 und 66: Restströme und Durchbruchspannunge
Seite 67 und 68: Grenzwerte Grenzwerte sind Werte, d
Seite 69 und 70: 2-57
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Seite 73 und 74: 2-61
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2-63
Seite 77 und 78:
2.3.1 Kleinsignalverhalten der Koll
Seite 79 und 80:
Eine genauere Rechnung ergibt Vi 1
Seite 81 und 82:
Die Kollektorschaltung hat den nied
Seite 83 und 84:
2.4.1. Kleinsignalverhalten der Bas
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Spannungsverstärkung Ausgangs- und
Seite 87 und 88:
2.5 Der Transistor als Schalter Tra
Seite 89 und 90:
Der Kollektorstrom ist weitgehend u
Seite 91 und 92:
2.6.3 Darlington-Schaltung Die Koll
Seite 93 und 94:
2.6.4 Differenzverstärker Für die
Seite 95 und 96:
Gleichtaktspannung UGl : Differenzs
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Gleichtaktaussteuerung: Eine Änder
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Zentrale Eigenschaft des Differenzv
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3. Feldeffekt (Unipolare) Transisto
Seite 103 und 104:
Der Drainstrom wird durch Sperrschi
Seite 105 und 106:
n-Kanal 3.1.1 Kennlinien, Kennwerte
Seite 107 und 108:
Der Anstieg der ID-UGS-Kennlinie in
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Abb. 3.6: MOSFET bei positiver Gate
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3.2.1 Kennlinien, Kennwerte, Grenzw
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Der Gateanschluss bildet mit Substr
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3.3 Unipolartransistor als Schalter
Seite 129 und 130:
3.4.1 Verstärkerstufe in Source-Sc
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Korrespondenzen: I I S S C D I I
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3.4.2 Inverter in MOS-Technologie A
Seite 135 und 136:
3.5 Zusammenfassung Abb. 3.19: Type
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