1 Halbleiterdioden

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1.1.3 Kennwerte und Grenzwerte Grenzwerte sind Werte, die der Anwender nicht überschreiten darf, ohne eine sofortige Zerstörung des Bauelementes zu riskieren Kennwerte sind Werte, die die Eigenschaften des Bauelementes im Betriebsbereich beschreiben Kennwerte sind typische Werte Datenblätter! 1-8
esonders dotierte Si-Dioden 1.2. Spezielle <strong>Halbleiterdioden</strong> 1.2.1. Z - Dioden Abb. 1.8: I-U-Kennlinie einer Z-Diode und Schaltzeichen UZ0: Zenerspannung Z-Dioden werden im Sperrbereich bei Erreichen der Zenerspannung niederohmig Zener-Effekt: Sperrschicht wird durch hohe Feldstärke plötzlich leitfähig Lawinen-Effekt (Avalanche-Effekt): Zahl der freien Ladungsträger steigt lawinenartig an Große Leitfähigkeit der Sperrschicht kann zu einem sehr großen Strom in Sperrrichtung führen 1-9
Seite 1 und 2: 1 Halbleiterdioden Bei inhomogener
Seite 3 und 4: 1.1.1 Kennlinie des pn-Überganges
Seite 5 und 6: Aus Kennlinie: Widerstandsverhalten
Seite 7: 1.1.2 Temperaturverhalten von Halbl
Seite 11 und 12: 1.3 Anwendungen Gleichrichter, Scha
Seite 13 und 14: Zwei Transistorfamilien: 2 Bipolart
Seite 15 und 16: drei Spannungen und drei Ströme: U
Seite 17 und 18: Betriebszustände a) Stromloser Zus
Seite 19 und 20: npn-Transistor: UCE, UBE, IC, IB po
Seite 21 und 22: 2.2 Grundlagen eines Transistorvers
Seite 23 und 24: Ausgangskennlinienfeld Ausgangsgrö
Seite 25 und 26: Gleichstromverstärkung (statische
Seite 27 und 28: Vierquadrantenkennlinienfeld Abb. 2
Seite 29 und 30: 2.2.2 Gleichstromdimensionierung (W
Seite 31 und 32: Arbeitspunkt Wir wählen den Arbeit
Seite 33 und 34: Stabilisierung durch Temperaturkomp
Seite 35 und 36: hike Hybridparameter der Emittersch
Seite 37 und 38: Spiegelung des Basisstroms an der S
Seite 39 und 40: 2.2.6 Frequenzgang Wechselstromvers
Seite 41 und 42: 2.2.7 Einstellung des Arbeitspunkte
Seite 43 und 44: ICA B IBA ; I BA = konst. Tempera
Seite 45 und 46: 2.2.8 Kleinsignalverhalten der Emit
Seite 47 und 48: Richtungspfeile von ue und ua einan
Seite 49 und 50: Ausgangswiderstand Neben rCE gehör
Seite 51 und 52: Ankopplung des Verbraucherwiderstan
Seite 53 und 54: 2.2.9 Stabilisierung durch Gegenkop
Seite 55 und 56: weiteres Absinken von UCE wird verh
Seite 57 und 58: zw. u I i i i S u u BE C E C B
Seite 59 und 60:
Mit Verbraucherwiderstand RL ergibt
Seite 61 und 62:
2.2.11 Zusammenfassung Die Emitters
Seite 63 und 64:
Anwendungen der Emitterschaltung Un
Seite 65 und 66:
Restströme und Durchbruchspannunge
Seite 67 und 68:
Grenzwerte Grenzwerte sind Werte, d
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Seite 77 und 78:
2.3.1 Kleinsignalverhalten der Koll
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Eine genauere Rechnung ergibt Vi 1
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Die Kollektorschaltung hat den nied
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2.4.1. Kleinsignalverhalten der Bas
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Spannungsverstärkung Ausgangs- und
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2.5 Der Transistor als Schalter Tra
Seite 89 und 90:
Der Kollektorstrom ist weitgehend u
Seite 91 und 92:
2.6.3 Darlington-Schaltung Die Koll
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2.6.4 Differenzverstärker Für die
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Gleichtaktspannung UGl : Differenzs
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Gleichtaktaussteuerung: Eine Änder
Seite 99 und 100:
Zentrale Eigenschaft des Differenzv
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3. Feldeffekt (Unipolare) Transisto
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Der Drainstrom wird durch Sperrschi
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n-Kanal 3.1.1 Kennlinien, Kennwerte
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Der Anstieg der ID-UGS-Kennlinie in
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Abb. 3.6: MOSFET bei positiver Gate
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3.2.1 Kennlinien, Kennwerte, Grenzw
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Der Gateanschluss bildet mit Substr
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3.3 Unipolartransistor als Schalter
Seite 129 und 130:
3.4.1 Verstärkerstufe in Source-Sc
Seite 131 und 132:
Korrespondenzen: I I S S C D I I
Seite 133 und 134:
3.4.2 Inverter in MOS-Technologie A
Seite 135 und 136:
3.5 Zusammenfassung Abb. 3.19: Type
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