1 Halbleiterdioden
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Stromverstärkung<br />
V<br />
i<br />
a<br />
i mit ie ue re<br />
ie<br />
, re Eingangswiderstand, mit dem<br />
Signalquelle belastet wird (Abb. 2.33)<br />
R1, R2 sehr hochohmig Eingangswiderstand durch rBE bestimmt!<br />
u<br />
ie iB<br />
<br />
r<br />
e<br />
BE<br />
iB verteilt sich auf rCE RC R L (Abb. 2.34)<br />
rCE RC RL<br />
ia iB<br />
(2.28)<br />
R<br />
V<br />
RC R L<<br />
rCE :<br />
i<br />
L<br />
i r<br />
a CE RC RL<br />
<br />
(2.29)<br />
i R<br />
e L<br />
V<br />
i<br />
RC<br />
<br />
R R<br />
C L<br />
Die Emitterschaltung hat eine hohe Stromverstärkung.<br />
(2.30)<br />
2-38
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