1 Halbleiterdioden

Obere Grenzfrequenz
Verstärkerschaltungen haben obere Grenzfrequenz fo, bei der Rückgang
der Spannungsverstärkung Vu einsetzt
Dynamischer Stromverstärkungsfaktor zeigt Tiefpassverhalten,
nimmt ab der Grenzfrequenz f0 mit 20 dB/Dekade ab
Transitfrequenz fT: Frequenz bei der = 1
Abb. 2.28: Frequenzabhängigkeit der dynamischen Stromverstärkung
Die Frequenz f ist die Grenzfrequenz, bei der die Stromverstärkung eines
Transistors in Emitterschaltung um 3 dB (auf 70,7 %) abgesunken ist.
f
β
f
T
(2.16)
2-28