1 Halbleiterdioden
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U BE A : 0,6 V (Silizium) oder 0,3 V (Germanium).<br />
R<br />
UB » UBE 1<br />
Vorteile der Einstellung:<br />
<br />
U B<br />
I<br />
BA<br />
1. Die Schaltung lässt sich zuverlässig dimensionieren, wenn<br />
die Stromverstärkung B bekannt ist. Hierbei sind die<br />
Exemplarstreuungen von B zu beachten.<br />
2. Bei genügend großer Spannung UB wird die Schaltung mit<br />
Stromeinspeisung von IBA betrieben, d.h., der<br />
eingespeiste Basisstrom hängt im Wesentlichen von UB<br />
und R1 ab und nicht vom Transistor<br />
U<br />
I B<br />
BA <br />
R<br />
1<br />
3. Der Temperaturgang von UBE hat keinen nennenswerten<br />
Einfluss auf die Arbeitspunktstabilität.<br />
Nachteile der Einstellung:<br />
1. Bei großen Exemplarstreuungen von B muss der<br />
Arbeitspunkt durch Trimmer (R1) fein eingestellt<br />
werden.<br />
2. Der Temperaturgang der Stromverstärkung B hat<br />
direkten Einfluss auf die Arbeitspunktstabilität<br />
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