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View - JUWEL - Forschungszentrum Jülich

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32 2 Grundlagen<br />

__________________________________________________________________________________________<br />

nes elektrischen Feldes entlang der oder quer zur Oxidschicht, bzw. der Bildung von Hohlräumen<br />

oder der Chemisorption [136].<br />

2.4.3 Bestimmende Prozesse der NiO-Reduktion<br />

Die Reduktion von NiO wird als zweistufiger Prozess beschrieben [141-147].<br />

''<br />

Im NiO-Gitter liegen Nickel-Fehlstellen als Schottky DefekteVNi<br />

vor. Aus Gründen der<br />

Ladungskompensation bilden sich trivalente Nickel-Kationen oder Elektronenlöcher [41,148].<br />

'' <br />

Ni 1<br />

2O2 <br />

NiO VNi 2h<br />

(2.28)<br />

Die Reduktion wird durch die Chemisorption, d. h. durch eine Adsorption von H 2 in einer<br />

dünnen Grenzschicht der NiO Oberfläche durch starke chemische Bindungen initiiert [142]<br />

gemäß<br />

<br />

2 H<br />

2<br />

2h <br />

H<br />

ads<br />

(2.29)<br />

<br />

1<br />

, g<br />

b<br />

Die adsorbierten Wasserstoff Spezies erzeugen im Verlauf der Chemiesorption Elektronen in<br />

der Grenzschicht:<br />

H<br />

<br />

H<br />

e<br />

'<br />

1 2<br />

2, g<br />

ads b<br />

(2.30)<br />

Es entsteht ein p-n-Übergang zwischen der Grenzschicht und der inneren NiO-Phase.<br />

Der Induktionsschritt ist bestimmt durch die Besetzung von Nickel-Fehlstellen, die Reaktionsrate<br />

ist sehr klein [145]. Es entstehen Nickel-Keime an der NiO-Partikeloberfläche. Über<br />

die Reaktionen<br />

H<br />

2<br />

2 (2.31)<br />

'' <br />

, g<br />

VNi<br />

hb<br />

<br />

NiO<br />

H<br />

2Og<br />

<br />

Ni<br />

''<br />

'<br />

H<br />

2,<br />

g<br />

VNi<br />

NiO<br />

H<br />

2Og<br />

<br />

2 eb Ni<br />

(2.32)<br />

werden weitere Nickel-Fehlstellen besetzt, bis das chemische Potential von Nickel in der<br />

Grenzschicht den gleichen Wert wie im Nickel-Keim erreicht. Dann erst kann an der NiO-<br />

Oberfläche weitere spontane Nickel-Keimbildung auftreten. Das Wachstum dieser Keime<br />

konnte durch in-situ Untersuchungen mittels Transmissionselektronenmikroskop (TEM) beobachtet<br />

werden [149,150]. Nach dem Induktionsschritt erhöht sich die Reduktionsrate stark,<br />

was auf den autokatalytischen Effekt der Nickel-Keime zurückzuführen ist [143-145]. Einfach<br />

positiv geladene Wasserstoffionen werden über Zwischengitterplätze des Nickel-Gitters oder<br />

kleine Poren zur Grenzfläche Nickel/NiO befördert [41,145]. Gleichzeitig wird Sauerstoff aus<br />

dem NiO-Gitter durch die Nickel-Schicht zur Oberfläche transportiert, wo er mit Wasser-stoff<br />

reagiert [142,145,151]. Die NiO-Reduktion schreitet an der Grenzfläche zwischen zuvor<br />

reduziertem Nickel und NiO voran. Bei Temperaturen zwischen 200 und 600°C ist die Reaktionsrate<br />

hoch und bestimmt durch die Prozesse an der Grenzfläche. Die Aktivierungsenergie<br />

beträgt 85-90 kJmol -1 . Bei höheren Temperaturen treten Sintereffekte am porösen Nickel auf,<br />

wodurch der Zugang der Wasserstoffspezies zur Metall-Oxid-Grenzschicht behindert wird

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