30.11.2014 Aufrufe

Cyclovoltammetrie - Institut für Physikalische Chemie - TU Clausthal

Cyclovoltammetrie - Institut für Physikalische Chemie - TU Clausthal

Cyclovoltammetrie - Institut für Physikalische Chemie - TU Clausthal

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

<strong>TU</strong> <strong>Clausthal</strong><br />

<strong>Institut</strong> für <strong>Physikalische</strong> <strong>Chemie</strong><br />

Fortgeschrittenenpraktikum<br />

<strong>Cyclovoltammetrie</strong><br />

<strong>Cyclovoltammetrie</strong><br />

Grundlagen zum Versuch<br />

Komponenten<br />

- Potentiostat<br />

- Funktionsgenerator<br />

- Messzelle<br />

- Platin-Elektroden<br />

- gesättigte Kalomel-Referenzelektrode<br />

1 Theoretischer Teil<br />

1.1 Prinzip der <strong>Cyclovoltammetrie</strong><br />

In cyclovoltammetrischen Messungen wird an die Elektrode von Interesse – der<br />

Arbeitselektrode – eine Dreieckspannung angelegt. Ein Regelgerät, der „Potentiostat“,<br />

hält die Spannung auf dem jeweiligen Soll, indem er den Strom durch die Zelle entsprechend<br />

reguliert. Der Strom i, der nötig ist, um diese Spannung U (bzw. dieses Potenzial ϕ) aufrecht<br />

zu erhalten, wird registriert und gegen die vorgegebene Spannung aufgetragen. Sofern in dem<br />

gewählten Potenzialbereich elektrochemische Reaktionen ablaufen, werden Stromspitzen<br />

beobachtet.<br />

A<br />

B<br />

U<br />

i<br />

Spannung vs Zeit<br />

Strom vs Zeit<br />

t t<br />

i<br />

Strom vs Spannung<br />

U<br />

C<br />

Abb. 1: Vorgabe einer Dreieckspannung (A), Aufnahme des geflossenen Stroms<br />

in Abhängigkeit von der Zeit (B) und daraus erhaltenes Cyclovltammogramm<br />

durch Auftragung des Stroms gegen die angelegte Spannung<br />

1


Diese Stromspitzen können genutzt werden, um die Art der ablaufenden Reaktionen zu<br />

charakterisieren, um die Konzentrationen der Reaktanden zu messen und u. U. die Art der<br />

elektroaktiven Spezies zu bestimmen.<br />

1.2 Potentiostatische Messungen<br />

Potentiostatische Messungen werden zumeist in einer „Drei-Elektroden-Anordnung“<br />

durchgeführt. An der „Arbeitselektrode“ laufen die Reaktionen von Interesse ab. Sie<br />

besteht oft aus einem inerten Edelmetall wie Platin oder Gold.<br />

Von einem Funktionsgenerator wird eine Sollspannung U 0 zwischen der Arbeits- und einer<br />

nicht polarisierbaren „Referenzelektrode“ angelegt. Die Referenzelektrode ist im Regelfall<br />

eine Elektrode zweiter Art, z.B. eine gesättigte Kalomelelektrode oder eine Silber-Silberchlorid-Elektrode<br />

mit konstantem Potenzial. Sie dient sozusagen als „Potenzial-Nullpunkt“.<br />

Sobald an der Arbeitselektrode eine elektrochemische Reaktion abläuft, verändert sich die<br />

Spannung U ist zwischen Arbeits- und Referenzelektrode nach dem Ohmschen Gesetz:<br />

U = RI (1)<br />

U: Spannung [V] I: Strom [A] R: Widerstand [Ω]<br />

Um die Spannung wieder an das gewünschte Sollpotenzial anzugleichen, wird nun ein Strom<br />

von der „Gegenelektrode“ zur Arbeitselektrode geschickt. Dabei ist es wichtig, dass durch<br />

die Referenzelektrode kein Stromfluss erfolgt. Ansonsten wird das Potenzial der Referenzelektrode<br />

verändert, was Fehler in der Messung verursacht.<br />

Die Gegenelektrode ist häufig aus demselben Metall wie die Arbeitselektrode gefertigt.<br />

Bei Verwendung unterschiedlicher Metalle besteht bei längeren Versuchszeiten die Gefahr,<br />

dass sich geringe gelöste Mengen fremdartigen Metalls auf der Arbeitselektrode niederschlagen<br />

und so die Oberflächeneigenschaften verändern.<br />

Rückkoppelschleife<br />

Funktionsgenerator<br />

U0U ist<br />

i<br />

U0 = Uist<br />

R<br />

Potentiostat<br />

Arbeitselektrode Referenzelektrode Gegenelektrode<br />

Abb. 2: Prinzipielle Darstellung der Funktionsweise eines potentiostatischen<br />

Messaufbaus<br />

2


1.3 Einflussgrößen<br />

Kritische Parameter bei cyclovoltammetrischen Messungen müssen wegen der Empfindlichkeit<br />

der Methode verstanden und bei der Wahl der Versuchsbedingungen berücksichtigt<br />

werden. Ansonsten kann die Reproduzierbarkeit der Messungen beeinträchtigt sein.<br />

Wichtige Einflussgrößen sind: die Reinheit des Elektrolyten und der eingesetzten<br />

Substanzen, das Elektrodenmaterial, die Wahl der Potenzialumkehrpunkte und die Potenzialvorschubgeschwindigkeit.<br />

Die Potenzialvorschubgeschwindigkeit während der Messung sollte nicht zu langsam sein,<br />

damit die Elektroden während des Potenzialdurchlaufs nicht deaktiviert werden. 10 bis<br />

30 mV/s sollten mindestens gewählt werden. Außerdem werden bei sehr kleinen Rampengeschwindigkeiten<br />

die Ströme entsprechend klein, was die Messgenauigkeit senkt.<br />

Um die Elektroden vor der Messung zu aktivieren, werden sie zunächst elektrochemisch<br />

gereinigt. Dazu wird die Spannung sehr langsam zwischen den Potenzialen der Wasserstoffund<br />

der Sauerstoffentwicklung hin- und hergefahren. Eventuell vorliegende Verunreinigungen<br />

werden dabei oxidiert / reduziert und die Metalloberflächen rekristallisiert.<br />

1.3 Deckschichtdiagramme<br />

In Abwesenheit elektroaktiver Spezies werden Cyclovoltammogramme beobachtet, in<br />

denen die Ströme aus dem Auf- und Abbau von Wasserstoff- bzw. Sauerstoff-Deckschichten<br />

resultieren. Gut reproduzierbare Ergebnisse liefert entlüftete 1 N KOH-Lösung an Platin bei<br />

20 °C mit einer Potenzialvorschubgeschwindigkeit von 100 mV/s:<br />

Abb. 3: Deckschichtdiagramm von entlüfteter 1N KOH-Lösung an Pt bei 20 °C aufgenommen<br />

mit einer Rampengeschwindigkeit von 100 mV/s<br />

(Quelle: Hamann, Vielstich, „Elektrochemie“, 3. Auflage, 2003, Seite 253)<br />

3


Bei einem Potenzial von 0.5 V vs. RHE fließt in positiver Potenzialvorschubrichtung nur<br />

ein geringer faradayscher Strom. Dieser wird zur Aufladung der elektrolytischen<br />

Doppelschicht benötigt. Die minimal Stromdichte j c lässt sich leicht mit der differentiellen<br />

Doppelschichtkapazität 1 verknüpfen.<br />

dϕ<br />

jc = Cd<br />

(2)<br />

dt<br />

C d : differentielle Doppelschichtkapazität<br />

ϕ: Potenzial<br />

Die anderen nicht-faradayschen Ströme resultieren aus Reaktionen bei der Bildung und<br />

Abreaktion von Wasserstoff- und Sauerstoff-Adsorptionsschichten. Im Sauerstoffbereich<br />

bildet sich im Hinlauf zunächst eine Sauerstoff-<strong>Chemie</strong>sorptionsschicht:<br />

Pt + OH – → Pt–OH + e – (~ 0.55 V vs. RHE)<br />

2 Pt–OH → Pt–O + H 2 O (~ 0.8 V vs. RHE)<br />

Schließlich setzt bei etwa 1.6 V vs. RHE Sauerstoffentwicklung ein. Im Rücklauf wird die<br />

Sauerstoffdeckschicht wieder reduziert. Nach einem kurzen Doppelschichtbereich wird eine<br />

Wasserstoffbelegung ausgebildet:<br />

Pt + H 2 O → Pt–H + OH –<br />

(~ 0.35 mV vs. RHE)<br />

Bei stark negativen Potenzialen wird schließlich Wasserstoff gebildet.<br />

Aus der geflossenen Ladung im Intervall dϕ lässt sich die differentielle Deckschichtkapazität<br />

C d berechnen.<br />

C d<br />

dQ j dt<br />

j(<br />

ϕ)<br />

( ϕ ) = = = (3)<br />

dϕ<br />

dϕ<br />

v<br />

Gleichung (3) gilt für Potenzialvorschubgeschwindigkeiten von bis zu 0.5 V/s. Durch<br />

Integration erhält man die integrale Ladungsdichte Q B , mit Hilfe derer man Bedeckungsgrade<br />

von Elektroden ermitteln kann.<br />

Befinden sich elektroaktive Spezies in der Lösung, so überlagern sich deren Signale mit<br />

den Deckschichtströmen. Eine geeignete Potenzialvorschubgeschwindigkeit erlaubt es, allein<br />

das Cyclovoltammogram der elektroaktiven Spezies zu untersuchen (v < 30 mV/s). Da beide<br />

1 Die Doppelschichtkapazität hängt leicht von der Spannung ab. Die „differentielle Doppelschichtkapazität“ C d<br />

ist definiert als C d = dQ/dϕ. Für ideale Kondensatoren ist C = C d = Q/U = const.<br />

4


Elektrodenvorgänge unabhängig voneinander sind, ist eine graphische Subtraktion der Deckschichtströme<br />

ebenfalls möglich.<br />

1.4 Theorie der <strong>Cyclovoltammetrie</strong><br />

Im einfachsten Fall, das heißt, wenn die einzigen Einflussgrößen die Diffusion der<br />

Reaktanden zur Elektrodenoberfläche und die darauf folgende Durchtrittsreaktion sind,<br />

lassen sich die Stromspitzen eines Cyclovoltammogramms berechnen.<br />

Die Strommaxima entstehen durch eine Verarmung an reaktiver Spezies an der Oberfläche<br />

nach Erreichen des Reaktionspotenzials. Die Oberflächenkonzentration der Reaktanden c S<br />

nimmt bei weiterem Potenzialanstieg bis auf c S = 0 ab.<br />

j = πDt<br />

Abb. 4: Diffusionsprofile in der Elektrodengrenzschicht<br />

an verschiedenen Stellen eines typischen<br />

voltammetrischen Peaks<br />

Abb. 5: Diffusionsprofile vor der<br />

Elektrodenoberfläche zu<br />

verschiedenen Zeiten t (Quelle:<br />

Hamann, Vielstich, „Elektrochemie“,<br />

3. Auflage, 2003, Seite 258)<br />

Betrachtet man einen einfachen Potenzialdurchlauf in ruhender Lösung an ebenen<br />

Elektroden mit der Redoxreaktion S red → S ox + e – , so sind zwei Grenzfälle zu unterscheiden:<br />

ungehemmter und gehemmter Ladungsdurchtritt.<br />

1.4.1 Ungehemmter Ladungsdurchtritt<br />

Im Falle eines ungehemmten Ladungsdurchtritts durch die Elektrodengrenzfläche wird die<br />

Einstellung der Gleichgewichtskonzentrationen an der Elektrodenoberfläche durch die<br />

Nernstsche Gleichung beschrieben.<br />

5


RT<br />

a<br />

0<br />

ln<br />

nF<br />

a<br />

Ox<br />

ϕ = ϕ +<br />

(4)<br />

Red<br />

ϕ: Elektrodenpotenzial ϕ 0 : Standardpotenzial R: Gaskonstante T: Temperatur F: Farady-Konstante<br />

n: Anzahl der übertragenen Elektronen pro Elementarreaktion<br />

a Ox/Red : Aktivität der oxidierten/reduzierten Spezies<br />

Mit v = dϕ/dt und ϕ = ϕ start + vt folgt:<br />

RT<br />

a<br />

ϕ = ϕStart<br />

+ vt = ϕ0<br />

+ ln (5)<br />

nF<br />

a<br />

S<br />

Ox<br />

S<br />

Red<br />

Als Verlauf von j gegen ϕ bzw. j gegen t ergibt die Rechnung (siehe Hamann, Vielstich,<br />

„Elektrochemie“, 3. Auflage, 2003, Seite 258 f.) den folgen Ausdruck für die Reaktion S red →<br />

S ox + e – :<br />

1/ 2<br />

⎛ nF<br />

⎞ 2 0 2<br />

j = nF⎜<br />

⎟ D<br />

1/ c v<br />

1/<br />

red red<br />

P[ ( ϕ − ϕ0)<br />

n]<br />

(6)<br />

⎝ RT<br />

⎠<br />

D red : Diffusionskoeffizient der reduzierten Spezies<br />

c red 0 : Anfangskonzentration der reduzierten Spezies<br />

Die Funktion P ist universell (das heißt unabhängig von den anderen in der Gleichung<br />

auftretenden Parametern). Sie gibt dabei den Verlauf von j gegen ϕ wieder. Dabei gilt bei<br />

25 °C unabhängig von v für das Peakpotenzial am Maximum ϕ p : ϕ p = ϕ 0 + 28.5 mV. Für die<br />

Höhe des Maximums (am Maximum ist P = 0.4463) folgt damit die Randles-Sevcik-<br />

Gleichung:<br />

jp 10<br />

5 2 1/ 2 0 1/ 2<br />

= 2.69⋅<br />

n<br />

3 / Dred<br />

credv<br />

(7)<br />

[j p ] = Acm -2 [D red ] = cm²s -1 [c 0 red] = molmL -1 [v] = Vs -1<br />

Man beachte, dass ϕ p unabhängig von der Rampengeschwindigkeit ist. j p ist proportional<br />

zu v 1/2 .<br />

1.4.2 Gehemmter Ladungsdurchtritt<br />

Im Prinzip erfolgt die Behandlung des gehemmten Ladungsdurchtritts analog der des<br />

ungehemmten Durchtritts. Zusätzlich muss jedoch beachtet werden, dass sich die Lage des<br />

Strompeaks mit steigender Geschwindigkeit in Richtung des Potenzialanstiegs verschiebt.<br />

Der Konzentrationsgradient in der Elektrodengrenzschicht bildet sich langsamer aus, als es<br />

6


eim ungehemmten Ladungsdurchtritt der Fall ist. Rechnerisch ist zusätzlich der Durchtrittsfaktor<br />

α zu berücksichtigen. α liegt bei etwa 0.5.<br />

1/ 2<br />

1/ 2 ⎛ αnF<br />

⎞ 1/2 0 ⎛ αnF<br />

⎞<br />

j = π nF⎜<br />

− ⎟ DredcredQ⎜<br />

vt ⎟<br />

⎝ RT<br />

⎠ ⎝ RT<br />

⎠<br />

(8)<br />

Q gibt ähnlich wie die Funktion P den Verlauf von j gegen ϕ bzw. t wieder und beträgt bei<br />

maximaler Stromdichte 0,282. Es folgt für die Spitzenstromdichte bei 25 °C:<br />

jp 10<br />

5 2 1/ 2 1/ 2 0 1/ 2<br />

= 3.01⋅<br />

n<br />

3/ α Dr<br />

ed<br />

credv<br />

(9)<br />

Anhand der Verschiebung der Peakpotenziale mit steigender Potenzialdurchlaufgeschwindigkeit<br />

lassen sich Reaktionen mit gehemmtem Ladungsdurchtritt von denen mit ungehemmtem<br />

Durchtritt unterscheiden.<br />

1.5 Cyclovoltammogramme ausgewählter Systeme<br />

In Cyclovoltammgrammen ist zwischen anodischer und kathodischer Teilreaktion zu<br />

unterscheiden:<br />

anodisch: S red →S ox + e –<br />

kathodisch: S ox + e – →S red<br />

Beide Teilreaktionen verursachen – sofern die Reaktion reversibel ist – eine Stromwelle.<br />

Ein typisches Cyclovoltammogramm einer reversiblen Redoxreaktion zeigt die folgenden<br />

typischen Charakteristika:<br />

j [mA/cm²]<br />

0<br />

Hinlauf<br />

S red<br />

S ox<br />

+ e -<br />

j p<br />

k<br />

j p<br />

a<br />

Rücklauf<br />

S ox<br />

+ e -<br />

S red<br />

0<br />

ϕ p<br />

k<br />

ϕ rev<br />

ϕ p<br />

a<br />

∆ϕ p<br />

ca. 57 mV<br />

ϕ [V]<br />

Abb. 6: wichtige Charakteristika und Größen eines<br />

Cyclovoltammogramms einer reversiblen Reaktion<br />

j a/k p : anodische / kathodisch Spitzenstromdichte<br />

ϕ a/k p : Lage des anodischen / kathodischen Maximums<br />

ϕ rev : reversibles Nernst-Potenzial<br />

7


Im Hinlauf wird auch nach Durchschreiten des Maximums weiterhin S red oxidiert. Erreicht<br />

das Potenzial seinen Umkehrpunkt, so müssen alle nun erscheinenden Peaks auf eine neue<br />

Basislinie bezogen werden, die den Strom durch die Oxidation von S red beinhaltet. Die neue<br />

Nulllinie wird so gezogen, dass sie am ersten Teil des Rücklaufstroms anliegt. Analog geht<br />

man zur Bestimmung von j k p vor.<br />

1.5.1 Ungehemmter Ladungsdurchtritt<br />

Im Falle eines ungehemmten Ladungsdurchtritts liegen die Peakpotenziale etwa 57 mV<br />

auseinander. Ihre Mitte entspricht dem reversiblen Nernst-Potenzial ϕ rev . Nimmt man<br />

weiterhin an, das D red = D ox , so ist j a p = j k p . Die Beträge von j a k<br />

p und j p steigen dabei<br />

proportional zu v 1/2 an. Ein Beispiel für eine reversible Reaktion mit ungehemmtem Ladungsdurchtritt<br />

ist die Oxidation von Diphenylanthracen zum Radikal-Kation:<br />

Ph<br />

Ph<br />

- e -<br />

+ e -<br />

+<br />

Ph<br />

Ph<br />

1.5.2 Gehemmter Ladungsdurchtritt<br />

Bei Reaktionen mit gehemmtem Ladungsdurchtritt steigt der Abstand zwischen den Peakstromspitzen<br />

mit steigender Potenzialvorschubgeschwindigkeit. Die Beträge der Spitzenstromdichten<br />

sind weiter gleich groß, wenn α = 0.5. Systeme, die einen gehemmten Ladungsdurchtritt<br />

zeigen, sind z.B. 10 -3 M Ag/Ag + (in 1 M HClO 4 , 20 °C, Pt, α = 0.65) oder H 2 /H + (in<br />

1 M H 2 SO 4 , 25 °C, Pt, α = 0.5).<br />

1.5.3 Irreversible Reaktionen<br />

Bei schnellen irreversiblen Reaktionen verschwindet im Cyclovoltammogramm der<br />

Rücklaufpeak. Dies ist der Fall, wenn das elektrochemisch erzeugte Produkt instabil ist.<br />

Ebenso können Fängersubstanzen zugegen sein, die mit dem gebildeten Produkt abreagieren.<br />

Abb. 7: Cyclovoltammogramm eines Systems, bei dem auf die elektrochemische<br />

Reaktion eine schnelle irreversible Umsetzung folgt<br />

8


Im Falle einer nicht allzu schnellen irreversiblen Reaktion wird der Rücklaufpeak lediglich<br />

kleiner. Die Höhe der Stromspitze steigt auch hier mit steigender Potenzialvorschubgeschwindigkeit.<br />

Abb. 8: Cyclovoltammogramm eines Systems, bei dem auf die elektrochemische<br />

Reaktion eine langsame irreversible Umsetzung folgt<br />

1.5.4 Folgereaktionen<br />

Reagieren die entstandenen Produkte elektrochemisch weiter (z.B. durch einen zweiten<br />

Oxidationsschritt), so treten im Cyclovoltammogramm mehrere aufeinander folgende Stromspitzen<br />

auf, die den einzelnen Reaktionen zuzuordnen sind. Diese Cyclovoltammogramme<br />

sollten weiterhin die genannten Charakteristika aufweisen, z.B. den Anstieg der Höhe der<br />

Stromspitzen proportional zu v 1/2 .<br />

Abb. 9: Cyclovoltammogramm eines Systems, in mehrere<br />

aufeinander folgende elektrochemische Reaktionen auftreten<br />

1.5.5 Diagnosekriterien<br />

Je mehr Reaktionen ablaufen, umso komplizierter wird die Auswertung der Cyclovoltammogramme.<br />

Um die Auswertung zu vereinfachen, hat man Diagnosekriterien ermittelt,<br />

die Hinweise auf den vorliegenden Mechanismus geben. Als Parameter dienen:<br />

• Verschiebung der Peakpotenziale ϕ p hin in Abhängigkeit von der gewählten Potenzialvorschubgeschwindigkeit<br />

• Differenz zwischen den Peakpotenzialen ∆ϕ p<br />

• Verhältnis des Hinlaufstromdichte zur Wurzel der Potenzialvorschubgeschwindigkeit<br />

j hin p /v 1/2<br />

9


• Verhältnis der maximalen Peakstromdichten j rück hin<br />

p /j p<br />

Anhand der genannten Parameter ist es möglich zwischen den folgenden Mechanismen zu<br />

differenzieren:<br />

• Diffusionskontrolle, ungehemmter Ladungsaustausch:<br />

hin<br />

o keine Verschiebung von ϕ p<br />

o<br />

∆ϕ p = 59/n mV<br />

o<br />

o<br />

j hin<br />

p<br />

j<br />

v<br />

rück<br />

p<br />

hin<br />

jp<br />

= const.<br />

= 1<br />

• Durchtrittskontrolle, gehemmter Ladungsaustausch:<br />

o Verschiebung von ϕ p<br />

hin<br />

mit steigenden v in Potenzialanstiegsrichtung<br />

o ∆ϕ p = 59/n mV (steigt mit v)<br />

o<br />

o<br />

j hin<br />

p<br />

j<br />

v<br />

rück<br />

p<br />

hin<br />

jp<br />

= const.<br />

= 1 ⇔ α = 0.5<br />

• Ladungsaustausch nur in Hinlaufreaktion:<br />

o Verschiebung von ϕ p<br />

hin<br />

mit steigenden v in Potenzialanstiegsrichtung<br />

o<br />

∆ϕ p : Rücklaufpeak fehlt<br />

o<br />

j hin<br />

p<br />

v<br />

= const.<br />

• EC-Mechanismus: auf die elektrochemische Reaktion folgt eine reversible<br />

chemische Reaktion:<br />

o Verschiebung von ϕ p<br />

hin<br />

mit steigendem v in Potenzialanstiegsrichtung<br />

o<br />

o<br />

j<br />

j hin<br />

p<br />

v<br />

rück<br />

p<br />

hin<br />

jp<br />

: wächst mit v<br />

= 1 ⇔ v↓, sinkt mit steigendem v<br />

10


• EC-Mechanismus: auf die elektrochemische Reaktion folgt eine noch umkehrbare<br />

chemische Reaktion:<br />

hin<br />

o Verschiebung von ϕ p mit steigendem v in Potenzialanstiegsrichtung<br />

o Rücklaufpeak fehlt wenn v↓ oder wenn der Folgeschritt schnell abläuft<br />

o<br />

o<br />

j<br />

j hin<br />

p<br />

v<br />

rück<br />

p<br />

hin<br />

jp<br />

: nimmt mit v ab<br />

< 1 ⇔ v↓, nimmt mit steigendem v ab<br />

• CE-Mechanismus: eine irreversible chemische Reaktion ist der elektrochemischen<br />

Umsetzung vorgelagert:<br />

o - Verschiebung von ϕ p<br />

hin<br />

mit steigendem v GEGEN Potenzialanstiegsrichtung<br />

o<br />

o<br />

j hin<br />

p<br />

j<br />

v<br />

rück<br />

p<br />

hin<br />

jp<br />

: nimmt mit v ab<br />

= 1 ⇔ v↓, nimmt mit steigendem v ab<br />

2 Experimenteller Teil<br />

2.1 Aufgabenstellung<br />

Die folgenden Versuche sind durchzuführen:<br />

1) Beschriften Sie ein Deckschichtdiagramm von 1 M entlüfteter H 2 SO 4 (Zuordnung der<br />

Peaks zu den ablaufenden Reaktionen). Berechnen Sie die differentielle Doppelschichtkapazität.<br />

2) Markieren Sie an einem Cyclovoltammogramm von K 3 [Fe(CN) 6 ] exemplarisch die<br />

interessanten Parameter. Charakterisieren Sie den Reaktionstypus (un-/gehemmt? ir-<br />

/reversibel? Folgereaktionen?). Bestimmen Sie analog Gleichung (9) den Diffusionskoeffizienten<br />

von K 3 [Fe III (CN) 6 ], indem sie jeweils die anodische bzw. kathodische<br />

Spitzenstromdichte gegen die Wurzel der Potenzialvorschubgeschwindigkeit auftragen.<br />

Der Durchtrittsfaktor α beträgt dabei etwa 0.49. Die Bestimmung der Spitzenstromdichten<br />

erfolgt graphisch analog Kapitel 1.5 Diskutieren Sie qualitativ die Fehler, die<br />

das Ergebnis verfälscht haben könnten.<br />

3) Bestimmen Sie den Typus einer unbekannten Reaktion durch Aufnahme von Cyclovoltammogrammen.<br />

Diskutieren Sie, um welche Art von Substanz oder System es sich<br />

handeln könnte und wo es Anwendungsmöglichkeiten gibt.<br />

11


2.2 Versuchsaufbau<br />

Referenzelektrode<br />

(ges. Kalomel)<br />

N 2<br />

Potentiostat<br />

Gegenelektrode (Pt)<br />

Arbeitselektrode (Pt)<br />

Reaktionslösung<br />

2.3 Versuchdurchführung<br />

1) Führen Sie eine elektrochemische Reinigung durch. Dazu wird das Potenzial der<br />

Platin-Elektroden in 1 M H 2 SO 4 von –1 bis +1.5 V vs. SCE mit 10 mV/s variiert. Die<br />

Lösung steht dabei unter Stickstoff.<br />

2) Nehmen Sie ein Deckschichtdiagramm von 1 M entlüfteter H 2 SO 4 an Platin in einem<br />

Potenzialbereich von –1 bis +1.5 V vs. SCE mit 100 mV/s auf.<br />

3) Messen Sie Cyclovoltammogramme einer entlüfteten 0.4 M K 2 SO 4 -Lösung (nach 10<br />

min Stickstoffspülung) an Pt. Variieren Sie dabei die Potenzialvorschubgeschwindigkeit:<br />

25, 50, 75, 100 und 125 mV/s. Der Potenzialbereich sollte von –0.4<br />

bis +0.6 V gewählt werden. Wiederholen Sie die Experimente nach Zugabe von<br />

5 mmol/L K 3 [Fe(CN) 6 ].<br />

4) Nehmen Sie Cyclovoltammogramme in entlüfteter 0.4 M K 2 SO 4 mit den<br />

Geschwindigkeiten 50 und 100 mV/s in einem Potenzialbereich von –1 bis 0.4 V auf.<br />

Geben Sie die vom Assistenten ausgehändigte unbekannte Substanz zu und wiederholen<br />

Sie die Experimente.<br />

5) Bitte denken Sie daran, die Elektrodenfläche zu vermessen!<br />

2.4 Literatur<br />

• Hamann, Vielstich: Elektrochemie, Kap. 5.2.1 („ Die Dreieckspannungsmethode“)<br />

12


2.5 Anhang: Einzelheiten zur Versuchsdurchführung<br />

Bedienung des Funktionsgenerators<br />

2. "Period": Periode (in s) des<br />

Sägezahndurchlaufs zu Vorgabe der<br />

Potenzialvorschubgeschwindigkeit:<br />

U<br />

0V<br />

Periode<br />

t<br />

3. "HiLevel": Oberer Potenzialumkerhpunkt<br />

(in V oder mV)<br />

VORSICHT: Der Funktionsgenerator<br />

verdoppelt das vorgegebene Signal, d.h.<br />

zum Anlegen einer Spannung von 1000 mV<br />

muss 500 mV eingegeben werden!<br />

1."Ramp": Signalform<br />

zum Anlegen des Sägezahnsignals<br />

4. "LoLevel": Unterer Potenzialumkehrpunkt<br />

Ebensoe wie bei "HiLevel" muss<br />

der halbierte Wert eingegeben werden<br />

5. "Symmetry" : Eingabe<br />

von 50 % um einen symmetrischen<br />

Sägezahn zu erhalten<br />

Eingabe der Werte: Die Werte sind (evtl. mit<br />

negativem Vorzeichen) in diesem Panel einzugeben.<br />

Korrekturen erfolgen über die beiden<br />

Vor-/Zurück-Knöpfe unter dem Drehknopf.<br />

Nach Eingabe des Wertes muss mit Hilfe der<br />

blauen Knöpfe unter dem Display die<br />

gewünschte Einheit ausgewählt werden.<br />

13


6. Anlegen des Signals an die Zelle:<br />

Zunächst wird (nur einmal) nacheinander „Burst“ und „Trigger“ gedrückt. Wenn beide<br />

Knöpfe leuchtet, läuft KEIN Sägezahn. Durch Drücken von „Burst“ kann dann der Sägezahn<br />

gestartet werden.<br />

Um das Signal dem Potentiostaten vorzugeben, muss der Knopf „Output“ (unten rechts)<br />

aktiviert werden. Wenn er leuchtet, wird das Signal ausgegeben.<br />

Bedienung des Potentiostaten<br />

1 2 3<br />

4 5 6 7 8 9<br />

1: Einstellung des Strombereichs, im Versuch: 1000 mA<br />

2: Ausgabe der gemessenen Spannungs- und Stromwerte (werden über einen Analog-zu-<br />

Digital-Wandler zum Rechner übertragen<br />

3: Anzeige der momentanen Spannung zwischen Arbeits- und Referenzelektrode<br />

4: Kippschalter „open loop“/“cell current“<br />

“open loop”: Die Zelle ist von der Stromversorgung getrennt, sie kann in diesem Zustand<br />

sicher gehandhabt werden. VORSICHT! IMMER, wenn an der Zelle Veränderungen<br />

durchgeführt werden, muss sichergestellt werden, dass der Kippschalter auf „open loop“<br />

steht!<br />

„cell current“: Die Zelle kann vom Potentiostaten angesteuert werden. Zum Messen muss<br />

der Kippschalter immer auf „cell current“ stehen!<br />

5: Anschluss der Gegenelektrode („counter electrode“)<br />

6: Anschluss der Referenzelektrode („reference electrode“)<br />

7: Anschluss der Arbeitselektrode („working electrode“)<br />

8: Kippschalter Potentiostat/Galvanostat, muss auf „Potentiostat“ stehen<br />

9: Eingang für die vom Funktionsgenerator vorgegebene Spannung<br />

14


Bedienung des Messprogramms „Qtz/EIP“<br />

1 2 3 4 5<br />

6<br />

7<br />

1: „Start EC“ zum starten und stoppen der Messungen<br />

2: „FS Current“; hier muss der Strombereich, der am Potentiostaten eingestellt wurde,<br />

eingetragen werden (im Versuch: 1000 mA)<br />

3: „Reset Graph“: dient zum Löschen aller Daten bei fehlerhaften Messungen<br />

4: Überschrift: Speicherort und Dateiname<br />

5: Abbildung der Ergebnisse, wahlweise i gegen t oder i gegen U<br />

6: „Delete Data Point“: zur Entfernung von Ausreißerwerten<br />

7: hier kann gewählt werden, welcher Parameter als x-Wert dienen soll<br />

15


Durchführung einer einzelnen Messung<br />

1. Der Kippschalter 4 am Potentiostaten sollte auf „open loop“ stehen.<br />

2. evtl.: Änderungen an der Zelle vornehmen und mit N 2 spülen<br />

3. Überprüfen Sie, ob alle Elektroden ordnungsgemäß mit dem Potentiostaten verbunden<br />

sind.<br />

4. Überprüfen Sie, ob der eingestellte Strombereich im Programm mit der Anzeige am<br />

Potentiostaten übereinstimmt.<br />

5. Stellen Sie die gewünschten Parameter am Funktionsgenerator ein und achten Sie<br />

darauf, dass „burst“ und „trigger“ sowie „output“ leuchten.<br />

6. Erstellen Sie eine neue Datei im Programm „Qtz/EIP“ über file – new – Speicherort<br />

auswählen – Dateiname eingeben (der Speicherort sollte mit dem Assistenten<br />

abgesprochen werden).<br />

7. Stellen Sie den Kippschalter 4 am Potentiostaten auf „cell current“.<br />

8. Starten Sie die Messung im Programm Qtz/EIP.<br />

9. Drücken Sie auf „burst“ am Funktionsgenerator, um den Sägezahn zu starten.<br />

10. Nehmen Sie einen cyclovoltammetrischen Durchlauf auf. Achten Sie darauf, dass der<br />

Strom die Grundlinie wieder erreicht, um ein geschlossenes Cyclovoltammogramm zu<br />

erhalten.<br />

16

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!