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Märkte + Technologien<br />
Bilder: Infi neon<br />
Für die Fertigung von 300-mm-Wafern hat Infineon in Villach eine neue<br />
Pilotlinie aufgebaut.<br />
kein Problem: „Bei der Fortentwicklung unserer Fertigung denken<br />
wir vor allem an die Technologie, weniger an Marktzyklen“. Das<br />
verwundert kaum bei drei Jahren Entwicklungszeit. Der Vorteil<br />
dabei ist, dass Infineon dann sehr schnell auf steigende Nachfrage<br />
reagieren kann.<br />
Das heutige, durchgängig qualifizierte Fertigungskonzept für die<br />
CoolMOS-Produkte mit dem Front-End-Standort Villach und der<br />
Montage der dünnen Chips im Back-End-Standort in Malakka<br />
(Malaysia) wird in der nächsten Ausbaustufe durch den Front-<br />
End-Standort Dresden erweitert. Hier liegt der Schwerpunkt auf<br />
der Hochvolumenfertigung in einer vollautomatisierten 300-mm-<br />
Linie. In entsprechenden Forschungsprojekten wird in Dresden<br />
die Basis für die erforderlichen Prozesse und Fertigungstechniken<br />
entwickelt – viel Know-how dazu stammt aus den von Qimonda<br />
übernommenen Fertigungsräumen und -Maschinen.. In Villach<br />
ist bei der Fertigung derzeit noch vergleichsweise viel Handarbeit<br />
nötig. Langfristig geht Dr. Ploss davon aus, dass Infineon 60 bis 70<br />
Prozent des Volumens in Dresden fertigt und die restlichen 30 bis<br />
Auf einen Blick<br />
300-mm-Wafer-Fertigung<br />
In der Digital<strong>elektronik</strong> sind 300-mm-Wafer längst Stand der Technik,<br />
doch bei Leistungshalbleitern galten sie bislang als unrentabel. Infi -<br />
neon hat dennoch investiert und präsentiert nun die erste marktreife<br />
Fertigung auf 300-mm-Dünnschichtwafern mit CoolMOS C3 und C6<br />
(beide 600 V).<br />
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40 Prozent weiterhin in Villach. In Villach werden demnächst weitere<br />
Leistungshalbleiter-Technologien auf die 300-Millimeter-Linie<br />
transferiert und gefertigt.<br />
Die Entwicklung der kommenden Power-Technologie wird<br />
schwerpunktmäßig auf 300- statt auf 200-Millimeter-Dünnwafern<br />
vorangetrieben. Zu diesen diskreten Halbleitern gehören neben<br />
den CoolMOS-Transistoren für Spannungen bis zu 900 V, auch<br />
SiC-Dioden oder IGBTs sowie Niedervolt-MOSFETs.<br />
In das vor drei Jahren begonnene 300-mm-Projekt investierte<br />
der Halbleiterhersteller in die Standorte Villach und Dresden etwa<br />
250 Millionen Euro. Dazu gehören die neue Fertigungslinie in Villach.<br />
Hier fertigt erstmals eine Fab auf zwei Etagen. Gut 100 Millionen<br />
investierte Infineon in die Übernahme eines Teils der ehemaligen<br />
Qimonda-Fertigung in Dresden. (lei/ah)<br />
■<br />
Die Autoren: Andrea Hackbarth ist Redakteurin der<br />
Fachzeitschrift <strong>elektronik</strong> <strong>industrie</strong> und Dipl.-Ing. für<br />
Produktionstechnik. Achim Leitner ist Chefredakteur<br />
von all-electronics.de.<br />
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