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Märkte + Technologien<br />

Bilder: Infi neon<br />

Für die Fertigung von 300-mm-Wafern hat Infineon in Villach eine neue<br />

Pilotlinie aufgebaut.<br />

kein Problem: „Bei der Fortentwicklung unserer Fertigung denken<br />

wir vor allem an die Technologie, weniger an Marktzyklen“. Das<br />

verwundert kaum bei drei Jahren Entwicklungszeit. Der Vorteil<br />

dabei ist, dass Infineon dann sehr schnell auf steigende Nachfrage<br />

reagieren kann.<br />

Das heutige, durchgängig qualifizierte Fertigungskonzept für die<br />

CoolMOS-Produkte mit dem Front-End-Standort Villach und der<br />

Montage der dünnen Chips im Back-End-Standort in Malakka<br />

(Malaysia) wird in der nächsten Ausbaustufe durch den Front-<br />

End-Standort Dresden erweitert. Hier liegt der Schwerpunkt auf<br />

der Hochvolumenfertigung in einer vollautomatisierten 300-mm-<br />

Linie. In entsprechenden Forschungsprojekten wird in Dresden<br />

die Basis für die erforderlichen Prozesse und Fertigungstechniken<br />

entwickelt – viel Know-how dazu stammt aus den von Qimonda<br />

übernommenen Fertigungsräumen und -Maschinen.. In Villach<br />

ist bei der Fertigung derzeit noch vergleichsweise viel Handarbeit<br />

nötig. Langfristig geht Dr. Ploss davon aus, dass Infineon 60 bis 70<br />

Prozent des Volumens in Dresden fertigt und die restlichen 30 bis<br />

Auf einen Blick<br />

300-mm-Wafer-Fertigung<br />

In der Digital<strong>elektronik</strong> sind 300-mm-Wafer längst Stand der Technik,<br />

doch bei Leistungshalbleitern galten sie bislang als unrentabel. Infi -<br />

neon hat dennoch investiert und präsentiert nun die erste marktreife<br />

Fertigung auf 300-mm-Dünnschichtwafern mit CoolMOS C3 und C6<br />

(beide 600 V).<br />

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501ae0213<br />

40 Prozent weiterhin in Villach. In Villach werden demnächst weitere<br />

Leistungshalbleiter-Technologien auf die 300-Millimeter-Linie<br />

transferiert und gefertigt.<br />

Die Entwicklung der kommenden Power-Technologie wird<br />

schwerpunktmäßig auf 300- statt auf 200-Millimeter-Dünnwafern<br />

vorangetrieben. Zu diesen diskreten Halbleitern gehören neben<br />

den CoolMOS-Transistoren für Spannungen bis zu 900 V, auch<br />

SiC-Dioden oder IGBTs sowie Niedervolt-MOSFETs.<br />

In das vor drei Jahren begonnene 300-mm-Projekt investierte<br />

der Halbleiterhersteller in die Standorte Villach und Dresden etwa<br />

250 Millionen Euro. Dazu gehören die neue Fertigungslinie in Villach.<br />

Hier fertigt erstmals eine Fab auf zwei Etagen. Gut 100 Millionen<br />

investierte Infineon in die Übernahme eines Teils der ehemaligen<br />

Qimonda-Fertigung in Dresden. (lei/ah)<br />

■<br />

Die Autoren: Andrea Hackbarth ist Redakteurin der<br />

Fachzeitschrift <strong>elektronik</strong> <strong>industrie</strong> und Dipl.-Ing. für<br />

Produktionstechnik. Achim Leitner ist Chefredakteur<br />

von all-electronics.de.<br />

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