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Tesis previa a la obtención del -titulo de Ingeniero Electrónico en la ...

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_ _ 7.15 V - 5 V _ 9<br />

Ka — ñ—T<br />

1 im<br />

/.<br />

= 5<br />

- 136 -<br />

Ra = RÍ oí + 1 kfi" = 2.15 kfi . ' . , ' (2.123)<br />

oí = 2.15 kfi - 1 kfi = 1.15 kfi ,<br />

Se escoge PM 01 = 1.1 kQ , 1/4 W<br />

Kb = EI 02 + 1 kfi = 5 kíi . (2.124)<br />

Pq 02 - 5 kT: - 1 kfi = 4 kfi<br />

Se escoge PH 02 = 3.9 kfi ,. 1/4 W<br />

A continuación se <strong>de</strong>termina el tipo <strong>de</strong> transistores necesarios<br />

para el elem<strong>en</strong>to <strong>de</strong> control serie (BOOSTER) ; para ello se establece el<br />

rango <strong>de</strong> variación <strong><strong>de</strong>l</strong> voltaj e <strong>de</strong> <strong>en</strong>trada al regu<strong>la</strong>dor integrado 723 :<br />

Vin(min) = 9.5 V<br />

Vin(Tnáx) - 40 V<br />

VCB4(mn) = ^(^> " Vcc ' (2.125)

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