Tesis previa a la obtención del -titulo de Ingeniero Electrónico en la ...

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¡TYPES 2N1047 THRU 2N1050,2N1047A THRU 2N1050A, :2N1047B THRU 2N1050B 'N-P-N TRIPLE-DIFFUSED PLANAR SILICON POWER TRANS1STORS el tétrica I characterístícs at 25°C case temperature (unless otherwís« noted) PARAMETER Calle elor-Emiíter YI«K*° Sreakdown Yoltoge * 'cío Colletlor CutoH Curren! "ICEV Colletlor CutoH Curren! *Ít,0 Emirier CutoH Curren! Stotic Forwnrd re Curren! Transfer Raíío *Vt Basí-Emifter Yoftoge , Collectof-Emirter YCHMI Soluralíon Yollose TEST CONDITIONS |c = 30mA, 1. — 0, Sec Note 5 Vc. = 3QY, IE = 0 Ve. = 30 Y, I£ = 0, Tc = i5o'e YCE = SOY, Y* = -UY Yc£=12QV, V«; = _].5Y Vu = 6 V, te = 0 YCE= 10 Y, le- 500 mA, See Motes 5 and fi YC£= 10 Y, lc = 500mA, TC = -55°C, Sec Noreí 5 and 6 YCE= 10 V, [c = 500mA, See Notei 5 and f> 1, = IDOmA, ¡c = 500 mA, See Notes 5 ond 6 2NI047 2N1048 2N1049 | 2N105Q MIN MAX |MIN MAX|M1N WjUCJMÍN MAX SO 15 350 250 250 U 36 E fi 7.5 120 15 350 250 250 12 36 'electrical characterlstics at 25°C case íemperature (unless ofherwíse noted) PARAMETER Calle ctor-Emirler YfKtcEO EreoVdown Yoltnge {^to Collector Cutofí Current ICEY Collector Cutoff Curren! UPO Emitter CutoH Current Emirter-Bose 'E«l(i! floating Potentíal Staíit Fonvarri Current h(í Trnnsfer Rptio VK Base-Emiíter Yoitoge ColIetíor-EmiHer VcE|»t| Saturation Yoltogt Common-Emiííer Iw- Beto-CutoH Frequency 10TES: I. TWn ¡«i«m.|.fi «int 1, Tbn* patim*\*rí tu m •InJImn JEDEC r*fHi«-i Jc«irjl") I«n(*ttl, 75 120 15 15 350 350 250 250 250 0.5 12 36 8 75 6 7J 80 15 15 350 350 250 250 250 0.5 30 90 20 75 6 7-5 120 15 350 250 250 30 ?0 20 fi 7.5 2N1050A M!N MAX 120 15 15 350 350 250 250 250 Qj 30 90 20 75 fi 7.5 UNIT Y l¿ M M Y Y UNIT Y P* ^ M Y Y Y Uü
TYPE 2N3055 N-P-N SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTOR * electrícal characterístlcs crt 25 °C case tempe roture (unless otherwJse noted) MÍES: 3. T ni paiaixtíin vinl bt mtoimuí «¡415 pulu ¡«iiniqufl. 1 = 3DO (í\, íul; cydt < 2%.
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SISTEMA DIGITAL DE IIAMAM PARA ENFE
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