Tesis previa a la obtención del -titulo de Ingeniero Electrónico en la ...
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'- 59<br />
Para el cálculo <strong>de</strong> <strong>la</strong> resist<strong>en</strong>cia R2i., se consi<strong>de</strong>ra el instan-<br />
te <strong>en</strong> que el transistor se satura.<br />
•%<br />
En <strong>la</strong> sección 2.3.7 se <strong>de</strong>terminó <strong>en</strong> 10 mA <strong>la</strong> corri<strong>en</strong>te.. que<br />
circu<strong>la</strong> por el diodo Led <strong><strong>de</strong>l</strong> optoacop<strong>la</strong>dor; para el optoacop<strong>la</strong>dor TIL<br />
124 <strong>la</strong> minina razón <strong>de</strong> transfer<strong>en</strong>cia <strong>de</strong> corri<strong>en</strong>te (CIEl) está <strong>en</strong> el or_<br />
<strong>de</strong>n <strong><strong>de</strong>l</strong> 50 7o por lo tanto <strong>la</strong> corri<strong>en</strong>te que circu<strong>la</strong> por el fototransis_<br />
tor <strong>en</strong> saturación es <strong>de</strong> 5 míV.<br />
= 50 % .'. ; (2.46)<br />
Ic = Ip x 50 % . (2.47)<br />
Ic = 10 mA x 50 % = 5 mA • . .<br />
La resist<strong>en</strong>cia ]^1( se pue<strong>de</strong> calcu<strong>la</strong>r mediante <strong>la</strong> ecuación que<br />
se escribe a continuación.<br />
Vcc - V cE(sat)opto<br />
-\2L T \<br />
\i<br />
<strong>la</strong> corri<strong>en</strong>te ÜL pue<strong>de</strong> <strong>de</strong>terminarse <strong><strong>de</strong>l</strong> circuito <strong>de</strong> <strong>la</strong> figura 2.17<br />
*N>r<br />
Ig « Ic - L^ ' (2.49)<br />
I_ = 1.2 mA
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