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Tesis previa a la obtención del -titulo de Ingeniero Electrónico en la ...

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- 200 yA<br />

- 51<br />

De acuerdo a <strong>la</strong>s características <strong><strong>de</strong>l</strong> transistor el voltaie<br />

J<br />

<strong>de</strong>be ser 1.4 V para saturación, ver figura 2.14.<br />

Figura 2.14.<br />

Defini<strong>en</strong>do a <strong>la</strong> resist<strong>en</strong>cia conectada a <strong>la</strong> base corno:<br />

+<br />

- V BE(sat)<br />

3.3 V - 1.4 V<br />

200 uA<br />

= 9.5 k£7.<br />

(2.43)<br />

(2.44)<br />

La resist<strong>en</strong>cia RI 5 se escoge tomando <strong>en</strong> cu<strong>en</strong>ta <strong>la</strong> máxima co-<br />

rri<strong>en</strong>te que pue<strong>de</strong> circu<strong>la</strong>r por el altopar<strong>la</strong>nte: • -<br />

, = 500 m A . ' . 1L , - 500 yA (B - 1000)<br />

max B max H \<br />

Entonces cuando el pot<strong>en</strong>ciómetro está al mínimo (k = 0) <strong>de</strong> a-

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