Tesis previa a la obtención del -titulo de Ingeniero Electrónico en la ...

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0.16 A/5 w RSC1 0.16n/5w -^VW-4 RSC2 CL 723 CS r° Ln -P- R101 1.1 K P3 2K R102 3.9 K 5000 PF ±
139 - = 4.5 A B, . = 20 por consiguiente: A = 214.28 rtA ero: = 214.28irA (2.130) El transistor T6 que se emplea en la conexión conpuesta con T4 y T5 se elige de la siguiente manera: V_r/ CEbCmax) „ , = V,-/-- CE5(max) v - Vn^r BE5 pero V-—,c/ ^ -, — V«^,// ^ N entonces: ¿ CE5(max) CE4(nHx) PC6(máx) VCE6(ináx) x ^6 (2.132) ra 214 m& . ' . x- . = 30 6 mm =23V- 206.99 nA= 4.74 W Se elige el transistor 210.049 que tiene una ganancia de 30 p£i r . ! (2'133) 6 rain
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Serle* 1 (cont.) TRIAC OUTPUT, PANE
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• LM2900/LM3900 Absoluta Máximum
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50 PKV Voln 50 IDO . . IDO 200 " 20
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