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Tesis previa a la obtención del -titulo de Ingeniero Electrónico en la ...

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D = 2.93 W<br />

Rscí<br />

= 0.140,<br />

- 141<br />

Se escoge Fscí = 0.16o_ /5 W<br />

Para <strong>la</strong> fu<strong>en</strong>te <strong>de</strong> 12 V.<br />

Vnns = 15.30 V ~ 16 V<br />

Irras = 532 nA<br />

PVA=8.5VA<br />

PIV= 21.66 V<br />

De acuerdo a los valores <strong>de</strong> PIV. e Lf se escoge el diodo 1N4004<br />

cuyas características se pue<strong>de</strong>n ver <strong>en</strong> el anexo 1.<br />

La capacidad <strong>de</strong> filtrado G20 se calcu<strong>la</strong> <strong>de</strong>" acuerdo a <strong>la</strong> re<strong>la</strong>-<br />

ción (2 . 121) , obt<strong>en</strong>iéndose : .<br />

Cao - 593 pF Se escoge C ZQ= 1000 y F/35 V.<br />

122) .<br />

El valor <strong><strong>de</strong>l</strong> fusible (F2 ) se obtuvo aplicando <strong>la</strong> re<strong>la</strong>ción (2.<br />

Para finalizar este subcapitulo se diseñará el sistema <strong>de</strong> ali

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