Catálogo general eXperimentos de FísiCa

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Rectificación de tensión alterna mediante diodos (P4.1.4.1) No de Cat. Artículo 576 74 Tablero de conexiones DIN A4 1 1 1 578 51 Diodo Si 1N 4007, STE 2/19 4 579 06 Portalámparas con rosca E10 arriba, STE 2/19 1 1 505 08 ELECTrónICA COMpOnEnTEs ELECTrónICOs, CIrCuITOs básICOs Lámparas de incandescencia 12 V/3 W, E10, juego de 10 501 48 Conectores puente, juego de 10 1 P4.1.4.1 P4.1.4.2 1 1 521 485 Unidad de alimentación C.A./C.C. 0...12 V/ 3A 1 1 1 575 212 Osciloscopio de dos canales 400 1 575 24 Cable de medición BNC/enchufe de 4 mm 1 531 120 Multímetro LDanalog 20 1 2 501 45 Cable, 50 cm, rojo/azul, par 2 3 1 578 55 Diodo zener ZPD 6,2, STE 2/19 1 577 42 Resistencia 680 Ohmios, STE 2/19 1 1 578 57 Diodo luminoso verde, LED1, arriba, STE 2/19 1 578 48 Diodo luminoso rojo, LED2, arriba, STE 2/19 1 P4.1.4.3 Circuitos con diodos WWW.LD-DIDACTIC.COM ExpErIMEnTOs DE FísICA P4.1.4 P4.1.4.1 Rectificación de tensión alterna mediante diodos P4.1.4.2 Limitación de tensión con un diodo Zener P4.1.4.3 Verificación de polaridad mediante diodos luminosos Los diodos, diodos Zener y diodos luminosos se han convertido en componentes elementales de casi todos los circuitos electrónicos. En el ensayo P4.1.4.1 se estudia el funcionamiento de rectificadores de media y de onda completa para la rectificación de una tensión alterna: El rectificador de media onda construido de un solo diodo bloquea, según sea la polaridad del diodo, cada primera media onda de la tensión alterna y deja pasar cada segunda media onda. Por el contrario, el rectificador de onda completa construido con cuatro diodos conectados en puente utiliza ambas semiondas de la tensión alterna. En el ensayo P4.1.4.2 se demuestra el empleo de un diodo Zener como dispositivo de protección contra sobretensiones. Siempre que la tensión esté por debajo de la tensión de ruptura U Z del diodo Z, el diodo Z actúa como aislador y la tensión U permanece sin cambiar. Si las tensiones están por encima de U Z entonces fluye una corriente tan alta por el diodo Z, que U es limitada a U Z. El objetivo del ensayo P4.1.4.3 es el montaje de un circuito para la verificación de la polaridad de la tensión con un diodo luminoso verde y un diodo luminoso rojo. El circuito es probado con tensión continua y con tensión alterna. 155
COMpOnEnTEs ELECTrónICOs, CIrCuITOs básICOs P4.1.5 Registro de las curvas características de un transistor (P4.1.5.2) No de Cat. Artículo 576 74 Tablero de conexiones DIN A4 1 1 1 578 67 Transistor BD 137, STE 4/50 1 1 578 68 Transistor BD 138, STE 4/50 1 577 32 Resistencia 100 Ohmios, STE 2/19 1 1 521 485 Unidad de alimentación C.A./C.C. 0...12 V/ 3A 1 1 531 120 Multímetro LDanalog 20 2 3 2 501 45 Cable, 50 cm, rojo/azul, par 3 4 3 577 44 Resistencia 1 kOhmio, STE 2/19 1 1 577 64 Resistencia 47 kOhmios, STE 2/19 1 1 577 90 Potenciómetro 220 Ohmios, STE 4/50 1 1 577 92 Potenciómetro 1 kOhmio, STE 4/50 1 1 501 48 Conectores puente, juego de 10 1 1 578 77 STE Transistor FTE BF 244, STE 4/50 1 578 51 Diodo Si 1N 4007, STE 2/19 1 521 45 Unidad de alimentación de CC, 0 ... ±15 V 1 521 210 Transformador, 6/12 V 1 575 212 Osciloscopio de dos canales 400 1 575 24 Cable de medición BNC/enchufe de 4 mm 2 500 422 Cable de experimentación 50 cm, azul 1 156 ExpErIMEnTOs DE FísICA WWW.LD-DIDACTIC.COM P4.1.5.1 P4.1.5.2 P4.1.5.3 Transistores ELECTrónICA P4.1.5.1 Estudio de las propiedades de diodos de las secciones de transistores P4.1.5.2 Registro de las curvas características de un transistor P4.1.5.3 Registro de las curvas características de un transistor de efecto de campo Por todos es conocido que los transistores son componentes semiconductores de los más importantes en los circuitos electrónicos. Se diferencia entre transistores bipolares, en los cuales los electrones y huecos participan simultáneamente en la conducción de corriente, y transistores de efecto de campo, en los que los electrones son los responsables por la corriente. Los electrodos del transistor bipolar se denominan Emisor, Base y Colector. Estos están compuestos de tres capas conductoras n y p, en la sucesión npn o pnp. La zona de la base situada en el centro es tan delgada que los portadores de carga que parten de una juntura alcanzan la otra. En los transistores de efecto de campo la conductividad del canal conductor de corriente varía sin pérdida de potencia por medio de un campo eléctrico. Este campo es generado por el llamado Gate (puerta). El electrodo de entrada de estos transistores se denomina Source (surtidor) y el electrodo de salida Drain (drenador). El objetivo del experimento P4.1.5.1 es el estudio de la estructura básica de un transistor bipolar y su comparación con un diodo. Aquí se estudia explícitamente la diferencia entre un transistor npn y un transistor pnp. En el ensayo P4.1.5.2 se estudia las propiedades de un transistor npn a partir de sus curvas características. Se mide la característica de entrada, esto es, la corriente de base I B en función de la tensión base-emisor U BE, las características de salida, esto es, la corriente del colector I C en función de la tensión de colector-emisor I CE para una corriente de base constante I B, y las características de control, esto es, la corriente del colector I C en función de la corriente de base I B para una tensión de colector-emisor U CE constante. En el ensayo P4.1.5.3 se mide y registra las características de un transistor de efecto de campo, esto es, la corriente de drenaje I D en función de la tensión entre drenador y surtidor U DS para un tensión de puerta U G constante.
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