GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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Field<br />
ー<strong>GaN</strong>/Al<strong>GaN</strong>/<strong>GaN</strong>分極接合をHFETに適用ー<br />
S<br />
G<br />
D<br />
Al<strong>GaN</strong><br />
without FP<br />
フィールドプレート(FP)<br />
<strong>GaN</strong><br />
with FP<br />
ソース(S)と接続<br />
S G<br />
B<br />
D<br />
Al<strong>GaN</strong><br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
Field<br />
ベース(B)と接続<br />
分極接合領域<br />
<strong>GaN</strong><br />
フラットな<br />
電界分布
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