GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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ー低コスト<strong>GaN</strong>縦型ダイオード素子の可能性ー<br />
--Reference--<br />
<strong>GaN</strong>基板上に作製した縦型<strong>GaN</strong>ダイオード<br />
-(住友電工)-<br />
シンプルな構造 耐圧:1.1kV以上<br />
リーク電流:極少<br />
Ni/Au<br />
5mm n-<strong>GaN</strong><br />
n + -<strong>GaN</strong> Sub.<br />
Ti/Al/Ti/Au<br />
Reverse (A/cm 2)<br />
1e-1<br />
1e-3<br />
1e-6<br />
0<br />
1e+3<br />
1e-1<br />
1e-5<br />
1e-9<br />
Forwaed Current<br />
[ A/cm2 ]<br />
500<br />
Reverse voltage ( V )<br />
素子構造 逆方向I-V特性 オン抵抗 vs. 耐圧 マップ<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
1,100<br />
1<br />
RonA (mW cm 2) 10<br />
0.1<br />
100<br />
オン抵抗:最先端の<br />
SiCと同値<br />
1,000<br />
SiC<br />
Breakdown voltage ( V )
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