GaN パワーデバイス - POWDEC パウデック
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ーソース(S)とPJ(B)を接続したsuper HFETー<br />
Lg:2 mm<br />
Lgd=13mm<br />
B<br />
p-<strong>GaN</strong><br />
S G i-<strong>GaN</strong><br />
D<br />
i-Al<strong>GaN</strong><br />
i-<strong>GaN</strong><br />
Sapphire sub.<br />
Vg2Vでドレーン電流が飽和<br />
耐圧は830V vs. 130V<br />
ドレーン電流<br />
ドレーン電流<br />
Id (mA/mm)<br />
Id (mA/mm)<br />
1.E-02<br />
1.E-03<br />
1.E-04<br />
1.E-05<br />
1.E-06<br />
1.E-07<br />
1.E-08<br />
1.E-09<br />
0 500<br />
1.E-10<br />
1000<br />
NEエレクトロニクス-セミナー- “<strong>GaN</strong><strong>パワーデバイス</strong>” 2011/11/08, 化学会館 <strong>POWDEC</strong> K.K.<br />
450<br />
400<br />
350<br />
300<br />
250<br />
200<br />
150<br />
100<br />
50<br />
0<br />
20<br />
15<br />
10<br />
5<br />
0<br />
Vds=10V<br />
Vth=-4V<br />
-10 -8 -6 -4 -2 0 2<br />
Conv.<br />
(VB=130V)<br />
Conv.<br />
Vgs (V)<br />
Vds (V)<br />
Conv.<br />
トランスファ特性<br />
Super<br />
Super<br />
(VB=830)<br />
Super<br />
Ig (A/mm)<br />
ゲート電流
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